AMD Yes的時(shí)代終于來了，各路主板廠商對(duì)AM5主板熱情也更加高漲，不斷推出新的主板，這次為大家介紹的主板是MAG B850M MORTAR WIFI，也就是傳說中遇事不決迫擊炮的系列主板。

關(guān)于800系列芯片組，相比上代600系列其實(shí)變化并不大：

• X870E就是帶U4的X670E
• X870就是帶U4的B650E
• 而B850只能說是B650 Plus版（U4變?yōu)榭蛇x）

有人會(huì)說B850增加了PCIe 5.0 x16顯卡插槽的支持，其實(shí)PCIe 5.0都是CPU提供的，所以很多中高端B650主板也是支持PCIe 5.0。不過B650畢竟是幾年前的產(chǎn)品，B850主板還是有很多新變化的。這次評(píng)測對(duì)比迫擊炮系列的兩代主板：MAG B850M MORTAR WIFI 和 MAG B650M MORTAR WIFI（B650迫擊炮2個(gè)M2都有散熱片，我丟了一個(gè)），看看新一代主板是否值得購買。

對(duì)比開箱

▼外觀方面，新一代B850迫擊炮還是以黑色為底色，不過增加了一些黃色元素，顯得更加有活力。另外B850迫擊炮散熱裝甲表面為磨砂啞光質(zhì)感；而B650迫擊炮卻是帶一些拉絲效果。外觀自然沒啥高下之分，不過B850迫擊炮采用8層PCB板，相比上代的6層PCB板還是有所升級(jí)的。

▼兩代主板的CPU供電接口為雙8Pin設(shè)計(jì)，為應(yīng)對(duì)旗艦級(jí)CPU留出較大的冗余。

▼兩代主板都是采用了4個(gè)單邊卡扣的DDR5內(nèi)存插槽，單根內(nèi)存最高32GB，最大容量支持128GB，B850迫擊炮最高支持到8200MT/s（單根）；B850迫擊炮最高支持到7600MT/s（單根），當(dāng)然都是官網(wǎng)的數(shù)據(jù)而已，只能做參考。不過新主板在內(nèi)存超頻方面，肯定會(huì)更好一點(diǎn)的。

▼兩代主板在24Pin供電接口下方都有一個(gè)前置USB 3.2 Gen2 Type-C擴(kuò)展口，上方都有一個(gè)簡易BUG燈。B850迫擊炮則把風(fēng)扇和ARGB接口也都放在這一側(cè)了，主板上方?jīng)]有接口了，這種布置不太好藏線。

▼B850迫擊炮的PCIe 5.0 x16插槽放在機(jī)箱第一個(gè)PCIe擋板位，而B650迫擊炮則放在第二個(gè)PCIe擋板位。對(duì)于電源下置并且電源倉沒有開散熱孔的MATX機(jī)箱來說，顯卡安裝在第二個(gè)PCE擋板位，散熱間距就太小了，從這個(gè)角度來說B850迫擊炮的設(shè)計(jì)適用性更強(qiáng)。

▼B850迫擊炮還有一條PCIe 4.0 x4插槽（開放式，能插全長的板卡）；B650迫擊炮雖然有條全尺寸的x16槽，但實(shí)際也只能支持到PCIe 4.0 x4，兩者沒有本質(zhì)的差別，此外多了一個(gè)PCIe 3.0 x1插槽，也沒有太多實(shí)際的價(jià)值。

▼B850M迫擊炮有方便拆卸顯卡的EZ PCIe Clip II設(shè)計(jì)，鎖定卡扣采用金屬材質(zhì)，按下后會(huì)鎖定開啟/關(guān)閉，并不用一直按住來保持狀態(tài)，在拆卸顯卡方面無疑更加方便和安全。

▼PCB正面的M.2接口，兩代主板都是2個(gè)，B850迫擊炮的2個(gè)接口都是PCIe 5.0 x4的，而B650迫擊炮則是1個(gè)PCIe 5.0，1個(gè)PCIe 4.0。，此外它的1個(gè)接口在顯卡插槽上方，如果安裝水冷散熱器話，拆裝更加方便。但這也是在顯卡插槽放在第二擋板位的前提下，有得有失。

▼B850M迫擊炮正面的2個(gè)M2共用一個(gè)散熱器，并且是快拆設(shè)計(jì)，按下左側(cè)金屬片就可以了，非常方便。另外底部也都有散熱片，對(duì)于雙面顆粒的SSD，散熱方面的保障會(huì)更好。

▼正面的M2安裝也是快拆設(shè)計(jì)，默認(rèn)安裝的快拆是和上代一樣的撥動(dòng)塑料片式鎖定/解鎖結(jié)構(gòu)；但附件中有一種全新的金屬彈簧結(jié)構(gòu)，安裝時(shí)順勢往下一按即可，拆卸時(shí)也是一按SSD就彈起來了，相比傳統(tǒng)的快拆裝結(jié)構(gòu)更加方便，所以為啥不直接安裝上這種快拆結(jié)構(gòu)呢？

▼B850M迫擊炮其實(shí)比B650M迫擊炮多1個(gè)M2接口，這個(gè)接口放在PCB背面。另外從背面可以看到兩代主板對(duì)應(yīng)的內(nèi)存和顯卡插槽均沒有穿板焊點(diǎn)，都使用了SMT焊接工藝。

▼背面的M.2接口為芯片組提供，速度僅為PCIe 4.0x2，適合入門級(jí)別的SSD。而且對(duì)于大多數(shù)機(jī)箱來說，裝機(jī)后就不好拆卸了，要考慮好再安裝。

▼B850M迫擊炮有4個(gè)水平角度的SATA接口；B650M迫擊炮則有6個(gè)（2個(gè)垂直角度），多的2個(gè)接口是通過第三方芯片（ASMedia ASM1061）得到的。

▼B850M迫擊炮的前置USB Type-A（5Gbps）以垂直方向放在了底部；B650M迫擊炮的則以水平角度放在主板左側(cè)。B850M迫擊炮在主板底部配備了2個(gè) ARGB接口，B650M迫擊炮則為1個(gè)，而且由于靠近PCH散熱片，所以不好安裝。此外B850M相比上代還多了1個(gè)用于輔助高功耗PCIe設(shè)備供電的8pin接口，以及一個(gè)特別的EZ Conn接口。

▼這個(gè)EZ Conn接口可以通過附件中的轉(zhuǎn)接線，得到1個(gè)4Pin PWM風(fēng)扇+1個(gè)5V ARGB接口。此外B850M迫擊炮相比上代還多了1個(gè) 4Pin 風(fēng)扇接口，并且位置也更加合理。

▼背部IO接口，B850M迫擊炮多了一個(gè)20Gbps的USB Type C接口，而上代只有10Gbps的USB接口。還多一個(gè)清楚BIOS(Flash BlOS Button)按鍵，可以更加方便地解決由于超頻不當(dāng)引起開不了機(jī)的問題。不過B850M迫擊炮相比上代也少了一個(gè)1個(gè)DP視頻接口和3個(gè)3.5mm音頻接口。

▼新一代迫擊炮在網(wǎng)絡(luò)方面的提升是較大的，網(wǎng)卡芯片為的Realtek 8126，是一個(gè)5G有線網(wǎng)卡芯片，高通QCNCM865則是WiFi 7無線網(wǎng)卡芯片；而上代B650迫擊炮為2.5G有線網(wǎng)卡（RTL8125BG），和WiFi 6E無線網(wǎng)卡（AMD RZ616）。

▼在WiFi天線方面，B850M迫擊炮配備了直插式，帶磁吸底座的魚鰭型天線；B650M迫擊炮則是傳統(tǒng)手?jǐn)Q螺絲式的兩根柱狀天線。

▼負(fù)責(zé)主板供電散熱的金屬裝置，兩代主板都是采用兩塊金屬散熱片組成，體積也是差不多大的。

▼金屬散熱器采用了VRM設(shè)計(jì)，能兼顧到mosfet和電感的散熱。

▼拆解后看下裸板的情況，B850和B650都是采用單FCH芯片的設(shè)計(jì)。

▼供電方面，兩代都是12相核心供電+2相SOC核顯供電，另還有一相為MISC。

▼兩代主板的PWM控制器為MPS芯源公司的MP2857，最多支持7+2相供電。B850迫擊炮的核心和核顯的Dr Mos型號(hào)為MP87661，可以輸出60A的電流，MISC Dr Mos可以輸出55A的電流；B650迫擊炮的核心和核顯Dr Mos型號(hào)為MP87670，可以輸出80A的電流，MISC Dr Mos可以輸出30A的電流。B850迫擊炮在MISC供電方面有所加強(qiáng)，但在核心核顯供電上有所下降，這可能和銳龍9000功耗都降低了不少有關(guān)。

▼兩代主板的聲卡芯片都是Realtek ALC4080。

性能測試

▼測試使用的CPU為為Ryzen 9 9900X，12 核 24 線程，基礎(chǔ)頻率4.4 GHz，最大加速頻率5.6 GHz；緩存大小76 MB（L2 + L3），TDP為120W。

▼測試使用的其它硬件如下：

CPU：AMD 銳龍 9 9900X

內(nèi)存：宇瞻（Apacer）NOX DDR5 RGB -7600MT/s 16G*2

散熱：九州風(fēng)神（DEEPCOOL）冰果 240水冷

電源：安鈦克（ Antec）NE1000

機(jī)箱：愛國者（aigo）星璨 小嵐屏顯版

▼新一代微星主板在簡易界面下（EZ Mode）就可以選擇內(nèi)存的XMP檔位，讓內(nèi)存超頻更簡單的Memory Try it，各種PBO 超頻方案，核顯的調(diào)節(jié)選項(xiàng)等等。CPU，內(nèi)存，磁盤以及風(fēng)扇的狀態(tài)則在右側(cè)。

CPU性能

▼PBO為Auto檔，其實(shí)就是沒超頻，像CINEBENCH這種負(fù)載比較高的應(yīng)用，9900X在240水冷的壓制下，CPU溫度~73-°C，功耗160w，還是非常清涼的。

▼由于9950X和9900X，不像9700X和9600X有一個(gè)優(yōu)化的105W TDP模式，所以先嘗試開啟PBO Advanced，頻率提升到最高，并且不設(shè)置溫度墻（默認(rèn)為95-°C）。這時(shí)CPU溫度~92.5-°C，功耗230w，相比PBO Auto，溫度增加了20°C，功耗增加了40%，跑分只增加了7%，并不劃算。

▼所以更推薦使用Set Thermal Point模式，我這里測試85℃檔位，這樣溫度肯定不會(huì)超過85℃，相比PBO Advanced 功耗稍稍下降，跑分居然高了一點(diǎn)點(diǎn)，大家也可以試試75℃、65℃，也許是一種更有性價(jià)比的PBO模式。

內(nèi)存性能

▼內(nèi)存方面提供了多種優(yōu)化方式，有優(yōu)化內(nèi)存小參的High Efficiency mode，還有降低延遲的Latency Killer。

▼沒有使用優(yōu)化前，內(nèi)存延遲為78.9ns。開啟High Efficiency mode，選擇Tighter/爆香檔（次高檔），延遲降低到70.1ns。再開啟Latency Killer，延遲進(jìn)一步可以降低到66.5ns。

▼銳龍9000使用7600MT/s內(nèi)存是沒有問題的，不過超過6400MT/s就會(huì)分頻（內(nèi)存控制器UCLK和總線頻率FCLK達(dá)到2:1），導(dǎo)致內(nèi)存延時(shí)的增加。所以現(xiàn)在AM5平臺(tái)最有性價(jià)比的內(nèi)存參數(shù)選擇應(yīng)該是6000MT/s C28。使用主板內(nèi)存超頻工具M(jìn)emory Try It，選擇6000MT/s的C28文檔，非常簡單就完成了調(diào)節(jié)。

▼6000MT/s C28，和7600MT/s相比，讀寫速度肯定會(huì)弱一些，但延遲卻要好一丟丟。

主板mos溫度

▼使用Set Thermal Point 85℃模式，開啟FPU烤機(jī)十分鐘后，Mos溫度為61℃，還是比較低的，可以保證CPU長期高負(fù)載的穩(wěn)定運(yùn)行。

最后

B850迫擊炮相比B650迫擊炮的提升地方在：安裝硬件的易用性、升級(jí)了有線網(wǎng)絡(luò)和無線網(wǎng)卡、多了1個(gè)20Gbps的USB Type C接口和半個(gè)M2接口。有些降級(jí)的地方：少了2個(gè)Sata接口，供電Dr Mos規(guī)格有所下降，總體上來說還是升級(jí)的地方更多。

由于微星把迫擊炮系列定位提升了一些，所以這個(gè)系列現(xiàn)在也許不是微星最有性價(jià)比的主板了，不過通過硬件參數(shù)，易用性結(jié)構(gòu)和主板BIOS的介紹，可以看出，遇事不決的迫擊炮，這個(gè)梗還是可以繼續(xù)用下去的。