三星Galaxy S26系列定檔2月26日

2月11日，三星官方正式宣布，Galaxy Unpacked發(fā)布會(huì)將于2月25日舉辦，線上直播的北京時(shí)間2月26日凌晨2點(diǎn)。屆時(shí)，三星Galaxy S26系列手機(jī)將正式發(fā)布，包括Galaxy S26、Galaxy S26+以及Galaxy S26 Ultra三款機(jī)型。

據(jù)悉，此次還將首發(fā)搭載三星自研Exynos 2600芯片，這是全球第一款量產(chǎn)出來(lái)的2nm手機(jī)芯片。Exynos 2600采用10核心設(shè)計(jì)，CPU包括1個(gè)3.80GHz超大核、3個(gè)3.26GHz大核以及6個(gè)2.76GHz小核，其單核成績(jī)超過(guò)了3400分，多核成績(jī)超過(guò)了1.1萬(wàn)分。不過(guò)，只有韓國(guó)當(dāng)?shù)睾蜌W洲部分地區(qū)會(huì)采用Exynos 2600，其余地區(qū)標(biāo)配高通驍龍8 Elite Gen 5。

三款機(jī)型配置信息如下：

屏幕/機(jī)身

S26：6.3英寸FHD+分辨率，尺寸149.6×71.7×7.2mm，重量167g；

S26+：6.7英寸QHD+分辨率，尺寸158.4×75.8×7.3mm，重量190g；

S26 Ultra：6.9英寸QHD+分辨率，尺寸163.6×78.1×7.9mm，重量214g。

三款機(jī)型標(biāo)配Dynamic AMOLED 2X屏幕，支持120Hz刷新率與Corning Gorilla Armor 2玻璃防護(hù)，提供白、藍(lán)、黑、紫四種基礎(chǔ)配色。

芯片/存儲(chǔ)

S26/S26+：三星自研Exynos 2600芯片/高通驍龍8 Elite Gen 5；標(biāo)配12GB內(nèi)存，提供256GB/512GB存儲(chǔ)選項(xiàng)，無(wú)1TB版本。

S26 Ultra：全球市場(chǎng)統(tǒng)一搭載驍龍8 Elite Gen 5，內(nèi)存規(guī)格升級(jí)至12GB/16GB，存儲(chǔ)覆蓋256GB、512GB及1TB。

影像

S26/S26+：后置5000萬(wàn)像素主攝（支持OIS）+1000萬(wàn)像素3倍光變長(zhǎng)焦+1200萬(wàn)像素超廣角，前置1200萬(wàn)像素，支持4K@60fps視頻錄制，硬件規(guī)格與前代基本一致。

S26 Ultra：后置2億像素主攝（支持多向PDAF+OIS）+5000萬(wàn)像素5倍光變潛望式長(zhǎng)焦+1000萬(wàn)像素3倍長(zhǎng)焦+5000萬(wàn)像素超廣角，影像硬件大幅升級(jí)，尤其長(zhǎng)焦能力強(qiáng)化。

續(xù)航/充電

S26：4300mAh，25W有線+15W無(wú)線充電

S26+：4900mAh，45W有線+15W無(wú)線充電

S26 Ultra：5000mAh，60W有線+15W無(wú)線充電

全系不內(nèi)置Qi2磁吸結(jié)構(gòu)，需搭配專(zhuān)用保護(hù)殼實(shí)現(xiàn)Qi無(wú)線充電功能。

預(yù)裝基于Android 16的One UI 8.5，支持NFC、Wi-Fi 7（be）、藍(lán)牙5.4及多衛(wèi)星定位（GLONASS、GPS等）。

AMD將從AGESA過(guò)渡到openSIL

AMD在2023年就已確認(rèn)，未來(lái)將采用名為“openSIL（開(kāi)源芯片初始化庫(kù)）”的新方案取代現(xiàn)有的AGESA固件，以簡(jiǎn)化平臺(tái)的UEFI固件創(chuàng)建流程。openSIL固件將支持今年發(fā)布的EPYC“Venice”服務(wù)器處理器，還有明年上半年Ryzen“Medusa”處理器，兩者均基于Zen 6架構(gòu)。

近日，波蘭的開(kāi)源咨詢(xún)公司3mbdeb宣布，決定將openSIL固件移植到消費(fèi)級(jí)AM5平臺(tái)的產(chǎn)品，選定的是微星的B850-P Pro主板。3mbdeb強(qiáng)調(diào)，這只是“概念驗(yàn)證”，并非用于“生產(chǎn)用途”。理論上如果用戶有興趣，已經(jīng)可以試用openSIL固件。

AMD最初打算在2024年末發(fā)布客戶端“Phoenix”和服務(wù)器“Turin（EPYC 9005系列）”的概念驗(yàn)證代碼，但是由于在獲得開(kāi)源代碼的必要批準(zhǔn)方面遇到了一些延遲，從而影響了原來(lái)制定的時(shí)間表。同樣得益于openSIL固件對(duì)這些處理器的支持，讓3mbdeb的項(xiàng)目得以進(jìn)行。

AGESA的主要問(wèn)題是代碼閉源，阻止了用戶出于安全目的、漏洞檢測(cè)或其他目的檢查固件代碼，OpenSIL改為開(kāi)源后，在代碼檢測(cè)和防范網(wǎng)絡(luò)攻擊方面取得了顯著改進(jìn)。按照AMD的說(shuō)法，openSIL相比AGESA更易于擴(kuò)展且更輕量，并支持不同的主機(jī)固件。

英特爾首次展示ZAM內(nèi)存原型設(shè)計(jì)

前段時(shí)間，英特爾宣布與軟銀子公司SAIMEMORY合作，開(kāi)發(fā)名為“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存儲(chǔ)技術(shù)。英特爾和軟銀表示，雙方將聚焦下一代DRAM技術(shù)，以支持人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）日益增長(zhǎng)的需求。

據(jù)Wccftech報(bào)道，英特爾院士兼政府技術(shù)首席技術(shù)官Joshua Fryman與英特爾日本首席執(zhí)行官大野誠(chéng)共同出席了Intel Connection Japan 2026活動(dòng)。值得關(guān)注的是，英特爾剛確認(rèn)與SAIMEMORY的合作，便展示了ZAM原型設(shè)計(jì)，并介紹了新款內(nèi)存未來(lái)的發(fā)展方向。按照英特爾的說(shuō)法，在ZAM項(xiàng)目中將承擔(dān)“初始投資和戰(zhàn)略決策”的職責(zé)。

ZAM的核心在于Z-Angle架構(gòu)，有別于現(xiàn)有HBM硅通孔（TSV）的連接方式，其采用了交錯(cuò)互聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即在芯片堆疊內(nèi)部以對(duì)角線方式進(jìn)行連接，而非直接垂直鉆孔。英特爾稱(chēng)，ZAM技術(shù)上相比現(xiàn)有解決方案最大的優(yōu)勢(shì)在于其熱管理能力。

與HBM相比，ZAM可能的提升包括：

●功耗降低40%至50%

●通過(guò)Z-Angle架構(gòu)簡(jiǎn)化制造流程

●每芯片存儲(chǔ)容量更高（可達(dá)512GB）

華邦電子預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格半年漲三倍

據(jù)TrendForce報(bào)道，華邦電子預(yù)計(jì)DRAM短缺將持續(xù)，2026年第一季度DRAM價(jià)格將飆升90%至95%，下個(gè)季度仍然保持上漲趨勢(shì)，漲幅與本季度相當(dāng)。對(duì)比2025年末，意味著半年左右的時(shí)間里，DRAM價(jià)格已經(jīng)漲至原來(lái)的四倍。

除了價(jià)格瘋狂上漲，目前DRAM的產(chǎn)能也十分緊張，華邦電子稱(chēng)今年和明年的產(chǎn)能已全部售罄，產(chǎn)線已滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)。在價(jià)格和產(chǎn)能的推動(dòng)下，華邦電子的營(yíng)收也將看漲，投資機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)其未來(lái)幾個(gè)季度的利潤(rùn)將大幅增長(zhǎng)。按照華邦電子的說(shuō)法，其2026年第一季度的利潤(rùn)率可能超過(guò)46.9%。

華邦電子表示，現(xiàn)在DDR4供應(yīng)缺口“大得難以想象”，而且“不知道如何去填補(bǔ)”。即便華邦電子不斷擴(kuò)產(chǎn)，資本支出創(chuàng)下歷史新高，也難以趕上需求，供應(yīng)緊張還將持續(xù)一段時(shí)間。

華邦電子指出，SLC NAND閃存現(xiàn)在面臨更大的短缺，價(jià)格上漲速度超過(guò)了DRAM。

REDMI K90至尊版搭載主動(dòng)散熱

據(jù)最新爆料，今年上半年REDMI將正式進(jìn)軍風(fēng)扇賽道，全新的K90至尊版將支持主動(dòng)散熱技術(shù)，這標(biāo)志著小米旗下第一款支持主動(dòng)散熱的性能旗艦即將誕生。

對(duì)于廠商而言，要想實(shí)現(xiàn)高效的散熱，手機(jī)內(nèi)部不僅需要配置一顆微型風(fēng)扇，還要設(shè)計(jì)出完整的進(jìn)風(fēng)與出風(fēng)通道。通過(guò)這種強(qiáng)制對(duì)流的方式，系統(tǒng)能迅速把熱量帶離核心主板區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)快速降溫。

因此，這類(lèi)機(jī)型需要一套嚴(yán)密的散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)支撐。由于這些物理結(jié)構(gòu)會(huì)不可避免地?cái)D占主板和電池的內(nèi)部空間，這就對(duì)廠商的精密堆疊能力提出了更高的要求。

此外，全新的REDMI K90至尊版在其他硬件配置上很有誠(chéng)意。該機(jī)將采用一塊超高刷屏幕，預(yù)計(jì)支持165Hz的刷新率。性能方面，它將搭載聯(lián)發(fā)科天璣9500平臺(tái)，并內(nèi)置8500mAh的超大電池，配合100W有線快充，確保了強(qiáng)悍的續(xù)航與性能釋放表現(xiàn)。

RTX 5060 Ti價(jià)格已接近RTX 5070

據(jù)ComputerBase跟蹤的RTX 50顯卡走勢(shì)，多數(shù)顯卡在1月份價(jià)格連續(xù)幾周上漲，隨后趨于平穩(wěn)，甚至略有下降。但定位中端的RTX 5060 Ti 16GB價(jià)格走勢(shì)異常堅(jiān)挺，近期每日中位數(shù)價(jià)格已多次突破700歐元（約5757元人民幣），逼近定位更高一級(jí)的RTX 5070。在此前的市場(chǎng)格局中，RTX 5060 Ti 16GB與RTX 5070 12GB之間通常保持約100歐元的價(jià)差。

不過(guò)最低價(jià)格仍然有較大的差距，數(shù)據(jù)顯示，RTX 5060 Ti 16GB的最低價(jià)格約為550歐元，而RTX 5070 12GB的價(jià)格約為650歐元，但此類(lèi)高性?xún)r(jià)比貨源往往瞬間就售罄。

值得注意的是，ComputerBase表示，RTX 5060 Ti 16GB目前供貨相對(duì)充足，尚未出現(xiàn)明顯供應(yīng)短缺，漲價(jià)更多源于NVIDIA新的產(chǎn)品優(yōu)先級(jí)策略。

此前有消息稱(chēng)受限于GDDR7顯存價(jià)格，NVIDIA或?qū)簳r(shí)停止生產(chǎn)供應(yīng)RTX 5060 Ti 16GB版本，保障更高端、利潤(rùn)更高的RTX 5070及RTX 5070 Ti系列的供應(yīng)。雖然官方否認(rèn)停產(chǎn)傳聞，但NVIDIA將優(yōu)先保障RTX 5060、RTX 5060 Ti 8GB及RTX 5070 Ti產(chǎn)能，這也間接推高其他型號(hào)溢價(jià)。

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