英特爾正依托當(dāng)前持續(xù)旺盛的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）市場(chǎng)需求，與軟銀旗下子公司達(dá)成合作，推出全新的ZAM內(nèi)存技術(shù)。

英特爾ZAM內(nèi)存模組：憑創(chuàng)新互連與EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高能效

今年，人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)迎來(lái)全面爆發(fā)期，在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商和芯片制造商的需求驅(qū)動(dòng)下，DRAM的市場(chǎng)需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。更關(guān)鍵的是，全球內(nèi)存核心供應(yīng)商數(shù)量有限，當(dāng)前該領(lǐng)域的供應(yīng)鏈瓶頸問(wèn)題極為突出，這也讓新競(jìng)爭(zhēng)者的入局成為行業(yè)剛需——據(jù)悉，英特爾正瞄準(zhǔn)這一機(jī)遇，在內(nèi)存業(yè)務(wù)板塊開(kāi)辟全新賽道。有消息稱，英特爾將與軟銀旗下的Saimemory聯(lián)手，研發(fā)名為Z型角度內(nèi)存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

據(jù)悉，ZAM內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)工作，最早啟動(dòng)于美國(guó)能源部（DoE）發(fā)起的先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)（AMT）項(xiàng)目，英特爾也正是在該項(xiàng)目中，首次對(duì)外展示了其自研的“下一代”DRAM鍵合技術(shù)。軟銀發(fā)布的官方公告中，并未具體明確ZAM內(nèi)存的市場(chǎng)定位，但結(jié)合英特爾已公開(kāi)的DRAM鍵合技術(shù)細(xì)節(jié)來(lái)看，ZAM大概率會(huì)采用交錯(cuò)式互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在芯片堆疊內(nèi)部以對(duì)角線方式布設(shè)連接線路，而非傳統(tǒng)技術(shù)中垂直直連的設(shè)計(jì)。

英特爾高管在談及下一代DRAM鍵合技術(shù)時(shí)表示：“傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)已無(wú)法適配人工智能的發(fā)展需求，下一代DRAM鍵合技術(shù)（NGDB）開(kāi)創(chuàng)了全新的技術(shù)路徑，將推動(dòng)行業(yè)邁入下一個(gè)十年。我們正重新思考DRAM的架構(gòu)設(shè)計(jì)邏輯，從底層推動(dòng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)的升級(jí)，力求實(shí)現(xiàn)性能的數(shù)量級(jí)提升，并將這些創(chuàng)新成果融入行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)?！?/p>

通過(guò)Z型角度的互連設(shè)計(jì)，英特爾能將硅片面積的絕大部分高效用于存儲(chǔ)單元的布局，從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，同時(shí)降低器件熱阻。從英特爾DRAM鍵合技術(shù)的現(xiàn)有設(shè)計(jì)思路來(lái)看，ZAM內(nèi)存還將采用銅-銅混合鍵合技術(shù)，該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)芯片層間的高效融合，打造出類單片式的硅晶片模塊，而非傳統(tǒng)技術(shù)中相互獨(dú)立的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，據(jù)悉ZAM內(nèi)存將采用無(wú)電容設(shè)計(jì)，英特爾會(huì)通過(guò)嵌入式多芯片互連橋接技術(shù)（EMIB），實(shí)現(xiàn)該內(nèi)存與人工智能芯片的高效互連。

軟銀與英特爾合作研發(fā)ZAM內(nèi)存，最終也將實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存堆疊技術(shù)的自主掌控。這款技術(shù)或?qū)⒙氏却钶d于軟銀自研的定制化專用集成電路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，這也將讓軟銀在芯片架構(gòu)布局上掌握更強(qiáng)的主導(dǎo)權(quán)。目前尚無(wú)具體數(shù)據(jù)披露ZAM內(nèi)存相較高帶寬內(nèi)存（HBM）的實(shí)際性能提升幅度，但Z型角度的互連設(shè)計(jì)，能為ZAM帶來(lái)更優(yōu)的能效和更高的存儲(chǔ)密度，最終實(shí)現(xiàn)芯片的更高層數(shù)堆疊。

整體來(lái)看，ZAM內(nèi)存對(duì)比傳統(tǒng)HBM內(nèi)存的核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三方面：

1.功耗降低40%至50%；

2.依托Z型角度互連技術(shù)，大幅簡(jiǎn)化芯片制造流程；

3.單芯片存儲(chǔ)容量提升，最高可達(dá)512GB。

事實(shí)上，這并非英特爾首次涉足DRAM領(lǐng)域。該公司曾專門(mén)布局DRAM業(yè)務(wù)，但在1985年，受日本廠商的激烈競(jìng)爭(zhēng)沖擊，英特爾的DRAM市場(chǎng)份額大幅下滑，最終選擇退出該領(lǐng)域。而如今，內(nèi)存市場(chǎng)的發(fā)展紅利為企業(yè)創(chuàng)造了巨大的發(fā)展機(jī)遇，英特爾的ZAM內(nèi)存能否在行業(yè)中站穩(wěn)腳跟、掀起變革，成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。而想要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，英特爾的關(guān)鍵一步，便是說(shuō)服英偉達(dá)這類行業(yè)龍頭企業(yè)，在其產(chǎn)品中集成ZAM技術(shù)。

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