三星近期再次上調(diào)內(nèi)存產(chǎn)品報(bào)價(jià)，在2026年第二季度平均漲價(jià)約30%，而就在此前的2026年第一季度，其內(nèi)存平均價(jià)格同比已經(jīng)實(shí)現(xiàn)約100%的漲幅，顯示出這家行業(yè)巨頭對所謂“DRAM價(jià)格崩盤”論調(diào)并不買賬。來自韓國媒體《電子新聞》的消息稱，三星目前對多類DRAM產(chǎn)品實(shí)施季度環(huán)比約三成的加價(jià)策略，這些產(chǎn)品既包括用于人工智能的高帶寬內(nèi)存（HBM），也涵蓋服務(wù)器、PC以及智能手機(jī)所采用的通用DRAM。

以一個(gè)簡單例子來說明：如果一條三星DRAM在2025年初的價(jià)格為1萬韓元，那么到了2026年第一季度已漲至2萬韓元，如今第二季度則進(jìn)一步升至2.6萬韓元。

在此背景下，市場此前盛傳的“DRAM現(xiàn)貨價(jià)回落將引發(fā)行業(yè)全面崩盤”的觀點(diǎn)，與龍頭廠商的定價(jià)行為形成鮮明反差。近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)格的確出現(xiàn)過溫和下調(diào)，引發(fā)投資者情緒劇烈波動(dòng)，相關(guān)企業(yè)股價(jià)也一度承壓，但包括三星在內(nèi)的主要供應(yīng)商對產(chǎn)能和報(bào)價(jià)依然保持相對克制和堅(jiān)定，反而借機(jī)繼續(xù)推動(dòng)合約價(jià)上行。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，既然三星已率先抬價(jià)，另一家大廠SK海力士以及美國廠商美光也大概率會(huì)跟進(jìn)，將通用DRAM的價(jià)格體系整體推向更高水平，從而刺破“價(jià)格即將崩盤”的市場預(yù)期。

需要指出的是，當(dāng)前價(jià)格承壓的主要是上一代DDR4芯片，其下行更多源于渠道庫存過高被“恐慌性清倉”，而非終端需求系統(tǒng)性塌陷。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的統(tǒng)計(jì)顯示，截至3月底，用于PC的DDR4 8Gb DRAM固定合約價(jià)環(huán)比整體維持持平，尚未出現(xiàn)趨勢性明顯下跌。這意味著，盡管部分舊品被低價(jià)出清，但在合約市場，主流DRAM的議價(jià)權(quán)仍掌握在幾大供應(yīng)商手中，價(jià)格結(jié)構(gòu)尚未瓦解。

在智能手機(jī)領(lǐng)域，內(nèi)存漲價(jià)壓力正進(jìn)一步放大整機(jī)成本問題。分析機(jī)構(gòu)SemiAnalysis的報(bào)告指出，LPDDR5合約價(jià)目前約為每GB 10美元，相較2025年第一季度已經(jīng)實(shí)現(xiàn)約三倍的漲幅，并且預(yù)計(jì)到2027年還將迎來新一輪兩位數(shù)百分比的上調(diào)。與此同時(shí)，智能手機(jī)物料成本結(jié)構(gòu)正被內(nèi)存與閃存快速重塑：以入門級(jí)機(jī)型為例，DRAM成本目前已占整機(jī)物料清單（BOM）的約35%，NAND閃存則貢獻(xiàn)約19%，兩項(xiàng)合計(jì)占比高達(dá)54%，成為壓縮廠商利潤空間的關(guān)鍵因素。

在合約模式方面，三星也在調(diào)整對自家手機(jī)業(yè)務(wù)的供貨策略，以優(yōu)先保障利潤率。報(bào)道提到，三星拒絕了原本足以覆蓋一年以上需求的內(nèi)部DRAM供貨請求，改為采用按季度簽署、為期三個(gè)月的短期合約方式，以便根據(jù)市場行情更靈活地調(diào)整價(jià)格。在AI算力、云計(jì)算以及高端移動(dòng)設(shè)備需求支撐下，三星顯然相信當(dāng)前內(nèi)存市場的供需格局足以支撐其“節(jié)奏性加價(jià)”，而非如部分投資者擔(dān)憂的那樣即將步入全面價(jià)格崩盤周期。