來源：市場(chǎng)資訊

（來源：聯(lián)動(dòng)科技PowerTECH）

新能源汽車800V高壓平臺(tái)快速普及，SiC（碳化硅）功率模塊憑借低損耗、耐高溫、高頻化優(yōu)勢(shì)，成為車載電驅(qū)、OBC、快充樁核心器件。KGD（Known Good Die，已知良好芯片）測(cè)試作為SiC芯片封裝前的終極質(zhì)檢，直接決定車載模塊可靠性、良率與量產(chǎn)成本，是車規(guī)級(jí)SiC模塊量產(chǎn)的核心剛需。聯(lián)動(dòng)科技深耕第三代半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，重磅推出超低雜散SiC KGD測(cè)試系統(tǒng)—QT-8404D 高速功率器件測(cè)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)支持KGD動(dòng)靜態(tài)參數(shù)6KV測(cè)試，AC雜散小于25nH，憑借雜散電感＜25nH、動(dòng)態(tài)開關(guān)參數(shù)精準(zhǔn)測(cè)試、短路參數(shù)測(cè)試總時(shí)間＜300ms的硬核突破，為車載SiC模塊實(shí)現(xiàn)提速、降本、提質(zhì)三重價(jià)值。

車規(guī)級(jí)剛需：SiC KGD測(cè)試，車載模塊的“安全生命線”

新能源汽車工況嚴(yán)苛，SiC模塊需長期承受高壓、大電流、高溫及頻繁啟停的動(dòng)態(tài)應(yīng)力，芯片微小缺陷均可能引發(fā)模塊失效，進(jìn)而威脅整車安全。不同于傳統(tǒng)硅基器件，SiC芯片切割后易產(chǎn)生隱性缺陷，多芯片并聯(lián)封裝時(shí)，單芯片失效會(huì)導(dǎo)致整組模塊失效率指數(shù)級(jí)上升。KGD測(cè)試在芯片封裝前，對(duì)裸Die開展靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、短路保護(hù)等高應(yīng)力全項(xiàng)篩選，從源頭剔除早期失效芯片，確保每顆進(jìn)入封裝的芯片均達(dá)車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，未經(jīng)過KGD測(cè)試的SiC模塊量產(chǎn)良率不足80%，通過標(biāo)準(zhǔn)化KGD測(cè)試可提升至99%以上，同時(shí)大幅降低售后失效風(fēng)險(xiǎn)，是車載SiC模塊量產(chǎn)的必經(jīng)關(guān)卡。

行業(yè)痛點(diǎn)破解：超低雜散+極速測(cè)試，打破技術(shù)瓶頸

當(dāng)前SiC KGD測(cè)試面臨兩大核心難題：一是雜散電感過高，傳統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)雜散電感普遍高于40nH，無法精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)車載高頻工況下的開關(guān)特性，難以真實(shí)檢測(cè)SiC高速DIDT、DVDT數(shù)據(jù)；二是測(cè)試效率低下，動(dòng)態(tài)開關(guān)與短路參數(shù)測(cè)試耗時(shí)久，單顆芯片測(cè)試周期長，難以匹配大規(guī)模量產(chǎn)需求，同時(shí)推高測(cè)試成本。聯(lián)動(dòng)科技依托20余年半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)積淀，攻克超低雜散電路設(shè)計(jì)、高速信號(hào)采集、精密探針技術(shù)等核心難題，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破：

1、超低雜散突破：

雜散電感＜25nH，采用自研低寄生回路設(shè)計(jì)與精密屏蔽工藝，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，可精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)車載SiC模塊高頻開關(guān)工況，納秒級(jí)捕捉開關(guān)波形，確保開通損耗、關(guān)斷損耗、尖峰電流等動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試精度，徹底解決傳統(tǒng)系統(tǒng)測(cè)試數(shù)據(jù)失真問題，為模塊設(shè)計(jì)優(yōu)化提供可靠支撐。

2、雙項(xiàng)極速測(cè)試：

動(dòng)態(tài)開關(guān)與短路參數(shù)測(cè)試總耗時(shí)＜300ms，集成高速動(dòng)態(tài)測(cè)試模塊與超快短路保護(hù)單元，實(shí)現(xiàn)一站式完成測(cè)試與驗(yàn)證，較傳統(tǒng)設(shè)備縮減一半測(cè)試時(shí)間；搭載自研特種探針，短路測(cè)試中不燒熔、不沾異物，兼顧測(cè)試速度與芯片保護(hù)，杜絕良品損傷。

3、車規(guī)級(jí)全場(chǎng)景適配：

車規(guī)級(jí)全場(chǎng)景適配：支持常溫/高溫全溫區(qū)測(cè)試，覆蓋DC靜態(tài)參數(shù)、SW動(dòng)態(tài)開關(guān)參數(shù)、UIL雪崩參數(shù)、RG熱阻參數(shù)等全項(xiàng)KGD測(cè)試項(xiàng)目，兼容2000V/2000A SiC MOSFET裸芯片，完全匹配AQG 324、AEC-Q101車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，搭配轉(zhuǎn)塔/平移分選機(jī)，可實(shí)現(xiàn)“測(cè)試-分選-數(shù)據(jù)追溯”自動(dòng)化流程。

價(jià)值賦能：提速降本提質(zhì)，助力車載SiC產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化

1、提質(zhì)：

超低雜散設(shè)計(jì)保障測(cè)試精準(zhǔn)度，全項(xiàng)高應(yīng)力篩選剔除隱性缺陷芯片，確保車載SiC模塊在極端工況下的長期穩(wěn)定性，助力車企滿足車規(guī)級(jí)零失效要求，提升產(chǎn)品口碑與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

2、提速：

300ms極速測(cè)試搭配自動(dòng)化分選方案，單產(chǎn)線日測(cè)試能力突破萬顆，徹底解決傳統(tǒng)測(cè)試效率瓶頸，適配新能源汽車SiC模塊爆發(fā)式量產(chǎn)需求，縮短交付周期。

3、降本：

提前剔除失效芯片，避免昂貴封裝資源浪費(fèi)；高效測(cè)試減少設(shè)備與人工投入；高精準(zhǔn)測(cè)試降低誤判率，減少售后返修成本，實(shí)現(xiàn)全鏈路降本。

結(jié)語

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)加速向800V高壓平臺(tái)升級(jí)，SiC模塊測(cè)試設(shè)備的國產(chǎn)化、高性能化成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵。聯(lián)動(dòng)科技作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，以雜散電感＜25nH、極速測(cè)試＜300ms的硬核突破，結(jié)合QT-8404D高速功率器件測(cè)試系統(tǒng)的6KV測(cè)試能力與低雜散優(yōu)勢(shì)，打造適配車載場(chǎng)景的SiC KGD測(cè)試標(biāo)桿方案。未來，公司將持續(xù)深耕第三代半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)，以自主創(chuàng)新賦能車載SiC產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，助力國產(chǎn)SiC模塊搶占全球新能源汽車市場(chǎng)核心地位。

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