中國(guó)首款6nm真自研GPU正式發(fā)售

在AWE2026大展上，礪算科技正式開(kāi)啟自研TrueGPU天圖架構(gòu)“渲推一體GPU”產(chǎn)品——Lisuan eXtreme系列顯卡公開(kāi)發(fā)售。此次礪算科技發(fā)售的消費(fèi)級(jí)顯卡名為L(zhǎng)isuan Extreme LX 7G106，配備了12GB GDDR6顯存、192個(gè)紋理單元和96個(gè) ROP單元，F(xiàn)P32吞吐量達(dá)24 TFLOPS，早期基準(zhǔn)測(cè)試表明它的性能與 RTX 4060 相當(dāng)。

據(jù)了解，LX 7G106已全面支持主流API和圖形引擎，包括OpenGL、OpenGL ES、Vulkan、DirectX 12、WHQL、Unity、虛幻引擎（Unreal Engine）等，并適配100+游戲，包括《黑神話：悟空》、《艾爾登法環(huán)》、《賽博朋克》、《荒野大鏢客2》等3A大作，能流暢運(yùn)行《原神》、《永劫無(wú)間》、《DOTA2》等主流網(wǎng)游，實(shí)現(xiàn)當(dāng)下最火大型游戲全覆蓋。

據(jù)官方介紹，礪算7G100系列作為一款全自研高性能圖形GPU，從指令集到計(jì)算核心完全由自主設(shè)計(jì)，基于自研TrueGPU天圖架構(gòu)，并自研指令集、自研軟件棧（非市場(chǎng)中常見(jiàn)的通過(guò)采購(gòu)Imagination等現(xiàn)成IP授權(quán)），多重性能優(yōu)勢(shì)達(dá)到國(guó)際主流、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，完全掌握著GPU架構(gòu)的自主權(quán)。此外，礪算GPU支持NRSS動(dòng)態(tài)優(yōu)化渲染畫(huà)質(zhì)，可對(duì)標(biāo)NVIDIA DLSS和AMD FSR技術(shù)。

性能方面，根據(jù)去年官方公布的成績(jī)來(lái)看，搭載7G100系列GPU的Lisuan eXtreme系列顯卡，《黑神話 悟空》平均FPS＞70（分辨率：1080p 畫(huà)質(zhì)：高）?！豆拍果愑埃喊涤啊返壤峡頓X12游戲在1080p分辨率（最高畫(huà)質(zhì)）下運(yùn)行幀率超過(guò)80 FPS。

同時(shí)，Lisuan eXtreme系列消費(fèi)卡支持Qwen3、Deepseek等大模型本地化部署，近期爆火的OpenClaw（龍蝦）模型同樣游刃有余。

除了LX G7106顯卡之外，礪算科技還發(fā)布了Lisuan eXtreme系列LX Ultra、LX Pro和LX Max三款專業(yè)卡。LX Max配備12GB GDDR6顯存，而LX Pro、LX Ultra則擁有24GB顯存。

全何推出1真+3假內(nèi)存套裝

近日，全何推出了1+1 DDR5 RGB內(nèi)存套裝，以一真一假的組合方案，為追求燈效的玩家提供了一種既省錢(qián)又美觀的過(guò)渡方案。

據(jù)悉，全何此次推出的Manta系列1+1套裝包含兩種規(guī)格：Manta DDR5 XSky為16GB配置，Manta DDR5 XFinity為24GB配置，均支持DDR5-6400 MT/s。每套包含一根真實(shí)內(nèi)存與一根RGB燈效填充模塊，讓玩家以最低成本實(shí)現(xiàn)雙槽對(duì)稱發(fā)光。

玩家后續(xù)甚至可再購(gòu)入兩根RGB假條，升級(jí)為1+3方案，即一根真內(nèi)存配三根假燈條，在保持單通道性能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)四槽全滿的視覺(jué)效果。

首款驍龍8E6 Pro+LPDDR6內(nèi)存旗艦曝光

據(jù)最新爆料，部分安卓廠商已經(jīng)開(kāi)始測(cè)試頂級(jí)的存儲(chǔ)方案，即16GB LPDDR6內(nèi)存配合1TB UFS 5.0閃存。該測(cè)試平臺(tái)基于高通最新的驍龍8 Elite Gen6 Pro處理器。這套頂級(jí)存儲(chǔ)方案僅會(huì)搭載在超大杯機(jī)型上，核心目標(biāo)是對(duì)標(biāo)同期的iPhone 18 Pro系列。有業(yè)內(nèi)人士指出，這套存儲(chǔ)組合的采購(gòu)成本已經(jīng)遠(yuǎn)超驍龍芯片本身，整機(jī)價(jià)格或?qū)⒅苯酉蛉f(wàn)元檔位看齊。

作為主要供應(yīng)商，三星計(jì)劃在今年實(shí)現(xiàn)LPDDR6內(nèi)存的量產(chǎn)。新內(nèi)存采用12納米制程工藝，最高速率可達(dá)10.7Gbps，將大幅提升數(shù)據(jù)的傳輸效率。

此外，新內(nèi)存還配備了動(dòng)態(tài)電源管理系統(tǒng)，能夠根據(jù)實(shí)時(shí)工作負(fù)載智能調(diào)節(jié)功耗。這種設(shè)計(jì)使得整體能效表現(xiàn)相較前代產(chǎn)品提升了約21%，有助于延長(zhǎng)旗艦手機(jī)的續(xù)航時(shí)間。

由于內(nèi)存成本大幅飆升，疊加2nm制程芯片帶來(lái)的高昂代工費(fèi)用，消費(fèi)者若想入手2026年的頂級(jí)旗艦手機(jī)，勢(shì)必要面臨更高的購(gòu)機(jī)預(yù)算，超高端市場(chǎng)的準(zhǔn)入門(mén)檻將進(jìn)一步抬高。

蘋(píng)果下調(diào)中國(guó)應(yīng)用商店傭金率至25%

今天，蘋(píng)果公司發(fā)布公告宣布降低傭金率。蘋(píng)果稱，根據(jù)與中國(guó)監(jiān)管部門(mén)的溝通，Apple將對(duì)中國(guó)的App Store進(jìn)行調(diào)整。自2026年3月15日起，適用于中國(guó)內(nèi)地（大陸）App Store的iOS及iPadOS傭金率將進(jìn)行調(diào)整。

Apple App內(nèi)購(gòu)買(mǎi)及付費(fèi)App的標(biāo)準(zhǔn)傭金率將由目前的30%改為25%。

App Store Small Business Program以及Mini Apps Partner Program項(xiàng)下符合條件的Apple App內(nèi)購(gòu)買(mǎi)傭金率以及第一年后的自動(dòng)續(xù)費(fèi)訂閱傭金率將由目前的15%改為12%。

自3月15日起享受該等傭金率的調(diào)整無(wú)需開(kāi)發(fā)者在此之前簽署新條款。

蘋(píng)果表示：

我們致力于將iOS以及iPadOS打造成為中國(guó)開(kāi)發(fā)者最佳的App生態(tài)系統(tǒng)和巨大的商業(yè)機(jī)會(huì)。

我們承諾對(duì)所有開(kāi)發(fā)者保持公平透明的條款，并始終為在中國(guó)分發(fā)App的開(kāi)發(fā)者們提供不高于其他市場(chǎng)整體費(fèi)率水平的具有競(jìng)爭(zhēng)力的App Store費(fèi)率。

全球芯片代工最新排名公布

日前，調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布了2025年全球TOP10晶圓代工榜單，臺(tái)積電依然是毫無(wú)爭(zhēng)議的第一，份額占了全球70%。

TrendForce指出，2025年全球晶圓代工行業(yè)產(chǎn)值合計(jì)1695億美元，同比增長(zhǎng)了26.3%，不過(guò)今年的情況有些復(fù)雜，上半年有廠商提前備貨的需求，產(chǎn)能保持穩(wěn)定，但下半年受限于存儲(chǔ)芯片漲價(jià)，需求有下降的可能，導(dǎo)致芯片代工行業(yè)的產(chǎn)能有隱憂。

具體來(lái)看，臺(tái)積電以1225.4億美元的營(yíng)收遙遙領(lǐng)先，而且市場(chǎng)占有率還在提升，從2024年的64.4%提升到69.9%，實(shí)際上Q3、Q4季度旺季時(shí)都超過(guò)了70%，今年全年都超過(guò)70%應(yīng)該沒(méi)啥問(wèn)題即便是工藝成熟的28nm，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額也是最多的，全年?duì)I收貢獻(xiàn)85.7億美元，營(yíng)收占比7%。

第二名是三星，營(yíng)收126.34億美元，這是排除了三星芯片自營(yíng)的部分，只算代工部分的業(yè)務(wù)，市場(chǎng)份額7.2%，但三星的地位比2024年是下滑的。三星今年的代工業(yè)務(wù)有可能比較大的進(jìn)步，2nm工藝量產(chǎn)，4nm工藝也穩(wěn)定成熟了，甚至就連多年前的8nm工藝都隨著RTX 3060的重啟有了新訂單。

榜單第三位是中芯國(guó)際，去年全年?duì)I收也有93.3億美元了，同比大漲了16.2%。中芯國(guó)際的優(yōu)勢(shì)很明顯，近年來(lái)國(guó)產(chǎn)替代的需求極速上漲，先進(jìn)工藝產(chǎn)能更是供不應(yīng)求，現(xiàn)在的問(wèn)題是中芯國(guó)際能不能順利擴(kuò)產(chǎn)。

三星推進(jìn)HBM4E開(kāi)發(fā)

上個(gè)月，三星宣布量產(chǎn)HBM4。其結(jié)合了4nm基礎(chǔ)裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm級(jí)別）工藝制造DRAM芯片，從量產(chǎn)初期就實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的良品率和行業(yè)領(lǐng)先性能，無(wú)需額外重新設(shè)計(jì)，確保了三星在早期HBM4市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。在經(jīng)歷了HBM3和HBM3E開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)瓶頸后，三星終于在HBM4看到了趕上領(lǐng)頭羊SK海力士的希望。同時(shí)三星并沒(méi)有放慢速度，已經(jīng)開(kāi)始在下一代HBM4E上發(fā)力。

據(jù)Business Korea報(bào)道，4nm基礎(chǔ)裸片搭配1cnm DRAM芯片讓三星嘗到了甜頭，使其遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于SK海力士用臺(tái)積電5/12nm基礎(chǔ)裸片搭配1bnm DRAM芯片的組合。三星計(jì)劃在HBM4E采用2nm工藝制造基礎(chǔ)裸片，提高能效、散熱管理和面積利用率，進(jìn)一步擴(kuò)大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

目前行業(yè)其他主要參與者逐漸把重點(diǎn)放在了定制型HBM4E上，將其視為下一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。臺(tái)積電打算采用3nm工藝制造下一代基礎(chǔ)裸片，而三星主動(dòng)將基礎(chǔ)裸片提升至2nm工藝，以保持領(lǐng)先。

三星自身?yè)碛写S，比起要尋求臺(tái)積電幫助的SK海力士和美光，預(yù)計(jì)會(huì)從內(nèi)部生產(chǎn)中獲得潛在的成本優(yōu)勢(shì)，而且產(chǎn)能分配上也更為靈活。正是由于基礎(chǔ)裸片轉(zhuǎn)換到代工廠將對(duì)HBM產(chǎn)品帶來(lái)成本壓力，美光推遲到HBM4E才轉(zhuǎn)成臺(tái)積電，目前在HBM4已經(jīng)遇到一些困難。

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