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由于化合物半導(dǎo)體在功率、射頻和光子學(xué)方面具有明顯的性能優(yōu)勢，因此其發(fā)展勢頭持續(xù)強勁。

在2026年的展望中，襯底和開放式外延片層面的增長情況進行了重新評估，盡管短期內(nèi)面臨價格壓力和應(yīng)用時機調(diào)整，但n型SiC和InP仍將引領(lǐng)強勁的長期增長。預(yù)計CS襯底市場總額將從2025年的12.9億美元增長到2031年的27.9億美元（年復(fù)合增長率14%），而開放式外延片市場將從11億美元增長到23.9億美元（年復(fù)合增長率14%）。

功率應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，其中n型碳化硅(SiC)憑借電動汽車電氣化、800V架構(gòu)以及8英寸晶圓的加速普及而推動增長，盡管產(chǎn)能過剩和汽車行業(yè)增速放緩短期內(nèi)會對價格構(gòu)成壓力。功率氮化鎵(GaN)的應(yīng)用范圍已從消費級快速充電擴展到汽車和數(shù)據(jù)中心，但其外延晶圓市場規(guī)模仍小于碳化硅。

射頻市場保持穩(wěn)定，主要由手機領(lǐng)域的砷化鎵（GaAs）和電信及國防領(lǐng)域的氮化鎵（GaN）主導(dǎo)，短期內(nèi)增長空間有限，但向6G時代穩(wěn)步邁進。光子學(xué)市場發(fā)展勢頭最為強勁，主要受人工智能數(shù)據(jù)中心和帶寬升級的推動，加速了磷化銦（InP）的普及、6英寸平臺和高速激光器的應(yīng)用。

LED 技術(shù)仍然成熟且價值較低，而 MicroLED 的普及將在本世紀(jì)晚些時候在更現(xiàn)實的預(yù)期下重新開始，首先應(yīng)用于可穿戴設(shè)備和 AR 領(lǐng)域。

可擴展平臺和應(yīng)用塑造化合物半導(dǎo)體的未來

化合物半導(dǎo)體在眾多終端應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在汽車市場銷量巨大、人工智能數(shù)據(jù)中心快速擴張以及移動、消費和電信領(lǐng)域需求穩(wěn)定增長的推動下，各種材料的供應(yīng)鏈正在重塑。電力電子是增長最強勁的驅(qū)動力，這得益于自2020年代初以來對功率碳化硅(SiC)的大量投資以及近期在功率氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的戰(zhàn)略舉措。

碳化硅（SiC）的增長得益于產(chǎn)能規(guī)模的擴大以及晶圓尺寸從6英寸向8英寸的過渡，新的中國晶圓和外延片供應(yīng)商的加入提升了成本競爭力，并滿足了開放市場對8英寸晶圓的需求。功率氮化鎵（GaN）正朝著混合型IDM和無晶圓/代工廠模式轉(zhuǎn)變，一些代工廠退出市場，而新的廠商則憑借其內(nèi)部外延技術(shù)進入市場；IDM廠商將GaN視為數(shù)據(jù)中心滲透的戰(zhàn)略性技術(shù)。

移動和電信射頻市場保持穩(wěn)定，GaAs 和 GaN 增長溫和，市場重點在于整合而非擴張。

受人工智能數(shù)據(jù)中心的推動，光子學(xué)展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭，加速了高速激光器向 6 英寸 InP 的過渡。

LED和microLED技術(shù)已趨于成熟和集中，垂直整合至關(guān)重要，尤其是在microLED進軍高端可穿戴設(shè)備領(lǐng)域之際。更大的襯底尺寸加劇了純化合物半導(dǎo)體廠商和硅晶圓廠之間的競爭，而中國廠商則繼續(xù)構(gòu)建端到端的化合物半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，以滿足國內(nèi)外的需求。

根據(jù)市場動態(tài)進行調(diào)整，以適應(yīng)不同的應(yīng)用場景

化合物半導(dǎo)體（SiC、GaN、GaAs、InP）在功率、射頻、光子學(xué)和顯示等領(lǐng)域不斷擴展，日益推動著超越硅的系統(tǒng)級創(chuàng)新。

該行業(yè)的路線圖由晶圓尺寸縮小、產(chǎn)能建設(shè)以及在襯底和外延方面的成本降低努力所定義。

SiC 不斷縮小尺寸，達到 6 英寸，并加速采用 8 英寸，新的方法旨在降低成本并提高材料利用率。

GaN 受益于與 CMOS 兼容的 GaN-on-Si 技術(shù)，推動晶圓尺寸增大，從而提高可擴展性和降低成本。

在射頻和光子學(xué)領(lǐng)域，平臺過渡仍然緩慢（GaAs 保持標(biāo)準(zhǔn)化，InP 向 6 英寸方向發(fā)展），而 MicroLED 的發(fā)展勢頭正在增強，有望在未來十年實現(xiàn)快速增長，襯底的演進是關(guān)鍵的推動因素。

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（來源：編譯自Yole）

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