今年全國(guó)兩會(huì)政府工作報(bào)告中，集成電路被正式確立為國(guó)家六大新興支柱產(chǎn)業(yè)之首，體現(xiàn)了國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高度重視。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈加速重構(gòu)背景下，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷從“補(bǔ)短板”到“提性能”的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“思銳智能”）憑借在原子層沉積設(shè)備（ALD）與離子注入機(jī)（IMP）領(lǐng)域的雙線布局，已成為當(dāng)前賽道內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主突破的裝備供應(yīng)商，在這一產(chǎn)業(yè)變革中占據(jù)著獨(dú)特的戰(zhàn)略地位。近日，集微網(wǎng)專訪思銳智能研發(fā)總監(jiān)，深入探討思銳智能如何憑借其在ALD和IMP設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)積累與創(chuàng)新突破，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

助力產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新：立足當(dāng)下布局未來(lái)

當(dāng)前全球半導(dǎo)體市場(chǎng)正在加速擴(kuò)容。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織WSTS最新預(yù)測(cè)，2026年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)9750億美元，逼近萬(wàn)億美元大關(guān)。這一增長(zhǎng)并非傳統(tǒng)周期性反彈的簡(jiǎn)單重復(fù)，而是由人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)性變革。疊加中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，這為我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)帶來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。

在此進(jìn)程中，思銳智能緊抓國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇，支撐國(guó)內(nèi)晶圓廠工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)升級(jí)，前瞻布局下一代工藝創(chuàng)新賽道。依托ALD、離子注入核心自主技術(shù)突破，公司裝備實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)與規(guī)?；桓?，成功納入主流半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈。憑借核心自主可控技術(shù)、穩(wěn)定設(shè)備效能與優(yōu)質(zhì)技術(shù)服務(wù)，思銳智能為客戶提供一體化工藝解決方案，持續(xù)強(qiáng)化自研裝備在產(chǎn)業(yè)鏈的配套價(jià)值與產(chǎn)業(yè)化落地能力。思銳智能在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程中所發(fā)揮的作用不止于國(guó)產(chǎn)替代。針對(duì)全球客戶新工藝開(kāi)發(fā)的探索需求，思銳智能提供全譜系A(chǔ)LD、離子注入裝備的一體化工藝支撐，既能全力支持現(xiàn)有工藝的規(guī)?；a(chǎn)，也能以國(guó)際主流前代工藝為基準(zhǔn)，助力用戶完成下一代工藝的驗(yàn)證工作。作為擁有全球客戶拓展能力的半導(dǎo)體裝備生產(chǎn)制造商，思銳智能及海外子公司業(yè)務(wù)范圍已覆蓋全球40個(gè)國(guó)家及地區(qū)，累計(jì)服務(wù)超過(guò)500個(gè)全球客戶。

當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)正朝著3D堆疊和新材料方向快速演進(jìn)，這既為整個(gè)行業(yè)帶來(lái)嚴(yán)苛的技術(shù)挑戰(zhàn)，也孕育著廣闊的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。在3D堆疊、新材料等新興領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)外裝備技術(shù)差距處于同步研發(fā)、并行探索階段，部分細(xì)分領(lǐng)域已形成差異化技術(shù)優(yōu)勢(shì)。以ALD裝備在碳化硅功率器件中的適配場(chǎng)景為例，伴隨深溝槽結(jié)構(gòu)在第三代器件中的普及，ALD技術(shù)在溝槽薄膜生長(zhǎng)均勻性、致密性上，相較傳統(tǒng)CVD、PVD工藝具備顯著適配優(yōu)勢(shì)。思銳智能較早布局該前沿方向，已完成基礎(chǔ)技術(shù)儲(chǔ)備與工藝驗(yàn)證，逐步構(gòu)建可落地的核心技術(shù)壁壘，為后續(xù)全球化市場(chǎng)配套筑牢堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。依托長(zhǎng)期技術(shù)積淀，思銳智能核心裝備在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)配套進(jìn)程中，正發(fā)揮愈發(fā)關(guān)鍵的支撐作用。

思銳智能專家指出，在國(guó)內(nèi)晶圓制造的創(chuàng)新研發(fā)環(huán)節(jié)，本土裝備企業(yè)具備顯著的協(xié)同適配與快速響應(yīng)優(yōu)勢(shì)。整體來(lái)看，工藝優(yōu)化需求主要分為兩類：一是現(xiàn)有工藝平臺(tái)內(nèi)的精細(xì)化迭代升級(jí)；二是全新架構(gòu)、全新材料驅(qū)動(dòng)的原創(chuàng)工藝開(kāi)發(fā)。在高頻精細(xì)化工藝迭代場(chǎng)景下，思銳智能深度聯(lián)動(dòng)客戶開(kāi)展軟硬件定制化開(kāi)發(fā)，精準(zhǔn)適配各類新型工藝落地應(yīng)用；面向前沿原創(chuàng)工藝前瞻研發(fā)，依托完備的定制化技術(shù)支撐體系，可提供高適配、全流程的研發(fā)與量產(chǎn)配套服務(wù)。公司與客戶聯(lián)合研發(fā)的協(xié)同模式，既能高效加速先進(jìn)制程技術(shù)迭代落地，亦可推動(dòng)核心裝備持續(xù)貼合產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)化需求，穩(wěn)步構(gòu)建“研發(fā)—應(yīng)用—優(yōu)化”閉環(huán)技術(shù)生態(tài)。

ALD設(shè)備：適配3D堆疊與新材料演進(jìn)需求

原子層沉積技術(shù)廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、功率器件等各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造，其設(shè)備性能與芯片集成度、性能與可靠性密切相關(guān)。3D堆疊和新材料應(yīng)用對(duì)ALD設(shè)備的適配能力、控制精度都提出了更為嚴(yán)苛的需求與挑戰(zhàn)。

在3D堆疊技術(shù)領(lǐng)域，邏輯芯片往往要在“不超過(guò)10nm空間內(nèi)堆疊多種不同組分材料”，其中沉積厚度控制精度、材料組分控制精度都是關(guān)鍵痛點(diǎn)。設(shè)備精度不足極易出現(xiàn)組分偏差、厚度不均等問(wèn)題，進(jìn)而影響芯片的電學(xué)性能與穩(wěn)定性。在新材料應(yīng)用層面，ALD設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)同樣嚴(yán)峻。例如IGZO等多元復(fù)合材料，未來(lái)在先進(jìn)存儲(chǔ)、3DDRAM領(lǐng)域的應(yīng)用將日益廣泛，這類材料的多元復(fù)合特性，要求ALD設(shè)備必須實(shí)現(xiàn)超高精度配比調(diào)控能力，保障薄膜參數(shù)穩(wěn)定達(dá)標(biāo)。碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化提速，也推動(dòng)ALD裝備持續(xù)完成工藝兼容、生產(chǎn)效率提升等專項(xiàng)技術(shù)升級(jí)。

思銳智能深耕ALD領(lǐng)域，構(gòu)建了完整的技術(shù)體系，累計(jì)擁有近400項(xiàng)全球?qū)＠迦?，形成覆蓋多工藝節(jié)點(diǎn)、主流核心場(chǎng)景的全譜系A(chǔ)LD產(chǎn)品線，可滿足客戶多元化工藝需求。公司攻克高精度沉積控制、復(fù)合材料適配等關(guān)鍵難點(diǎn)，設(shè)備指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，深度適配前沿制程應(yīng)用。

ALD Transform

離子注入機(jī)：實(shí)現(xiàn)高壁壘賽道下的核心技術(shù)攻堅(jiān)

離子注入設(shè)備是實(shí)現(xiàn)芯片摻雜、材料改性等關(guān)鍵工藝的核心支撐，技術(shù)壁壘極高，核心難點(diǎn)集中在三大層面：

其一，整機(jī)系統(tǒng)極其復(fù)雜，數(shù)千種零部件協(xié)同配合實(shí)現(xiàn)整機(jī)功能。離子源作為設(shè)備“心臟”，需持續(xù)實(shí)現(xiàn)高純度、高束流、長(zhǎng)壽命穩(wěn)態(tài)輸出，精準(zhǔn)管控離子品類、保障束流全域均勻。受束流傳輸與控制系統(tǒng)架構(gòu)繁雜、調(diào)控參數(shù)多元的剛性瓶頸制約，大幅提升了工藝參數(shù)全域協(xié)同控制難度。同時(shí)，高壓絕緣、污染防護(hù)等特種材料自研與精密成型制造，長(zhǎng)期屬于行業(yè)攻堅(jiān)難點(diǎn)。

其二，離子束傳輸與聚焦控制難度突出。設(shè)備需在超高真空環(huán)境下完成離子束長(zhǎng)距離精準(zhǔn)傳導(dǎo)、定點(diǎn)聚焦，適配多工藝節(jié)點(diǎn)、多尺寸晶圓量產(chǎn)需求。受工藝端缺失無(wú)損實(shí)時(shí)直檢手段這一核心技術(shù)瓶頸制約，隱性工藝風(fēng)險(xiǎn)突出，倒逼束流傳輸與聚焦控制系統(tǒng)必須實(shí)現(xiàn)極致精度與絕對(duì)穩(wěn)定性，同時(shí)為機(jī)械加工公差、智能控制響應(yīng)精度確立行業(yè)頂尖標(biāo)準(zhǔn)。

其三，量產(chǎn)級(jí)可靠性、安全性與一致性管控難度極高。量產(chǎn)端需支撐7×24小時(shí)連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)全批次工藝參數(shù)精準(zhǔn)復(fù)刻。核心部件耐久性、系統(tǒng)兼容性與故障自愈能力需對(duì)標(biāo)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)設(shè)備自帶毒氣、高壓、電離輻射等危險(xiǎn)源，安全防護(hù)技術(shù)門檻嚴(yán)苛。雙重要求之下，唯有依托核心自主研發(fā)與量產(chǎn)數(shù)據(jù)持續(xù)迭代優(yōu)化，方能保障設(shè)備穩(wěn)定交付。

攻克離子注入機(jī)核心技術(shù)，對(duì)保障產(chǎn)業(yè)鏈安全意義重大。思銳智能堅(jiān)持高強(qiáng)度持續(xù)研發(fā)投入與專項(xiàng)技術(shù)攻堅(jiān)，選擇率先攻克難度最高的高能離子注入機(jī)并深耕，先后攻克離子源、束流傳輸聚焦等核心技術(shù)卡點(diǎn)，在束流均勻性、整機(jī)運(yùn)行穩(wěn)定性、量產(chǎn)可靠性等關(guān)鍵性能指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平。

公司持續(xù)加碼重資產(chǎn)科研布局，自主搭建專業(yè)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái)與工藝量測(cè)實(shí)驗(yàn)室，構(gòu)建全流程自研、自測(cè)迭代的技術(shù)體系；深度聯(lián)動(dòng)終端客戶開(kāi)展聯(lián)合工藝開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)適配，依托真實(shí)工況持續(xù)打磨優(yōu)化技術(shù)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)核心裝備與客戶工藝需求的協(xié)同升級(jí)。產(chǎn)品端，思銳智能已完成硅基及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域全系列離子注入機(jī)的研發(fā)與驗(yàn)證，搭建完整產(chǎn)品矩陣，覆蓋高能、大束流、中束流等全品類機(jī)型，可滿足從成熟工藝到先進(jìn)工藝、邏輯芯片到存儲(chǔ)芯片、硅基芯片到第三代半導(dǎo)體器件的多元化應(yīng)用需求。

目前，企業(yè)自研高能離子注入機(jī)、大束流注入機(jī)已實(shí)現(xiàn)批量落地交付。依托自研核心架構(gòu)與極致工藝性能，設(shè)備通過(guò)嚴(yán)苛量產(chǎn)工況的長(zhǎng)期驗(yàn)證，關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿水平，持續(xù)獲得頭部客戶規(guī)?；慨a(chǎn)導(dǎo)入，充分印證了公司核心技術(shù)壁壘、設(shè)備穩(wěn)定性及量產(chǎn)適配能力，助力思銳智能穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先梯隊(duì)。

SRII 高能離子注入機(jī)

AI賦能：推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備的智能化升級(jí)

在半導(dǎo)體設(shè)備高速迭代的行業(yè)格局下，底層軟件的自主可控與智能化升級(jí)，已成為決定裝備精度、運(yùn)行效率與場(chǎng)景適配能力的核心關(guān)鍵。思銳智能堅(jiān)持軟件自主開(kāi)發(fā)，構(gòu)建涵蓋控制程序、工藝算法、數(shù)據(jù)分析的完整體系，實(shí)現(xiàn)軟硬件深度協(xié)同、同步迭代，充分釋放硬件性能潛力，同時(shí)可快速響應(yīng)客戶定制化開(kāi)發(fā)與現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試需求，具備極強(qiáng)的場(chǎng)景適配與拓展能力。

公司精準(zhǔn)把握AI技術(shù)向半導(dǎo)體制造深度滲透的行業(yè)趨勢(shì)，積極探索其在高端裝備領(lǐng)域的落地價(jià)值。AI不僅是突破傳統(tǒng)設(shè)備效率與精度瓶頸的重要手段，更為客戶前沿工藝創(chuàng)新提供全新支撐。目前，思銳智能的AI應(yīng)用已落地于參數(shù)優(yōu)化、工藝預(yù)測(cè)、狀態(tài)監(jiān)控、輔助調(diào)試四大核心場(chǎng)景。

工藝優(yōu)化層面，基于海量運(yùn)行數(shù)據(jù)訓(xùn)練智能模型，快速匹配最優(yōu)工藝參數(shù)組合，有效提升量產(chǎn)效率；針對(duì)3D堆疊、新材料制程等復(fù)雜工藝，依托AI算法降低調(diào)試門檻、減少人工干預(yù)，加速先進(jìn)工藝落地應(yīng)用。

智能運(yùn)維層面，依托全量運(yùn)行數(shù)據(jù)搭建智能分析模型，實(shí)現(xiàn)故障精準(zhǔn)預(yù)警與定向運(yùn)維建議，有效降低停機(jī)風(fēng)險(xiǎn)，保障裝備長(zhǎng)期高效穩(wěn)定運(yùn)行。

未來(lái)，思銳智能將持續(xù)加碼AI技術(shù)研發(fā)，深化智能運(yùn)維算法迭代，進(jìn)一步提升故障響應(yīng)時(shí)效；同時(shí)結(jié)合3D架構(gòu)與第三代半導(dǎo)體研發(fā)需求，拓展前沿制程的智能化輔助能力。公司將深度融合物理仿真與數(shù)字建模，打造“智能裝備+原生軟件+定制化服務(wù)”一體化解決方案，持續(xù)鞏固在ALD、IMP及裝備智能化領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

思銳智能在ALD、IMP以及智能化技術(shù)方面的探索與積累，并非單純的技術(shù)突破，而是源于對(duì)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)與客戶需求的深度洞察。未來(lái)，思銳智能將持續(xù)加大研發(fā)投入，聚焦核心技術(shù)迭代升級(jí)，優(yōu)化全譜系裝備的場(chǎng)景適配能力，深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同研發(fā)，全方位支撐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從產(chǎn)能配套向高端技術(shù)引領(lǐng)的長(zhǎng)效轉(zhuǎn)型。