前言

在充電頭網(wǎng)舉辦的2026（春季）亞洲充電大會(huì)上，萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）帶來了《AOS全場(chǎng)景高性能電源管理解決方案》主題分享。

整場(chǎng)演講圍繞當(dāng)下電源行業(yè)最受關(guān)注的兩大方向展開，一條是持續(xù)升級(jí)的PD 3.0/PD 3.1快充應(yīng)用，另一條則是快速升溫的AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)。

結(jié)合高壓MOSFET、中低壓MOSFET、SiC、GaN以及相關(guān)驅(qū)動(dòng)與控制產(chǎn)品，AOS展示了其從消費(fèi)類快充到高功率AI電源的完整器件布局思路。

從快充到AI，電源器件競(jìng)爭(zhēng)正走向全場(chǎng)景覆蓋

AOS 強(qiáng)調(diào)以更完整的產(chǎn)品矩陣參與不同電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)，其產(chǎn)品覆蓋高壓Super Junction MOSFET、中低壓MOSFET、Active Bridge控制器、SR驅(qū)動(dòng)器以及SiC、GaN等寬禁帶器件，可面向筆記本適配器、臺(tái)式機(jī)/工作站、游戲主機(jī)、服務(wù)器、光儲(chǔ)以及DCDC Brick模塊等應(yīng)用提供支持。

過去市場(chǎng)更關(guān)注單顆MOS管的導(dǎo)通電阻、封裝和價(jià)格，而隨著功率密度、效率、熱設(shè)計(jì)和可靠性要求不斷提高，廠商能否同時(shí)覆蓋前級(jí)PFC、主功率級(jí)、同步整流以及后級(jí)供電部分，正在成為更重要的競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)。

AI電源加速演進(jìn)，器件布局進(jìn)一步前移

在AI電源部分，AOS重點(diǎn)介紹了從傳統(tǒng)服務(wù)器PSU到未來HVDC數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的器件布局。

其給出的方案中，既包括面向15kW以下服務(wù)器電源的圖騰柱PFC、LLC、SSR、Oring等位置的器件配置，也包括面向HVDC Power Sidecar和HVDC IT Rack Solutions的整體架構(gòu)思路。

在AI電源架構(gòu)中，Vienna PFC、LLC一次側(cè)、LLC二次側(cè)以及48V側(cè)多相Buck/開關(guān)電容等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，都已經(jīng)對(duì)應(yīng)布局了不同電壓等級(jí)的器件。

例如前級(jí)可覆蓋1200V/750V SiC以及650V/700V GaN，后級(jí)則涵蓋100V HotSwap FET、100V GaN FET、80V至15V的中低壓MOSFET以及48V多相Buck控制器等。

這說明AI電源對(duì)器件廠商的要求，已經(jīng)不只是提供某一顆主開關(guān)管，而是要理解整套服務(wù)器供電鏈路，并針對(duì)不同拓?fù)�、不同電壓平臺(tái)準(zhǔn)備相應(yīng)產(chǎn)品。

尤其是在服務(wù)器電源持續(xù)向高功率、高密度升級(jí)的背景下，誰(shuí)能提供更完整、更貼近系統(tǒng)應(yīng)用的器件組合，誰(shuí)就更容易進(jìn)入主流平臺(tái)設(shè)計(jì)。

PD 3.1高功率快充，開始更加重視集成與熱設(shè)計(jì)

在PD快充部分，AOS將重點(diǎn)放在了PD 3.0/3.1應(yīng)用中的功率器件配置上。隨著PD 3.1更多應(yīng)用到PC、工作站以及高性能終端中，Active Bridge加AHB正成為更主流的拓?fù)浞桨浮?/p>

圍繞這類方案，AOS從PFC側(cè)到同步整流側(cè)都提供了相應(yīng)器件，并且在高壓側(cè)準(zhǔn)備了多種貼片化高壓MOSFET和GaN產(chǎn)品。

相比單純擴(kuò)充料號(hào)，更值得關(guān)注的是其在Buck-Boost級(jí)上的思路變化。傳統(tǒng)Buck-Boost方案往往使用分立上下管完成設(shè)計(jì)，器件數(shù)量較多，占板面積和溫升壓力也更明顯。

AOS則展示了將上下管集成到單一封裝中的Co-package方案，希望以更少器件數(shù)量完成同樣功能，在縮小PCB面積的同時(shí)改善熱表現(xiàn)。

以PD 3.1 140W方案為例，AOS展示了AONZ66412雙FET方案。在28Vin、9Vo、2.2uH、800kHz、9A的測(cè)試條件下，這套方案可將原本4顆FET的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化為2顆，同時(shí)溫升表現(xiàn)改善約7%到8%。

從效率曲線來看，在高負(fù)載區(qū)其表現(xiàn)也優(yōu)于單FET方案，說明雙管集成不僅有助于簡(jiǎn)化布局，還能在效率與熱設(shè)計(jì)之間取得更好的平衡。

對(duì)于當(dāng)前高功率快充產(chǎn)品來說，這一點(diǎn)意義不小。因?yàn)楫?dāng)功率繼續(xù)向140W甚至更高延伸時(shí)，整機(jī)設(shè)計(jì)難點(diǎn)已經(jīng)不只是能不能做出來，而是要在有限體積內(nèi)同時(shí)解決效率、發(fā)熱、EMI和可靠性問題。Co-package這類方案，本質(zhì)上正是在為高密度快充適配器爭(zhēng)取更多設(shè)計(jì)余量。

新一代Super Junction平臺(tái)，重點(diǎn)不只在低阻值

除了PD快充，AOS在演講中還重點(diǎn)介紹了其新一代Super Junction平臺(tái)。AOS較早將12英寸工藝引入Super Junction MOSFET，并在此基礎(chǔ)上繼續(xù)推出新一代αMOS E和αMOS E2系列。

其中，αMOS E更偏向消費(fèi)類和家電類應(yīng)用，αMOS E2則更多面向工業(yè)、服務(wù)器電源、光伏等對(duì)性能和可靠性要求更高的場(chǎng)景。

這代平臺(tái)的一個(gè)關(guān)鍵變化，是不再只強(qiáng)調(diào)更低導(dǎo)通電阻，而是同時(shí)突出高功率密度和高可靠性。αMOS E2相比上一代產(chǎn)品在單位面積導(dǎo)通電阻指標(biāo)上提升40%，F(xiàn)OM也提升18%。同時(shí)，在短路耐受、體二極管魯棒性以及高溫工況下的表現(xiàn)上也更為優(yōu)異。

無論是AI服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心電源，還是光伏、工業(yè)等高功率應(yīng)用，器件面對(duì)的早已不是理想實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，而是長(zhǎng)時(shí)間高溫、高壓、大電流和復(fù)雜瞬態(tài)沖擊。相比單純把導(dǎo)通電阻繼續(xù)壓低，器件在短路、雪崩、反向恢復(fù)以及高溫下是否依舊穩(wěn)定，往往更影響整機(jī)平臺(tái)能否真正量產(chǎn)落地。

從器件參數(shù)競(jìng)爭(zhēng)，走向平臺(tái)能力競(jìng)爭(zhēng)

從PD快充到AI電源，功率半導(dǎo)體廠商的競(jìng)爭(zhēng)方式正在發(fā)生變化。消費(fèi)電子側(cè)，市場(chǎng)需要更高集成度、更好熱表現(xiàn)的器件方案，以支撐PD 3.1高功率化趨勢(shì)；服務(wù)器和AI側(cè)，市場(chǎng)則需要能同時(shí)覆蓋PFC、LLC、同步整流、HotSwap、48V多相供電等多個(gè)環(huán)節(jié)的完整器件矩陣。

換句話說，未來比拼的不再只是單顆器件參數(shù)，而是廠商對(duì)系統(tǒng)架構(gòu)的理解能力、平臺(tái)化供貨能力，以及能否針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景給出真正可落地的組合方案。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

AOS此次分享的重點(diǎn)在于較為完整地展示了其從消費(fèi)類PD快充到AI服務(wù)器電源的器件布局邏輯。一端是圍繞PD 3.0/3.1高功率快充持續(xù)推進(jìn)雙FET集成和高密度設(shè)計(jì)，另一端則是圍繞服務(wù)器、HVDC和AI電源持續(xù)補(bǔ)齊SiC、GaN以及中低壓MOSFET產(chǎn)品拼圖。

對(duì)于當(dāng)下電源行業(yè)而言，這種布局也很有代表性。隨著應(yīng)用不斷向更高功率、更高效率和更高可靠性演進(jìn)，器件廠商的價(jià)值正從提供單顆元件轉(zhuǎn)向支撐整套系統(tǒng)設(shè)計(jì)。誰(shuí)能更早建立這種全場(chǎng)景、平臺(tái)化能力，誰(shuí)就更有機(jī)會(huì)在下一輪電源技術(shù)升級(jí)中占據(jù)更重要的位置。