4月3日消息，據(jù)彭博社報道，美國共和黨眾議員邁克爾·鮑姆加特納（Michael Baumgartner）聯(lián)合兩黨議員，于當?shù)貢r間周四向眾議院提出了一項名為《硬體技術(shù)管制多邊協(xié)調(diào)法案》（MATCH Act）的提案，希望強化對荷蘭ASML和日本TEL等盟友國家的半導體設備制造商的對華出口，以進一步遏制中國半導體制造業(yè)的發(fā)展。

美國參議院方面，議員皮特·里基茨（Pete Ricketts）與安迪·金（Andy Kim）也將同步提出配套版本。知情人士稱，面向參議院的“MATCH Act”版本預計將于本月晚些時候推出。

MATCH Act主要內(nèi)容

1、MATCH Act對“受關(guān)注國家”（包括中國）全面禁止出口關(guān)鍵半導體制造設備（SME），具體包括：

①浸沒式深紫外（DUV）光刻設備

目前全球僅荷蘭ASML和日本尼康（Nikon）能生產(chǎn)浸沒式DUV光刻機，這類設備通過多重曝光最高能夠支持7nm制程芯片的制造。

在美國的施壓下，荷蘭政府曾在2023年出臺了有關(guān)先進半導體設備的額外出口管制的新條例，限制了部分先進的浸沒式DUV的對華出口。但ASML得益于此前從荷蘭政府那里所取得的出口許可證，依然在2023年底之前向大多數(shù)的應用于次關(guān)鍵和成熟制程的中國晶圓制造商出口了一系列浸沒式DUV光刻系統(tǒng)，包括NXT:1980Di，以及被禁的NXT:2050i、NXT:2100i高階浸沒式DUV光刻系統(tǒng)等。即便該許可證失效后，其NXT:1980Di依然是可以對華出口的。

②低溫蝕刻設備

低溫蝕刻設備是3D NAND、先進封裝等高深寬比工藝的核心工具。目前在高端刻蝕設備領(lǐng)域主要供應商為美國應用材料和泛林集團，以及日本的TEL。

其中，日本TEL擁有完整的刻蝕產(chǎn)品線。比如其主力刻蝕設備（如用于存儲器生產(chǎn)的超高深孔刻蝕機）在工藝過程中廣泛采用了低溫技術(shù)來控制化學反應、保護光刻膠并實現(xiàn)高深寬比。

2、定向打擊五家中企

MATCH Act 計劃將SMIC（中芯國際）、YMTC（長江存儲）、CXMT（長鑫存儲）、Huahong Group（華虹集團）、Huawei（華為） 五家中企及其子公司和關(guān)聯(lián)企業(yè)列入“受管制設施”，實施全面出口限制。

需要指出的是，在此之前，除CXMT之外，其他四家中企都已經(jīng)被列入“實體清單”。而最新的限制措施則是“實體清單”的升級版，限制更為嚴格，不僅全面禁止出口，還將禁止任何維修服務和技術(shù)支持。

3、強制日荷等盟友在150天內(nèi)對齊出口管制政策

MATCH Act要求日本、荷蘭等盟國在150天內(nèi)，將其對華半導體設備的出口管制措施與美國最新的MATCH Act的出口管制政策對齊。

比如，在設備維護和技術(shù)支持方面，對被列入實體清單的中企，美企一律是被禁止向他們提供維修和技術(shù)支持，非實體清單內(nèi)的企業(yè)則是不受影響的。但是，在美國2022年10月出臺的一系列針對中國大陸的半導體出口管制措施中則有了新的限制，其中一條就要求“美國人”在未取得許可的情況下，不得支持某些在中國境內(nèi)從事半導體制造“設施”開發(fā)或生產(chǎn)集成電路的實體提供支持。

隨后在2023年，荷蘭和日本出臺針對半導體設備的出口管制政策，并未要求禁止對已經(jīng)銷售給中國客戶的被列入限制范圍的設備中斷維修和技術(shù)支持。并且，荷蘭和日本的半導體設備出口管制政策當中，也并未有相應的對本國人的限制條款。因此，荷蘭、日本半導體廠商對其在華銷售的半導體設備一直都是有提供維護和技術(shù)服務的。

如果荷蘭和日本的半導體設備出口管制政策被迫與美國對齊，那么相關(guān)已經(jīng)對華銷售的設備的后期維修和技術(shù)服務將會受到嚴重影響。

為了迫使荷蘭和日本等盟友在150天內(nèi)對齊美國的出口管制政策，MATCH Act還提出，美國商務部應該運用"外國直接產(chǎn)品規(guī)則"（Foreign Direct Product Rule），實施單邊管制，即盟國的企業(yè)所生產(chǎn)的設備只要含有美國的軟件、技術(shù)或零部件，均屬于美國出口管制范圍，直接限制對華出口。

小結(jié)：

MATCH Act的提出，標志著美國對華半導體管制從“單邊施壓”正式邁入“強制多邊對齊”的新階段。其核心邏輯清晰而激進：既然盟友的管制力度不如美國，那就通過立法強壓日荷在150天內(nèi)同步升級，否則動用“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”實施長臂管轄。這意味著，即便ASML和TEL的設備不完全依賴美國技術(shù)，只要含有美國成分，就可能被納入管制范圍——這種做法無異于將美國國內(nèi)法凌駕于全球貿(mào)易規(guī)則之上。

從戰(zhàn)略意圖看，美國此次精準鎖定“光刻+刻蝕”兩大核心設備品類，直指芯片制造的“卡脖子”環(huán)節(jié)。浸沒式DUV是成熟制程向先進制程過渡的關(guān)鍵，低溫蝕刻則是3D NAND、先進封裝等高深寬比工藝的核心工具。兩項設備同時被禁，意圖明顯：延緩中國從成熟制程向先進制程的爬坡速度，同時遏制存儲芯片的產(chǎn)能擴張。

從被點名的五家企業(yè)來看，涵蓋了中國領(lǐng)先的邏輯制造和存儲制造企業(yè)，覆蓋中國半導體制造的戰(zhàn)略支點。更值得警惕的是，MATCH Act要求禁止維修和技術(shù)支持——這意味著已購設備的未來正常運行也可能受影響，殺傷力遠超單純的新設備禁售。

不過，MATCH Act能夠正式成為生效的法案仍面臨多重變數(shù)。

首先是美國內(nèi)部黨派不同派系能否達成一致的意見，美國本土企業(yè)能否坐視自身在華利益受損，美國總統(tǒng)最終是否會簽署這項可能激化中美矛盾，破壞與荷蘭和日本盟友關(guān)系的法案。

其次是荷蘭和日本這兩個盟國能否配合，畢竟他們也需要維護本國企業(yè)的利益，之前的出口管制政策已經(jīng)引發(fā)了一些負面影響。

第三，是執(zhí)行難度?！巴鈬苯赢a(chǎn)品規(guī)則”雖然威力巨大，但過度使用可能引發(fā)全球供應鏈的劇烈震蕩，甚至倒逼非美技術(shù)體系的加速獨立。

對中國半導體產(chǎn)業(yè)而言，MATCH Act若最終通過，那么短期內(nèi)無疑將帶來嚴峻挑戰(zhàn)：先進設備獲取進一步受阻、存量設備維護存疑、成熟產(chǎn)線擴產(chǎn)受限。但長期看，這或?qū)⑦M一步堅定中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的決心。

正如過去幾年的經(jīng)驗所示，“封鎖”往往催生“突圍”——國產(chǎn)刻蝕設備、薄膜沉積設備已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，光刻設備研發(fā)也在加速推進。美國的“鐵幕”，正成為中國半導體產(chǎn)業(yè)真正走向獨立自主的催化劑。

編輯：芯智訊-浪客劍