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日前，日本廠商N(yùn)ovel Crystal Technology宣布，開始交付用于下一代功率半導(dǎo)體的150毫米（6英寸）氧化鎵（β-Ga?O?）晶圓樣品，這一動作標(biāo)志著氧化鎵作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料，向規(guī)?；慨a(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。

據(jù)悉，NCT已明確后續(xù)發(fā)展路線：2027年交付150毫米β-Ga?O?外延片樣品，2029年實現(xiàn)全面量產(chǎn)，2035年進(jìn)一步開發(fā)并供應(yīng)200毫米（8英寸）β-Ga?O?晶圓，逐步完善氧化鎵產(chǎn)品矩陣，搶占下一代功率半導(dǎo)體市場先機(jī)。

這一動態(tài)也引發(fā)了業(yè)界對氧化鎵（Ga?O?）材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的再度聚焦。

氧化鎵：第四代半導(dǎo)體的“性價比之王”

Ga2O3，屬于一種單晶材料，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料。

作為備受矚目的下一代功率半導(dǎo)體材料，氧化鎵實際上并非新近發(fā)現(xiàn)的材料，但直到近年，隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)、光伏逆變器等高壓場景對功率器件性能要求的持續(xù)攀升，其卓越的材料特性才被推到聚光燈下。

據(jù)了解，氧化鎵的禁帶寬度高達(dá)4.9eV，遠(yuǎn)超硅材料的1.1eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。這種超寬禁帶特性意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導(dǎo)帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性，特別適合大功率電子器件應(yīng)用。

更引人注目的是其驚人的擊穿場強(qiáng)。研究表明，氧化鎵的理論擊穿場強(qiáng)可達(dá)8MV/cm，是碳化硅和氮化鎵的2倍以上。這意味著在相同耐壓要求下，氧化鎵器件的尺寸可以做得更小，功率密度更高，節(jié)省配套散熱和晶圓面積，進(jìn)一步降低成本。

此外，氧化鎵單晶的生長工藝相對簡單。與需要高溫高壓合成的碳化硅不同，氧化鎵是唯一可以通過低成本“熔體法”生長的寬禁帶半導(dǎo)體，這意味其晶圓成本理論上可逼近藍(lán)寶石甚至硅，大幅降低了生產(chǎn)成本，徹底解決第三代半導(dǎo)體“貴”的痛點，為其未來產(chǎn)業(yè)化鋪平了道路。

這些特性將使氧化鎵在電力電子領(lǐng)域具有革命性優(yōu)勢，這也是其能突破現(xiàn)有SiC、GaN技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵，使其在半導(dǎo)體材料中一度贏得“性價比之王”的美譽(yù)。

值得注意的是，氧化鎵擁有五種不同的晶相，即α、β、γ、δ和ε，這些晶相在特定條件下能夠相互轉(zhuǎn)化。在這五種晶相中，β-Ga2O3在常溫常壓下表現(xiàn)最為穩(wěn)定，具有獨特的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，尤其在功率電子、光電子領(lǐng)域潛力巨大，是當(dāng)前半導(dǎo)體材料研究和應(yīng)用的重點方向。而其他晶相則被視為亞穩(wěn)相。通過調(diào)整溫度條件，這些亞穩(wěn)相可以轉(zhuǎn)化為β-Ga2O3，且此過程在一定條件下可逆，但通常需要施加高壓來實現(xiàn)。

當(dāng)前，在全球范圍內(nèi)，氧化鎵研究和商業(yè)化進(jìn)展正在加速推進(jìn)。

全球競速Ga?O?，搶占先機(jī)

NCT：率先推動氧化鎵邁入“6英寸量產(chǎn)時代”

長期以來，β-Ga?O?晶圓的直徑普遍停留在100毫米（4英寸），無法兼容現(xiàn)有功率器件生產(chǎn)線的大規(guī)模量產(chǎn)需求。為破解這一瓶頸，NCT基于成熟的4英寸晶圓生產(chǎn)工藝，采用EFG法（導(dǎo)模法）成功開發(fā)出150毫米（6英寸）β-Ga?O?晶圓。EFG法利用模具內(nèi)部毛細(xì)孔的虹吸效應(yīng)引導(dǎo)熔體生長，具備長晶速度快、生產(chǎn)效率高、易于實現(xiàn)大尺寸晶體生長等優(yōu)勢，為6英寸晶圓的順利問世提供了核心技術(shù)支撐。

上文提到，NCT宣布正式交付150毫米直徑β-Ga?O?晶圓樣品，這一突破標(biāo)志著氧化鎵材料正式邁入大尺寸量產(chǎn)門檻，為下一代功率半導(dǎo)體的規(guī)模化應(yīng)用鋪平了道路。

回顧其近期發(fā)展歷程能看到，2025年NCT在氧化鎵領(lǐng)域的布局全面提速，器件、外延與晶體生長多點突破。

2025年4月，NCT全球首發(fā)了全氧化鎵基Planar SBD器件，以Research Sample（RS）級產(chǎn)品形式面向科研及早期應(yīng)用提供驗證樣品，并推出兩種電極規(guī)格，滿足多元測試需求，為行業(yè)客戶提供了寶貴的器件評估機(jī)會。

8月，NCT與美國Kyma Technologies達(dá)成合作，共同開發(fā)高質(zhì)量Ga?O?外延片，瞄準(zhǔn)多kV級功率器件的商業(yè)化應(yīng)用。雙方整合襯底生產(chǎn)與外延生長的技術(shù)優(yōu)勢，致力于推動大面積、低缺陷率外延片的產(chǎn)業(yè)化，為電動汽車、可再生能源及航空航天等高壓電力電子市場提供關(guān)鍵材料支撐。

11月，公司推出（011）系列高品質(zhì)外延片，外延厚度從20 μm提升至30 μm，載流子濃度精確控制在2–5×1015 cm?3，缺陷密度降低至5 pcs/cm2，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，為高端功率器件的性能突破奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

12月，在NEDO（日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)）支持的項目中，NCT成功開發(fā)出Drop-fed Growth（DG）法——一種無需昂貴銥坩堝的新型晶體生長技術(shù)。該工藝通過液滴形式連續(xù)供給原料熔液，可將β-Ga?O?襯底的制造成本降低至傳統(tǒng)方法的十分之一，為材料低成本化和產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展邁出關(guān)鍵一步。

基于上述技術(shù)積累，NCT已明確未來幾年的產(chǎn)業(yè)化路線圖：2027年開始交付150毫米β-Ga?O?外延片樣品，為器件開發(fā)提供更完整的材料解決方案；2029年正式啟動全面量產(chǎn)，屆時將引入DG法以顯著降低成本、提升產(chǎn)品競爭力；2035年則計劃開發(fā)并供應(yīng)200毫米（8英寸）β-Ga?O?晶圓，進(jìn)一步對接主流半導(dǎo)體產(chǎn)線，推動氧化鎵材料在更廣泛電力電子場景中的規(guī)?；瘧?yīng)用。

從晶圓尺寸突破到外延品質(zhì)提升，從器件研發(fā)到晶體生長方法革新，NCT的一系列突破證明了氧化鎵并非遙不可及，正以系統(tǒng)性創(chuàng)新持續(xù)鞏固其全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)的龍頭地位。

隨著2026年6英寸晶圓的交付和2029年低成本DG法的實裝，氧化鎵有望在電動汽車、超快充樁及航空航天領(lǐng)域，開啟一個比 SiC 更加節(jié)能、高效的電能新時代，為全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高效率、更低損耗的未來注入了強(qiáng)勁動力。

在NCT加速推進(jìn)氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的同時，全球范圍內(nèi)的氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈布局已進(jìn)入白熱化階段，日本、美國、德國、英國、韓國、中國等多國企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)紛紛發(fā)力，形成了差異化競爭的產(chǎn)業(yè)格局。

日本FLOSFIA：主攻α-Ga?O?技術(shù)路線

作為氧化鎵技術(shù)研發(fā)的先行者，日本呈現(xiàn)出龍頭企業(yè)引領(lǐng)、創(chuàng)新主體多元的蓬勃發(fā)展態(tài)勢。除NCT外，F(xiàn)LOSFIA公司獨辟蹊徑，主攻α-Ga?O?技術(shù)路線，在關(guān)鍵器件領(lǐng)域取得實質(zhì)性突破。

2025年中，該公司率先在α-Ga?O? MOSFET中實現(xiàn)基于p型層結(jié)構(gòu)的常關(guān)型器件運行，并在較高電流條件下完成驗證，突破了長期制約氧化鎵器件實用化的核心結(jié)構(gòu)難題。同年末，F(xiàn)LOSFIA將研發(fā)重心推進(jìn)至量產(chǎn)化層面，完成4英寸晶圓制造技術(shù)驗證，并同步解決了二極管器件在可靠性與一致性方面的關(guān)鍵問題，為后續(xù)產(chǎn)品線穩(wěn)定放量奠定基礎(chǔ)。

日本三菱電機(jī)：國家級戰(zhàn)略驅(qū)動

日本三菱電機(jī)也逐步加大氧化鎵領(lǐng)域的布局力度。

2025年3月，三菱電機(jī)在尖端技術(shù)綜合研究所展示了其氧化鎵材料研發(fā)成果，宣布正式啟動氧化鎵（Ga?O?）材料的研發(fā)工作。據(jù)悉，該氧化鎵材料技術(shù)自2024年6月起已被日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（NEDO）“經(jīng)濟(jì)安全保障重要技術(shù)培養(yǎng)項目/高功率、高效率功率設(shè)備及高頻器件材料技術(shù)開發(fā)”采用，并將在NEDO的支持下持續(xù)推進(jìn)。

此舉不僅彰顯了三菱電機(jī)布局下一代寬禁帶半導(dǎo)體的戰(zhàn)略決心，也進(jìn)一步豐富了日本氧化鎵產(chǎn)業(yè)的布局維度，形成了企業(yè)協(xié)同、政企聯(lián)動的發(fā)展態(tài)勢。

此外，日本京瓷、并木精密寶石等企業(yè)長期深耕EFG法晶體生長技術(shù)，為氧化鎵產(chǎn)業(yè)化提供了重要的技術(shù)支撐，完善了日本氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的細(xì)分環(huán)節(jié)。

美國Gallox：氧化鎵器件的商業(yè)化先鋒

美國則以學(xué)術(shù)孵化與技術(shù)商業(yè)化為核心，依托科研機(jī)構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)的力量，逐步搶占氧化鎵器件商業(yè)化的先機(jī)。

2025年8月，康奈爾大學(xué)孵化的Gallox公司成功入選Activate Fellowship 2025年度項目，這家全球首家將氧化鎵器件商業(yè)化的企業(yè)，其創(chuàng)始人McCandless在康奈爾大學(xué)攻讀博士期間便長期從事氧化鎵半導(dǎo)體相關(guān)研究，具備深厚的技術(shù)積累。相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，氧化鎵在功率器件中具備更低能耗與更高性能潛力，主要面向數(shù)據(jù)中心、無人機(jī)與航空航天、太空技術(shù)以及電動車充電等高功率應(yīng)用場景。

Gallox的成功入選，不僅反映出氧化鎵器件正逐步進(jìn)入工程化與商業(yè)化視野，也凸顯了以學(xué)術(shù)研究為起點的硬科技創(chuàng)業(yè)，已成為先進(jìn)半導(dǎo)體材料落地的重要路徑。

此外，美國空軍研究實驗室與Kyma公司的合作團(tuán)隊早在2023年就成功開發(fā)出耐壓超過2000伏的氧化鎵MOSFET，其性能參數(shù)較傳統(tǒng)器件提升顯著，為美國氧化鎵器件研發(fā)奠定了堅實基礎(chǔ)。

歐洲地區(qū)則以德國、英國為核心，通過科研機(jī)構(gòu)牽頭、企業(yè)協(xié)同發(fā)力，聚焦氧化鎵材料外延與工程化技術(shù)，逐步構(gòu)建起完善的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系。

德國IKZ與NextGO Epi：加速功率半導(dǎo)體應(yīng)用

其中，德國萊布尼茨晶體研究所（IKZ）作為核心科研機(jī)構(gòu)，于2024年9月啟動EFRE項目“G.O.A.L.——功率電子用氧化鎵應(yīng)用實驗室”，并在2025年4月公布最新進(jìn)展。隨著關(guān)鍵設(shè)備與技術(shù)能力的全面部署，該項目的實際價值逐步顯現(xiàn)，聚焦于2英寸晶圓層結(jié)構(gòu)體系建設(shè)，引入AIXTRON工業(yè)級外延設(shè)備，聯(lián)合其他技術(shù)單位協(xié)同推進(jìn)2英寸氧化鎵外延技術(shù)的工程化發(fā)展。

未來，IKZ計劃在歐盟范圍內(nèi)確立其作為氧化鎵外延晶圓研究合作伙伴與材料供應(yīng)節(jié)點的角色，聯(lián)合柏林-勃蘭登堡地區(qū)科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)，推進(jìn)更大尺寸材料與器件的研發(fā)。

在企業(yè)布局方面，2025年5月，由IKZ孵化的NextGO Epi公司在德國柏林正式成立，這家專注于高品質(zhì)β-Ga?O?外延片大規(guī)模制造的企業(yè)，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOVPE）技術(shù)，致力于為電動汽車、軌道交通系統(tǒng)和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施等關(guān)鍵領(lǐng)域，提供具有顯著成本和性能優(yōu)勢的氧化鎵基外延片。

與其他企業(yè)單點技術(shù)突破不同，NextGO Epi聚焦氧化鎵外延這一產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，系統(tǒng)性補(bǔ)齊材料向器件過渡中的能力斷層，從材料側(cè)為氧化鎵進(jìn)入下一代功率電子應(yīng)用提供現(xiàn)實支撐。

此外，德國弗勞恩霍夫研究所開發(fā)的新型異質(zhì)外延技術(shù)，顯著提高了氧化鎵薄膜的質(zhì)量，為高電子遷移率晶體管的研制奠定了基礎(chǔ)，進(jìn)一步完善了德國氧化鎵產(chǎn)業(yè)的技術(shù)布局。

英國CISM：搭建科研平臺，推進(jìn)氧化鎵

研發(fā)落地

英國則以科研平臺建設(shè)為突破口，逐步提升氧化鎵領(lǐng)域的研發(fā)實力。

2025年4月，位于英國南威爾士的斯旺西大學(xué)集成半導(dǎo)體材料中心（CISM），建立了英國首個可在4英寸襯底上生長高質(zhì)量氧化鎵薄膜的平臺。該平臺采用新投入使用的AIXTRON緊密耦合噴淋頭（CCS）沉積系統(tǒng)，由英國工程與自然科學(xué)研究委員會（EPSRC）戰(zhàn)略設(shè)備項目資助270萬英鎊，部署在新建的氧化物與硫?qū)倩颩OCVD實驗室中，目前已成為英國氧化鎵薄膜研究的國家級研發(fā)樞紐，研究方向涵蓋功率電子、深紫外光探測器及透明導(dǎo)電氧化物（TCO）應(yīng)用。

2025年6月，CISM與英國微重力制造企業(yè)Space Forge簽署協(xié)議，后者成為首個入駐的實體企業(yè)，可使用該中心完整的半導(dǎo)體加工和表征設(shè)備，開展微重力環(huán)境下的氧化鎵制造研究。隨著設(shè)備平臺與研究合作的相繼落地，氧化鎵在英國功率電子研究體系中的關(guān)注度持續(xù)提升，其在高性能功率器件中的應(yīng)用前景正被進(jìn)一步挖掘。

韓國PowerCubeSemi：沖刺IPO，

領(lǐng)跑氧化鎵量產(chǎn)賽道

韓國則以產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)與資本市場布局為核心，推動氧化鎵產(chǎn)業(yè)快速落地，試圖從存儲芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢延伸至化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。

據(jù)報道，2025年12月，氧化鎵廠商PowerCubeSemi正加速推進(jìn)上市進(jìn)程，該公司已完成60億韓元的IPO前融資，計劃于2026年在韓國創(chuàng)業(yè)板（KOSDAQ）申請上市。

作為全球首家運營氧化鎵大規(guī)模量產(chǎn)晶圓廠的企業(yè)，PowerCubeSemi已與多家尋求高效功率及射頻解決方案的國際客戶展開合作，其產(chǎn)品憑借氧化鎵在擊穿電壓與能量效率方面的顯著優(yōu)勢，逐步進(jìn)入電動汽車、數(shù)據(jù)中心及國防電子等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。

這一進(jìn)展背后，是韓國政府將下一代半導(dǎo)體材料納入國家級研發(fā)與產(chǎn)業(yè)投資重點的戰(zhàn)略支撐，2026年韓國政府預(yù)算進(jìn)一步擴(kuò)大了對中小企業(yè)和科技企業(yè)的研發(fā)投入，強(qiáng)化合作研究和商業(yè)化項目，而PowerCubeSemi的上市籌備，正是韓國氧化鎵產(chǎn)業(yè)從技術(shù)驗證階段進(jìn)入資本市場承載階段的重要標(biāo)志，為后硅時代的材料路線提供了現(xiàn)實樣本。

中國氧化鎵市場：

全產(chǎn)業(yè)鏈布局與規(guī)模化突破

在國際企業(yè)加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的同時，中國在氧化鎵領(lǐng)域表現(xiàn)出極強(qiáng)的爆發(fā)力，形成了從材料制備、設(shè)備研發(fā)到器件應(yīng)用的全鏈條布局，多個關(guān)鍵技術(shù)實現(xiàn)突破，甚至在大尺寸晶體領(lǐng)域達(dá)到全球領(lǐng)先水平，成為全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)競爭中的重要力量。

襯底材料：大尺寸單晶制備引領(lǐng)全球

襯底是半導(dǎo)體器件的物理基石。2025年，中國企業(yè)在氧化鎵單晶襯底的尺寸突破與質(zhì)量提升上實現(xiàn)了一系列重要進(jìn)展，為產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)奠定了材料基礎(chǔ)。

在核心的晶體生長環(huán)節(jié)，杭州鎵仁半導(dǎo)體作為浙江大學(xué)實驗室孵化企業(yè)，于2025年3月成功制備全球首顆8英寸氧化鎵單晶，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄，且實現(xiàn)了從2英寸到8英寸每年升級一個尺寸的行業(yè)奇跡。該公司采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法，擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，成本低、效率高，其6英寸襯底已實現(xiàn)銷售出貨。2025年10月，鎵仁半導(dǎo)體基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備，采用垂直布里奇曼法（VB法）成功實現(xiàn)了6英寸（010）面氧化鎵晶體生長，且等徑段長度超過40mm。同年12月，再次實現(xiàn)VB法8英寸氧化鎵單晶生長，8英寸等徑長度可達(dá)20mm。

杭州富加鎵業(yè)同樣在單晶制備領(lǐng)域取得重大突破。2025年9月，富加鎵業(yè)采用VB法成功制備出高質(zhì)量的6英寸氧化鎵單晶，其晶體等徑高度超過30mm。同年12月，富加鎵業(yè)聯(lián)合中國科學(xué)院上海光機(jī)所，在國際上首次采用VB法制備出8英寸氧化鎵晶體，刷新國際VB法氧化鎵晶體尺寸紀(jì)錄。相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)模法（EFG），VB法在降低晶體位錯密度方面具有顯著優(yōu)勢，且無需使用貴金屬銥坩堝，大大降低生長成本，是實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的理想路徑。

值得關(guān)注的是，富加鎵業(yè)的“年產(chǎn)10000片大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶襯底項目”已于2026年1月正式完成竣工環(huán)境保護(hù)驗收。這標(biāo)志著富加鎵業(yè)萬片6/8寸產(chǎn)線已完全具備規(guī)模化生產(chǎn)的環(huán)保許可，在國際處于領(lǐng)先地位，為我國氧化鎵產(chǎn)業(yè)化按下“加速鍵”。

在設(shè)備自主研發(fā)方面，中國企業(yè)同樣表現(xiàn)突出。富加鎵業(yè)研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”功能的EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長需求，并獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項、國際授權(quán)專利4項。同時，該公司自行研制的全自動VB晶體生長設(shè)備，在國內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長技術(shù)瓶頸，可根據(jù)客戶需求提供設(shè)備及配套工藝包。鎵仁半導(dǎo)體也全面開放自研的氧化鎵專用VB法長晶設(shè)備銷售，助力產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。

2025年，蘇州鎵和半導(dǎo)體發(fā)布6英寸襯底與紫外芯片，完成全產(chǎn)業(yè)鏈布局，同年獲評高新技術(shù)企業(yè)。

綜合來看，2025年中國在氧化鎵單晶制備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從6英寸到8英寸的快速迭代，并在晶體質(zhì)量、等徑長度等關(guān)鍵指標(biāo)上不斷突破，為后續(xù)產(chǎn)業(yè)化提供了堅實的材料基礎(chǔ)。

外延生長：同質(zhì)與異質(zhì)外延雙突破

外延生長是在半導(dǎo)體襯底上制備高質(zhì)量薄膜的過程。2025年，國內(nèi)企業(yè)在同質(zhì)與異質(zhì)外延領(lǐng)域均取得了顯著成果。

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。同質(zhì)外延方面，采用HVPE技術(shù)成功制備出1-20μm厚度可控的高質(zhì)量氧化鎵外延膜，XRD半高寬僅為36arcsec（全球最佳范圍為30-100arcsec），表面粗糙度Rq低至0.13nm，綜合性能達(dá)到全球領(lǐng)先水平。異質(zhì)外延方面，在藍(lán)寶石襯底上成功實現(xiàn)了高純α相氧化鎵的外延生長，特征峰半高寬僅24.5arcsec，躋身國際第一梯隊。

鎵仁半導(dǎo)體于2025年9月成功實現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。檢測結(jié)果顯示：外延層厚度＞10μm，均勻性優(yōu)異，膜厚方差σ<1%；高分辨XRD搖擺曲線半高寬＜40arcsec；外延層載流子濃度均值為1.8e16cm?3，電學(xué)均勻性良好。

富加鎵業(yè)在氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延方面同樣取得新進(jìn)展，厚膜外延片遷移率達(dá)到181.6 cm2/V·s，相關(guān)6英寸外延片已進(jìn)入器件流片階段。該公司產(chǎn)品線覆蓋2-6英寸等15種常規(guī)性氧化鎵外延片產(chǎn)品，為客戶提供“襯底-外延”一體化解決方案。

鎵創(chuàng)未來作為晉江（西安）離岸創(chuàng)新中心孵化的科技創(chuàng)新企業(yè)，依托西安電子科技大學(xué)國家重點實驗室技術(shù)背景，采用HVPE全制程工藝，在低成本襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量氧化鎵薄膜異質(zhì)外延，關(guān)鍵參數(shù)已達(dá)國際領(lǐng)先水平。

值得一提的是，北京郵電大學(xué)吳真平教授團(tuán)隊聯(lián)合香港理工大學(xué)、南開大學(xué)等單位，利用工業(yè)兼容的MOCVD技術(shù)，成功制備了純相外延氧化鎵薄膜，并實驗驗證了主流寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵的室溫本征鐵電性，標(biāo)志著我國科研人員在寬禁帶半導(dǎo)體鐵電性研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。

鐵電κ-Ga2O3的外延穩(wěn)定與結(jié)構(gòu)表征

這一發(fā)現(xiàn)證實了寬禁帶半導(dǎo)體可以通過特殊的結(jié)構(gòu)相變實現(xiàn)鐵電功能，為利用單一材料平臺同時滿足高功率、高耐壓以及非易失性存儲的需求開辟了新路徑。

器件創(chuàng)新：從結(jié)構(gòu)設(shè)計到性能飛躍

在材料與工藝突破的支撐下，2025年至2026年初，中國科研團(tuán)隊在氧化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與性能提升上成果頻出。

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺開發(fā)了多鰭通道歐姆接觸陽極β-氧化鎵二極管，實現(xiàn)超低漏電的千伏級擊穿電壓；同時研制出高性能增強(qiáng)型垂直β-氧化鎵多鰭晶體管，創(chuàng)下4.3mΩ·cm2最低比導(dǎo)通電阻紀(jì)錄，為高溫高壓應(yīng)用場景提供了全新解決方案。

多鰭通道二極管——打破傳統(tǒng)垂直結(jié)構(gòu)限制

圖(a) 多鰭通道β-Ga?O?二極管的示意圖，(b) 器件的關(guān)鍵工藝步驟，(c)鰭干法蝕刻后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像， (d) 鰭寬400 nm二極管 SEM橫截面圖像

增強(qiáng)型垂直晶體管——破解"常開"難題

圖(a) 多鰭通道 β-Ga?O? FinFET示意圖，（b）鰭寬300 nm二極管 SEM 橫截面圖像

圖源：中國科學(xué)院蘇州納米所

在超高壓應(yīng)用領(lǐng)域，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊成功研制出基于氧化鎵/碳化硅異質(zhì)結(jié)的超高壓肖特基勢壘二極管，將擊穿電壓提升至8kV以上，并已在電網(wǎng)輸變電模擬環(huán)境中通過初步可靠性測試。此外，郝躍院士、張進(jìn)成教授、周弘教授領(lǐng)銜的研究團(tuán)隊攜手華潤微電子，在《中國科學(xué)：信息科學(xué)》發(fā)表重要研究成果，采用p-Cr?O?/n-Ga?O?異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，成功實現(xiàn)單芯片二極管100A電流輸出，創(chuàng)造了面積大于1mm2的氧化鎵器件功率優(yōu)值新紀(jì)錄，標(biāo)志著氧化鎵材料已具備進(jìn)入大型電力電子裝備領(lǐng)域的核心實力。

深圳平湖實驗室第四代半導(dǎo)體團(tuán)隊于2026年初在氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)器件研究方面取得重要進(jìn)展，成功研制出具備萬伏級耐壓能力的垂直結(jié)構(gòu)光導(dǎo)開關(guān)器件，開啟響應(yīng)時間進(jìn)入亞納秒量級，標(biāo)志著我國在高性能光控功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得顯著進(jìn)展。

基于富加鎵業(yè)提供的高質(zhì)量MOCVD厚膜外延片，福州大學(xué)團(tuán)隊成功制備出高性能氧化鎵垂直型功率肖特基二極管，在公開發(fā)表的基于MOCVD外延制備的功率肖特基二極管中，PFOM性能達(dá)到國際最優(yōu)（3.07 GW/cm2）。

散熱突破：氧化鎵與金剛石成功“牽手”

氧化鎵雖然應(yīng)用前景廣闊，但其導(dǎo)熱能力只有硅材料的1/5，散熱性差是制約器件性能的關(guān)鍵痛點。

對此，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊的張進(jìn)成、寧靜教授巧妙引入石墨烯作為緩沖層，讓氧化鎵與“導(dǎo)熱王者”金剛石成功“牽手”，解決了散熱難題。相關(guān)研究成果發(fā)表于《自然-通訊》。

據(jù)了解，研究團(tuán)隊引入“石墨烯”作為中間緩沖層，解決了兩種材料之間的“溝通障礙”，使得氧化鎵薄膜能夠平整高質(zhì)量地生長在多晶金剛石上。實驗測得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82 m2·K/GW，僅為傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右。

高導(dǎo)熱金剛石基氧化鎵外延薄膜及調(diào)控模型

這項突破為解決氧化鎵器件發(fā)熱問題提供了全新思路，也為未來高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

產(chǎn)業(yè)協(xié)同：構(gòu)建開放創(chuàng)新生態(tài)

中國企業(yè)不僅在技術(shù)上取得突破，更在產(chǎn)業(yè)協(xié)同方面積極布局。富加鎵業(yè)與德國NextGO Epi達(dá)成全球戰(zhàn)略合作，推動中歐氧化鎵產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。鎵仁半導(dǎo)體也與NextGO Epi開展合作，聚焦氧化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化協(xié)同。

總體來看，中國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從單晶生長、外延制備到器件研發(fā)、設(shè)備制造的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，在大尺寸晶體、自主技術(shù)、器件性能等方面優(yōu)勢明顯。隨著富加鎵業(yè)萬片產(chǎn)線投產(chǎn)、鎵仁半導(dǎo)體8英寸單晶突破等里程碑事件接連落地，中國正推動氧化鎵從實驗室走向規(guī)?；瘧?yīng)用。

憑借優(yōu)異的性能和產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢，氧化鎵在新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊、深紫外探測等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，中國在全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)競爭中正占據(jù)越來越有利的地位。

未來，中國將以上述企業(yè)和科研季候為代表，持續(xù)放大襯底尺寸、自主工藝、萬片級產(chǎn)能、器件性能優(yōu)勢，推動氧化鎵從實驗室走向大規(guī)模商用，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控與全球能源產(chǎn)業(yè)升級提供核心支撐。

全球競合，Ga?O?從實驗室

走向規(guī)模化量產(chǎn)

綜合來看，在全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)格局中，多極競爭與差異化發(fā)展已成為鮮明特征。各國依據(jù)自身產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)與戰(zhàn)略需求，走出了各具特色的發(fā)展路徑。

日本憑借二十余年的技術(shù)積淀穩(wěn)居領(lǐng)跑地位。以NCT、FLOSFIA為代表的企業(yè)在晶圓尺寸升級、器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新及成本控制技術(shù)上持續(xù)突破，形成了從材料到器件的完整專利布局。尤其是NCT近期交付150毫米晶圓樣品，標(biāo)志著日本在大尺寸量產(chǎn)化進(jìn)程中再次卡位關(guān)鍵節(jié)點。

中國展現(xiàn)出強(qiáng)勁的追趕勢頭與系統(tǒng)化布局能力。從鎵仁半導(dǎo)體全球首發(fā)8英寸單晶，到富加鎵業(yè)萬片產(chǎn)線投產(chǎn)，中國在襯底尺寸迭代、自主技術(shù)研發(fā)及全鏈條整合上已形成獨特優(yōu)勢。北京郵電大學(xué)在氧化鎵鐵電性領(lǐng)域的突破，更為材料功能拓展開辟了新空間。中國正以“全鏈協(xié)同+快速迭代”的模式，加速從技術(shù)追趕到產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)的跨越。

歐洲以科研機(jī)構(gòu)為核心構(gòu)建技術(shù)底座。德國IKZ、NextGO Epi與英國斯旺西大學(xué)CISM聚焦外延技術(shù)與平臺建設(shè)，通過產(chǎn)學(xué)研協(xié)同補(bǔ)齊材料向器件轉(zhuǎn)化的能力斷層，并在中歐產(chǎn)業(yè)合作中扮演重要節(jié)點角色。

美國以國防需求為牽引，推動高頻高功率器件研發(fā)與商業(yè)化落地。Gallox等創(chuàng)業(yè)公司依托學(xué)術(shù)孵化機(jī)制，將基礎(chǔ)研究快速轉(zhuǎn)化為工程產(chǎn)品，同時在戰(zhàn)略材料自主保障上持續(xù)投入。

韓國則借助資本市場加速產(chǎn)業(yè)化。PowerCubeSemi的上市進(jìn)程表明，氧化鎵已進(jìn)入可被資本定價的產(chǎn)業(yè)階段，為后硅時代的材料路線提供現(xiàn)實樣本。

從技術(shù)路線看，β-Ga?O?以其穩(wěn)定性成為主流，而α相路線也為差異化競爭提供可能。在晶體生長方法上，EFG法、VB法、DG法等多元技術(shù)路線并存，成本控制與尺寸升級正成為競爭焦點。

隨著NCT交付150毫米晶圓樣品、中國實現(xiàn)8英寸單晶突破、富加鎵業(yè)萬片產(chǎn)線投產(chǎn)等里程碑事件接連落地，氧化鎵正從實驗室研發(fā)邁向量產(chǎn)驗證的新階段。盡管在良率提升、成本優(yōu)化及長期可靠性等方面仍面臨工程挑戰(zhàn)，但持續(xù)涌現(xiàn)的技術(shù)成果正不斷夯實其應(yīng)用基礎(chǔ)。

展望未來，隨著生態(tài)鏈的完善與產(chǎn)線的逐步建立，氧化鎵有望在新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源及深紫外探測等領(lǐng)域開辟全新市場空間。全球范圍內(nèi)的持續(xù)投入與協(xié)同推進(jìn)，正使這一“潛力材料”加速走向工程應(yīng)用，為第四代半導(dǎo)體技術(shù)突破注入強(qiáng)勁動力。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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