4月27日晚間，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上?！被颉肮尽保┌l(fā)布2026年第一季度報告。報告顯示，2026年第一季度公司實現(xiàn)營業(yè)收入14.76億元，同比增長13.06%，業(yè)務(wù)布局持續(xù)有序落地。

作為技術(shù)密集型的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，核心技術(shù)始終是企業(yè)立足行業(yè)的根本，即便在行業(yè)周期波動階段，盛美上海依舊堅守創(chuàng)新發(fā)展主線，將研發(fā)投入擺在核心位置，以長期技術(shù)布局筑牢發(fā)展底氣。報告期內(nèi)，公司研發(fā)投入合計3.09億元，同比增長22.35%，研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例較同期增加1.59個百分點，研發(fā)投入增速持續(xù)跑贏營收增速，創(chuàng)新投入力度不斷增強，為技術(shù)突破與產(chǎn)品迭代提供了堅實保障。

持續(xù)加碼的研發(fā)投入，背后是公司成熟的自主創(chuàng)新體系與差異化研發(fā)戰(zhàn)略支撐。面對半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)極高的技術(shù)壁壘與漫長的客戶驗證周期，盛美上海搭建以上海、韓國兩地為核心的國際化研發(fā)團隊，緊貼全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)趨勢與下游客戶實際生產(chǎn)需求，打通技術(shù)研發(fā)、專利布局、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用全流程，形成高效的技術(shù)轉(zhuǎn)化機制，通過規(guī)范化研發(fā)管理，保障每一筆投入都精準(zhǔn)指向核心技術(shù)攻關(guān)。

長期研發(fā)深耕，推動公司在半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域持續(xù)實現(xiàn)技術(shù)突破，不斷完善產(chǎn)品矩陣、豐富產(chǎn)品品類、提升技術(shù)壁壘。值得關(guān)注的是，4月27日，公司宣布首臺等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)碳氮化硅(SiCN)設(shè)備正式出機，可支撐55nm及以下高端IC工藝后段金屬互聯(lián)關(guān)鍵工藝，持續(xù)拓展工藝技術(shù)能力道路上的一個重要里程碑，該設(shè)備在盛美上海臨港實驗室已驗證滿足工藝指標(biāo)，現(xiàn)發(fā)往客戶端進(jìn)行最終驗證。

年報數(shù)據(jù)顯示，公司2025年多款新產(chǎn)品順利實現(xiàn)客戶端驗證并實現(xiàn)順利交付，產(chǎn)品競爭力持續(xù)提升。3月，公司單晶圓高溫SPM設(shè)備通過驗證；6月，ECP設(shè)備1500電鍍腔順利交付；9月，推出用于化合物半導(dǎo)體金蝕刻工藝的Ultra ECDP電化學(xué)去鍍設(shè)備，并交付首臺高產(chǎn)能KrF工藝前道涂膠顯影設(shè)備Ultra Lith KrF；11月，又先后交付首臺世界首創(chuàng)水平式面板級先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備、首臺先進(jìn)光刻膠固化設(shè)備Ultra Lith BK(Baker) 訂單。

憑借持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代，盛美上海已成長為中國大陸少數(shù)具備國際競爭力的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，行業(yè)認(rèn)可度與市場地位持續(xù)穩(wěn)固。公司不僅連續(xù)多年入選“中國半導(dǎo)體設(shè)備五強”，更斬獲國家級專精特新“小巨人”、制造業(yè)單項冠軍等多項權(quán)威榮譽。根據(jù)中銀證券專題報告的歷年累計數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，公司清洗設(shè)備的中國國內(nèi)市占率為 23%；根據(jù)Gartner 2026 年4月公布的2025年度數(shù)據(jù)顯示，公司清洗設(shè)備的國際市占率為 8.3%，電鍍設(shè)備的國際市占率為 9.6%，全球排名分別為第四和第二，公司核心產(chǎn)品市場競爭力凸顯。

立足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一輪發(fā)展周期，盛美上海將繼續(xù)聚焦自主創(chuàng)新核心方向，持續(xù)加大研發(fā)投入、深耕核心技術(shù)，以技術(shù)突破應(yīng)對行業(yè)變化、夯實長期發(fā)展根基，在推動自身產(chǎn)品升級與業(yè)務(wù)拓展的同時，持續(xù)發(fā)力高端半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)突破，為行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動力。

來源：大灣區(qū)經(jīng)濟網(wǎng)