2026年1月25日，印度國(guó)防研究和發(fā)展組織對(duì)外公布了國(guó)產(chǎn)氮化鎵雷達(dá)芯片的成果，這一步讓印度加入了掌握這種技術(shù)的少數(shù)國(guó)家行列。過(guò)去，印度試圖從法國(guó)獲取類(lèi)似技術(shù)時(shí)遇到了拒絕，轉(zhuǎn)讓沒(méi)能實(shí)現(xiàn)。那時(shí)候，法國(guó)陣風(fēng)戰(zhàn)斗機(jī)的相關(guān)組件成了卡住的點(diǎn)，印度只能轉(zhuǎn)向本土路徑。

公告出來(lái)后，印度方面強(qiáng)調(diào)這是國(guó)防自力更生的體現(xiàn)，芯片能處理高溫環(huán)境下的信號(hào)，適用于雷達(dá)系統(tǒng)。實(shí)際過(guò)程里，芯片的原材料環(huán)節(jié)暴露了外部依賴(lài)，特別是鎵這種元素，從鋁加工中獲取，而印度的鋁產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)有不少外部輸入。

鋁產(chǎn)業(yè)在印度過(guò)去十五年里擴(kuò)展明顯，韋丹塔和巴拉特鋁業(yè)這些企業(yè)成了支柱。他們引進(jìn)了電解槽技術(shù)和廠區(qū)設(shè)計(jì)方案，這些大多來(lái)自中國(guó)沈陽(yáng)或貴陽(yáng)的鋁鎂設(shè)計(jì)院。預(yù)焙電解槽的引入改變了生產(chǎn)方式，印度工廠從基礎(chǔ)建設(shè)起步，逐步形成了規(guī)模。

技術(shù)轉(zhuǎn)移包括自動(dòng)化控制系統(tǒng)的安裝，這讓鋁產(chǎn)量提升，也順帶增加了副產(chǎn)品鎵的可用量。沒(méi)有這些基礎(chǔ)，印度在化合物半導(dǎo)體上的探索會(huì)慢很多。鎵作為氮化鎵的核心部分，直接影響芯片的性能，印度從殘?jiān)刑釤挼倪^(guò)程依賴(lài)于電解環(huán)節(jié)的穩(wěn)定。

中國(guó)在全球鎵市場(chǎng)占主導(dǎo)，出口政策調(diào)整一度讓供應(yīng)波動(dòng)大。2023年左右，印度感受到壓力，開(kāi)始推動(dòng)全鏈條自研，從原材料到成品的閉環(huán)。單片微波集成電路在2023年取得進(jìn)展，這是芯片突破的前置步驟。

印度實(shí)驗(yàn)室協(xié)調(diào)德里和海得拉巴的資源，處理從生長(zhǎng)到測(cè)試的環(huán)節(jié)。氣體純化和反應(yīng)設(shè)備雖有歐美限制，但基礎(chǔ)材料的自給率上去了。中國(guó)的技術(shù)輸出像搭梯子，印度踩著上去，完成了國(guó)防原材料的初步自足。

氮化鎵技術(shù)在中國(guó)從軍用到民用的轉(zhuǎn)變，也給印度提供了借鑒路徑。充電頭和5G基站的商業(yè)應(yīng)用，讓相關(guān)工藝變得常見(jiàn)，印度能觀察到規(guī)模生產(chǎn)的模式。

這不是直接復(fù)制，而是參考了低門(mén)檻的環(huán)境，加速了本土算法的優(yōu)化。印度在芯片集成上花了力氣，驗(yàn)證了高溫下的穩(wěn)定性，公告前完成了多項(xiàng)測(cè)試。背后的鏈條顯示，印度突破離不開(kāi)全球分工，中國(guó)在重工業(yè)輸出上的角色關(guān)鍵。

韋丹塔的廠區(qū)改造體現(xiàn)了這種綁定，他們從中國(guó)獲取整廠方案，安裝后優(yōu)化了電解流程。巴拉特鋁業(yè)也類(lèi)似，自動(dòng)化系統(tǒng)讓操作更高效，副產(chǎn)品提取成了常態(tài)。印度鋁土礦資源豐富，但加工技術(shù)起步晚，外部方案填補(bǔ)了空白。結(jié)果是，鎵供應(yīng)不再完全靠進(jìn)口，國(guó)防項(xiàng)目有了后盾。2026年1月25日的公布，標(biāo)志著雷達(dá)芯片從實(shí)驗(yàn)室走向應(yīng)用，印度國(guó)防系統(tǒng)開(kāi)始整合。

中國(guó)輸出這些技術(shù)時(shí)，換來(lái)了外匯和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的空間。印度吸收后，形成了閉環(huán)，避免了完全依賴(lài)。雷達(dá)信號(hào)的處理能力提升，源于材料基礎(chǔ)的穩(wěn)固。中國(guó)工程師在印度現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試設(shè)備，確保系統(tǒng)運(yùn)行，這部分貢獻(xiàn)雖不張揚(yáng)，卻實(shí)打?qū)嵧苿?dòng)了進(jìn)程。印度政界喊脫鉤的聲音有，但實(shí)際鏈條深嵌，閱兵式上的設(shè)備閃爍時(shí)，隱含了這種脈絡(luò)。

過(guò)去十五年，印度鋁產(chǎn)業(yè)從依賴(lài)進(jìn)口轉(zhuǎn)向本土生產(chǎn)，技術(shù)輸入是轉(zhuǎn)折點(diǎn)。沈陽(yáng)設(shè)計(jì)院的方案覆蓋了槽體到控制的全套，印度企業(yè)逐步掌握。貴陽(yáng)的貢獻(xiàn)在自動(dòng)化上突出，讓能源利用更合理。鎵價(jià)波動(dòng)后，印度加大投入，實(shí)驗(yàn)室從純化起步，到生長(zhǎng)層堆積的實(shí)驗(yàn)循環(huán)。2023年的微波電路進(jìn)展，讓后續(xù)集成順暢。德里實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)主要生長(zhǎng)，海得拉巴處理測(cè)試驗(yàn)證，確保性能一致。

中國(guó)民用領(lǐng)域的擴(kuò)展，像快充和基站，展示了氮化鎵的實(shí)用性。印度團(tuán)隊(duì)從中看到路徑，調(diào)整了本土工藝，避免了從零摸索的彎路。芯片的組裝線上，連接和高溫測(cè)試成了重點(diǎn)，公告前確認(rèn)了可靠性。國(guó)防自力更生的標(biāo)簽下，原材料鏈的外部支撐明顯。中國(guó)作為工業(yè)母機(jī)輸出國(guó)，提供了成熟方案，印度撿到了關(guān)鍵拼圖。

鋁電解技術(shù)的轉(zhuǎn)移，不是一蹴而就，印度工廠從安裝到調(diào)試花了時(shí)間。預(yù)焙槽的運(yùn)行穩(wěn)定后，產(chǎn)量上臺(tái)階，副產(chǎn)品成了寶貴資源。鎵提取從殘?jiān)蛛x開(kāi)始，純化步驟逐步完善。印度在化合物半導(dǎo)體上的投入，源于這種基礎(chǔ)。2026年1月25日，組織公布時(shí)，強(qiáng)調(diào)了本土算法的角色，但材料底座的貢獻(xiàn)不可忽略。

全球鎵市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)，中國(guó)調(diào)整出口后，印度自研加速。實(shí)驗(yàn)室增加實(shí)驗(yàn)批次，從氣體注入到層厚控制的優(yōu)化。海得拉巴的集成工作，連接了芯片到模塊的環(huán)節(jié)。德里協(xié)調(diào)資源，確保同步。技術(shù)雜交的產(chǎn)物，結(jié)合了本土努力和外部輸入。中國(guó)在壓力下的賦能，讓印度硬著頭皮往前走。