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文章來源：甲子光年微信公眾號（ID：jazzyear）
作者：王藝

在深圳華強北，存儲芯片已成為新的硬通貨。

從去年年中開始，存儲芯片價格一路上漲，部分型號存儲芯片價格已上漲十多倍。

但更讓存儲芯片買家焦慮的是，三星、美光、SK海力士三大存儲原廠的代理商出貨非常謹慎，只賣給大客戶，中小客戶根本買不到存儲芯片。

啟哥（化名）在芯片行業(yè)從業(yè)多年，他對「甲子光年」抱怨：“能流到市場上面來的量本來就很小。最受傷的是那些小廠，他們沒有穩(wěn)定的貨源，只能被別人剝削。你想買芯片，代理商不報價，你能拿他有什么辦法？”

在終端市場，這種變化被迅速放大：PC廠商開始上調整機價格，部分筆記本電腦提價500~1500元；手機廠商悄然調整存儲配置，以對沖成本壓力；而中小模組廠和渠道商，則在“隨時斷供”的不確定性中，被迫提前囤貨。

而存儲芯片價格的快速上漲，正在通過產業(yè)鏈傳導機制，間接影響到晶圓代工廠的訂單結構與產能安排，中芯國際正是這一結構性變化中的“被波及者”，盡管他們并不直接生成存儲芯片。

2月11日上午，中芯國際聯合CEO趙海軍在2025年第四季度業(yè)績說明會現場表示，目前中低端訂單減少，是因為AI對存儲芯片的強勁需求，擠壓了手機等其他應用領域能拿到的存儲芯片供應，從而導致中芯國際這樣的晶圓廠收到的中低端訂單減少。他還對客戶發(fā)出呼吁：“不要太悲觀，不要現在砍太多的單子。”

表面上，這似乎是一場由AI引發(fā)的存儲芯片需求爆發(fā)，但是「甲子光年」近期走訪產業(yè)鏈上下游多方發(fā)現，一個更尖銳的問題正在浮現：當最基礎、最通用的存儲芯片都開始短缺，這究竟是AI時代的真實需求，還是一場被供給策略與市場預期共同放大的“人為緊張”？

存儲芯片荒，并不僅僅是“缺貨”這么簡單。

01存儲原廠：惜售理直氣壯

存儲產業(yè)鏈里至少存在三層不同的價格體系：存儲芯片、模組/成品、終端整機。模組、整機的漲幅往往與芯片不對稱，因為終端廠商會通過“降配”或“減少促銷”來消化成本。因此，理解這輪危機的核心，必須直擊底層的芯片。

「甲子光年」整理了2025年4月到2026年2月存儲芯片價格變動情況。以DDR4 16Gb(2GX8)3200存儲芯片價格為例，2025年6月還是單顆6.2美元，半年過后漲到了50.1美元，到了今年2月已經逼近77美元。

2025年4月-2026年2月存儲芯片現貨價格變動，「甲子光年」制圖

「甲子光年」了解到，韓系兩大存儲芯片原廠（三星、SK海力士）惜售心態(tài)空前強烈，不但不愿意簽定價長約，連大客戶也只能拿到部分配額。這兩大原廠還將原來的季度合約改成了“月調價”模式，并采取更嚴格的供給管理策略，包括加強配額制，并優(yōu)先滿足AI客戶與企業(yè)級高毛利產品等。

如果只從結果看，過去一年里，存儲芯片原廠做了三件高度一致的事：漲價、減產、優(yōu)先高端客戶。

在下游看來，這是一種“趁行情收割”的行為，但從原廠自身的經營邏輯出發(fā)，這更像是一場經過計算的供給重構。

對存儲原廠來說，這一輪行情的起點并不是價格，而是需求結構的改變。

AI服務器對存儲的消耗方式，與過去完全不同。隨著AI推理需求爆發(fā)式增長，HBM（高帶寬內存）、GDDR（GPU專用內存）、DDR5等高端存儲的需求被迅速拉高。2025年，三大原廠相繼宣布相繼宣布DDR4停產或減產，將資本開支與資源全力向HBM和DDR5傾斜，HBM也在2025年給三大原廠貢獻了絕大部分收入。

2024 Q3-2025 Q3三大原廠HBM營收市場占比，圖片來源：Counterpoint

這些高端存儲芯片的價格，理論上遠高于消費級存儲芯片，但是由于產能急劇減少而舊平臺仍有需求，DDR4在過去半年出現了罕見的“價格倒掛”現象，有時甚至比DDR5更貴。

但是三大原廠還是堅持把核心產能都放在了高端存儲芯片上。2025年，HBM市場規(guī)模實現爆發(fā)式增長，相關產品價格上漲超30%，三星、SK海力士等廠商的HBM產能已基本售罄，呈現“一芯難求”的局面。以SK海力士向英偉達供應的一顆24GB HBM3E堆棧為例，價格約370美元，一張高端GPU通常需要六顆，而下一代HBM4的單顆價格甚至被預期將突破500美元。

一位頭部云服務商的服務器采購負責人告訴「甲子光年」：“只要GPU出貨，我們就必須同步拉HBM。問題是GPU的供應鏈節(jié)奏不穩(wěn)定，導致我們不得不提前備貨?！?/p>

在如此巨大的利潤差距面前，原廠自然會優(yōu)先將先進制程、設備與工程資源集中投向HBM生產，傳統存儲芯片產能被壓縮，甚至直接退出產線，也就成了理性選擇，所以原廠的“惜售”并不是一個情緒化動作。

這意味著，通用存儲的需求并沒有消失，而是在產能分配上被迫讓位。

當產能已經被高端產品鎖定、庫存又處于低位時，如果原廠繼續(xù)向非核心客戶放量，只會帶來兩種結果：拉低平均銷售價格，削弱未來幾個季度的定價主動權。

在行業(yè)中，平均銷售價格是存儲原廠衡量產品結構與議價能力的核心指標。當平均銷售價格持續(xù)上移，意味著原廠正在從“賣更多芯片”，轉向“經營稀缺性”。

那么三大存儲原廠的話語權那么強嗎？既然DDR4是傳統成熟產品，三大原廠之外的廠商能不能迅速補產？

這兩個問題答案是：超強，很難。

存儲不是一個充分競爭市場，而是一個高度寡頭化的市場，三大原廠合計占據超過九成供給份額，尤其在高端DRAM（HBM/DDR5）市場中接近100%。

存儲芯片對制程要求極高，資本開支巨大，良率爬坡難，技術積累周期長，雖然也有其他廠商可以生產DDR4存儲芯片，但是目前市場認可度較低，產能也很難短期跟上。

中國臺灣存儲企業(yè)鈺創(chuàng)董事長盧超群近日出席媒體會時表示，當前DRAM最大的問題不在需求，而是“沒有新產能”。這并不是存儲原廠不想擴產，而是客觀條件所限制。DRAM廠的建設周期本來就比邏輯晶圓廠更長。一座邏輯晶圓廠從動工到對營收產生實質貢獻，大約需要四到五年，而DRAM廠往往要六年以上。等到產能真正開出來，市場早已缺貨多時。

當三大原廠將產能主動轉向高端存儲產品時，全球通用存儲的供給便出現斷層式收縮。在庫存處于歷史低位的背景下，這種結構性減產足以迅速引發(fā)價格失衡。

02代理商和渠道商：炮制漲價循環(huán)

“這一輪漲價中，真實需求只占40％，另外60％是‘被惡意控制的泡沫’。”

鄧欣（化名）是一位來自中國臺灣的芯片專家，有著十余年的芯片從業(yè)經驗，現任某國內半導體設備公司研發(fā)總監(jiān)，他提到的“被惡意控制的泡沫”就是目前存儲芯片市場中被人為操縱的價格亂象。他直言不諱地告訴「甲子光年」：“他們（原廠）故意去塑造一個所有提供廠商都非常謹慎處理產能的氛圍，故意把產能壓下來，然后塑造一個‘客戶必須來跟我們買、必須來囤貨’的局面?！?/p>

甚至出現了“配給制”。

某存儲芯片原廠銷售對芯片行業(yè)媒體“芯師爺”表示：“我們現在不是賣芯片，是‘配給制’，老客戶只能拿到三成貨，新客戶連門都摸不著，想拿貨得排隊等半年。”

三星某代理商銷售負責人徐平（化名）對「甲子光年」透露，現在的存儲市場存在“三層價格結構”：

• 原廠價格：基準價，只有頭部云廠商和授權代理商能拿到。

• 代理商價格：在原廠價基礎上加價10%-30%，供應給長期合作的優(yōu)質客戶。

• 貿易商價格：在代理商價格基礎上再翻1-2倍，這是中小企業(yè)不得不接受的“市場價”。

徐平表示，80％的代理商都會“壓貨”等漲價。

“原廠會給我們預期，會提前跟我們說供需情況，說會缺貨、會漲價。有些代理商老板聽到之后，第二天開始就說‘沒貨了’，等下個月價漲了再出貨。”他告訴「甲子光年」，一些代理商會保持至少一個季度（300萬顆）的庫存量，“他出了300萬顆給終端，又從原廠進300萬顆庫存，就這樣循環(huán)?！?/p>

啟哥則告訴「甲子光年」，中間的分銷商、代理商囤貨炒貨，正是這段時間佰維存儲、江波龍被資本市場熱炒的原因。

「甲子光年」綜合多方描述，梳理出了存儲芯片漲價鏈路：

1. 原廠策略收縮：原廠惜售 → 代理商預期漲價 → 代理商囤貨

2. 渠道層層加碼：貿易商跟風囤貨 → 市場貨源極度緊張 → 現貨流通率下降

3. 需求被人為放大：下游恐慌性備貨 → 重復下單鎖貨 → 需求虛高

4. 價格反饋機制：訂單遠超產能 → 原廠漲價理由充分 → 新一輪漲價開啟

存儲芯片價格螺旋上升循環(huán)， 「甲子光年」制圖

作為被存儲芯片漲價波及的中芯國際，其聯合CEO趙海軍近期站在外部視角提到，通道商（渠道商）看到存儲芯片漲價且供應緊張，出于“危機感”開始囤積貨源。這種囤貨行為進一步加劇了終端廠商的“缺芯”困境，導致他們不敢在當前下達大量出貨訂單。

他形象地比喻說，這種效應如同一個人為了買一張緊缺的機票，會同時向多家航空公司發(fā)出詢問，造成了需求虛高的假象，而一旦供應恢復，真實需求就會顯現。

03周期：供需失衡被低庫存杠桿放大

美國橡樹資本管理有限公司創(chuàng)始人、知名投資人霍華德·馬克斯（Howard Marks）在《周期》一書中寫道：“市場的漲跌只是一時的，不可能一直如此，上漲之后必有下跌，下跌之后必有上漲，認識到市場波動必有周期對投資至關重要?！?/p>

過去幾年的存儲芯片市場行情是一條循環(huán)往復的波浪線：2011年低價、2013年大漲、2015年回落、2017年狂飆、2019年劃入低谷。

2008-2022年存儲芯片平均銷售價格變動周期圖，數據來源：Trendforce，制圖：Bloomberg

與2017年那場轟轟烈烈的漲價周期相比，這一輪存儲芯片的漲價潮有許多共同點：價格上漲的節(jié)奏幾乎一致，都是快速、連續(xù)、幾乎無回調的上漲。

但是周期不會相同只會相似：歷史不會重演過去的細節(jié)，歷史卻會重復相似的過程。

對比2017年的存儲芯片漲價潮，「甲子光年」發(fā)現，過去存儲廠商的核心目標是快速擴產、拉高市占率，而在當前周期中，更重要的指標變成了產品結構、客戶結構和長期議價權。

2017年與2025年存儲漲價潮核心差異對比，「甲子光年」制圖

在這種狀態(tài)下，存儲芯片原廠不需要通過“試探性漲價”測試需求彈性，價格上漲不再是博弈，而是順勢而為。

在經歷2022~2023年的行業(yè)寒冬后，三大存儲芯片原廠的庫存已經被壓縮到歷史低位，DRAM和NAND的庫存周轉周期，已明顯低于長期健康區(qū)間，這導致供需失衡在“低庫存杠桿”下被放大了。

有存儲市場業(yè)內人士表示，目前三大原廠的HBM產能被預定至2027年，新建產線2027下半年才釋放；DRAM 2026-2027年的產能已被英偉達、北美云廠商全額預訂；HDD的交期也延至52周。此外，當前DRAM庫存量僅為1.5個月，而正常水平應為2-2.5個月； NAND庫存量更低，僅為1個月左右。

存儲產品原廠、渠道、模組廠及細分品類庫存，數據來源：某一級市場人士，「甲子光年」整理制圖

相較于2017年，這一輪存儲漲價周期的技術門檻也更高。2017年DRAM制程進入1Xnm階段、產能增長有限，且2D NAND向3D NAND過度的技術爬坡期良率低，是技術不達標、制程升級陣痛導致的存儲產品缺貨。

而2025年DRAM制程進入了1βnm/1γnm、HBM3/4、DDR5/LPDDR5X等產品成為主流，NAND也實現了200層以上的堆疊，更多是異構計算催生高端存儲品類爆發(fā)導致的結構性缺貨。

那么，這場瘋狂的超級周期會到什么時候？

從各大研究機構的短期預測來看，2026年上半年，存儲芯片的價格仍將處于劇烈的上行區(qū)間。TrendForce上調了DRAM/NAND合約漲幅預測，Counterpoint甚至用“violent price rally（暴烈的價格反彈）”來形容2026年第一季度的行情，預計DRAM等將上漲80%-90%。

此外，新建晶圓廠的周期漫長。一座DRAM廠從動工到量產往往需要六年以上，且當前全球潔凈室建設面臨“需求激增、供給不足”的困境，進一步拖慢了產能釋放的步伐。

展望行業(yè)發(fā)展趨勢，「甲子光年」分析：存儲價格上漲核心周期將持續(xù)至2026年底，產業(yè)高景氣度則至少延續(xù)至2027年，在AI帶動下，HBM賽道要到2028年初才可能迎來價格拐點。

這樣看來，啟哥還將被存儲芯片荒和漲價潮影響一段時間，現在不正常的市場情況已經讓他產生了種種猜測，他執(zhí)著地認為：“存儲原廠的產能并沒有拉滿。他們明明有能力多生產，但為了保利潤率，就是不肯多生產，就是愿意賣更貴的價格。”

但無論如何，只要存儲芯片原廠保持“饑餓營銷”，只要AI的故事還能講下去，華強北的內存“黑金條”生意就不會停歇。

*應受訪人要求，啟哥、鄧欣、徐平為化名

我是芯片超人花姐，入行20年，經手10億+RMB芯片采購。

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