2026年開年的半導(dǎo)體行業(yè)，被密集的漲價通知按下了“加速鍵”。

其中，國內(nèi)三家核心芯片企業(yè)接連拋出調(diào)價函，成為開年漲價潮中最受關(guān)注的行業(yè)信號。

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三家芯片公司，連拋漲價函

必易微，今日發(fā)布漲價通知

1月30日，國內(nèi)模擬及數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計企業(yè)必易微發(fā)布產(chǎn)品調(diào)價通知：受上游原材料持續(xù)漲價、產(chǎn)能緊缺影響，為保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定與產(chǎn)品交付，必易微公司即日起上調(diào)全系列產(chǎn)品價格，具體型號及漲幅將由銷售團(tuán)隊與客戶一對一溝通。

國科微，價格最高上調(diào)80%

1月20日，國科微向客戶發(fā)出正式漲價通知函，宣布自2026年1月起對多款合封KGD（Known Good Die）存儲產(chǎn)品實施價格調(diào)整，以應(yīng)對全行業(yè)供應(yīng)鏈緊張與成本攀升的壓力。

根據(jù)通知函內(nèi)容，本次調(diào)價主要受存儲芯片供應(yīng)緊張、原材料成本大幅上升以及基板、框架、封測等環(huán)節(jié)費(fèi)用持續(xù)上漲的影響。公司表示，合封KGD芯片的供應(yīng)缺口預(yù)計將進(jìn)一步擴(kuò)大，成本壓力加劇，因此經(jīng)慎重研究后決定進(jìn)行價格調(diào)整。

具體產(chǎn)品調(diào)價幅度如下：

• 合封512Mb的KGD產(chǎn)品價格上調(diào)40%；
• 合封1Gb的KGD產(chǎn)品價格上調(diào)60%；
• 合封2Gb的KGD產(chǎn)品價格上調(diào)80%。

此外，針對外掛DDR的產(chǎn)品，其價格調(diào)整將另行通知。國科微在函中還提及，2026年第二季度的產(chǎn)品價格漲幅，將根據(jù)屆時KGD市場的價格波動情況進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，具體執(zhí)行策略后續(xù)公布。

值得注意的是，近日國科微發(fā)布了預(yù)虧的2025年業(yè)績預(yù)告。

公告顯示，歸屬于上市公司股東的凈利潤預(yù)計虧損1.8億元至2.5億元，而去年同期為盈利約9715萬元；扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤預(yù)計虧損2.1億元至2.8億元。對于業(yè)績變動原因，公司此前曾解釋稱，研發(fā)及期間費(fèi)用大幅增長、部分產(chǎn)品因未相應(yīng)漲價導(dǎo)致毛利下滑等是主要因素。此番全面提價，或意在扭轉(zhuǎn)產(chǎn)品毛利承壓的局面，改善未來的盈利能力。

中微半導(dǎo)體，價格最高上調(diào)50%

1月27日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了“漲價通知函”，宣布于即日起對MCU、Nor flash等產(chǎn)品進(jìn)行價格調(diào)整，漲價幅度15%~50%。對于漲價的原因，中微半導(dǎo)體和國科微的解釋相似。

1月25日晚間，中微半導(dǎo)發(fā)布的業(yè)績預(yù)告顯示，經(jīng)財務(wù)部門初步測算，預(yù)計公司 2025 年年度實現(xiàn)營業(yè)收入11.22億元左右，同比增長 23.07%左右。預(yù)計 2025 年年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤2.84億元左右，同比暴漲107.55%左右；歸屬于母公司所有者扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤 1.69億元左右，同比大漲85.36%左右。

國內(nèi)企業(yè)的漲價并非孤立事件，全球半導(dǎo)體巨頭早已開啟漲價模式，尤其是模擬芯片領(lǐng)域，兩大龍頭的密集動作已預(yù)示市場進(jìn)入強(qiáng)勁復(fù)蘇期。

作為全球模擬芯片龍頭，德州儀器（TI）率先在2025年8月開啟漲價模式，涵蓋超過6萬個型號，漲幅普遍在10%-30%以上，覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)控制等多個下游領(lǐng)域。緊隨其后的亞德諾（ADI）于2025年12月發(fā)出漲價通知，計劃2026年2月1日起對全系列產(chǎn)品調(diào)價，采用差異化方案：整體漲幅約15%，近千款軍規(guī)級MPNs產(chǎn)品（后綴/883）漲幅高達(dá)30%，目前具體執(zhí)行細(xì)則已進(jìn)入最終敲定階段。

更值得關(guān)注的是，漲價潮已從芯片設(shè)計環(huán)節(jié)，全面蔓延至代工、封測乃至被動元器件等上下游環(huán)節(jié)，形成全產(chǎn)業(yè)鏈共振。

02

半導(dǎo)體漲價，不止如此

存儲領(lǐng)域，全球存儲巨頭三星電子已正式將2026年第一季度的NAND閃存供貨價格上調(diào)100%以上。此次大幅調(diào)價緊隨其DRAM內(nèi)存價格近70%的漲幅。SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%。與此同時，三星電子與SK海力士已完成和蘋果的談判，將大幅上調(diào)今年第一季度供應(yīng)的蘋果iPhone低功耗DRAM（LPDDR）價格。其中，三星報價較前一季度漲幅超過80%，SK海力士給出的漲幅接近100%。

代工環(huán)節(jié)，受AI相關(guān)功率芯片需求增長與大廠減產(chǎn)推動，八英寸晶圓供需格局生變。臺積電、三星等巨頭減產(chǎn)背景下，全球晶圓廠紛紛醞釀漲價。去年12月，中國最大的晶圓代工廠中芯國際（SMIC）向部分客戶發(fā)出漲價通知，對部分產(chǎn)能實施約10%的價格上調(diào)，此次漲價并非全面鋪開，而是主要集中于8英寸BCD工藝平臺。平臺型芯片設(shè)計企業(yè)透露，同期還收到了世界先進(jìn)（VIS）的漲價通知，后者在BCD平臺的漲價幅度同樣達(dá)到10%。

先進(jìn)制程的漲價消息要早得多。去年11月，臺積電就宣布今年將繼續(xù)提升先進(jìn)制程（7nm以下）報價，先進(jìn)制程漲幅預(yù)計將達(dá)3%至10%，這已經(jīng)是這家全球最大晶圓代工廠連續(xù)第四年調(diào)升價格。

封測環(huán)節(jié)，更是漲勢猛烈。頭部企業(yè)日月光2026年后段晶圓封測代工價漲幅預(yù)計達(dá)5%-20%，力成、華東等存儲器封測廠漲幅更是高達(dá)30%，當(dāng)前頭部封測企業(yè)產(chǎn)能利用率已直逼滿載，訂單排期持續(xù)拉長。

被動元器件，也未能幸免。在白銀、銅、錫等原材料價格“史詩級”飆升的背景下，一場覆蓋鉭電容、電阻、電感、MLCC等關(guān)鍵品類的漲價循環(huán)已然確立。1月，日本半導(dǎo)體材料大廠Resonac宣布，由于銅箔、玻璃纖維布（glass cloth）等原料供需緊繃、價格飆漲，疊加人事成本、運(yùn)輸費(fèi)用顯著上升，因此將自2026年3月1日起調(diào)漲覆銅層壓板及黏合膠片價格30%。

風(fēng)華高科發(fā)布調(diào)價通知，指出白銀、錫、銅、鉍、鈷等金屬材料大幅度上漲，使公司面臨巨大成本壓力。公司針對1608、2012、3216等尺寸的磁珠產(chǎn)品，價格調(diào)升5-25%；對銀電極系列的壓敏電阻、瓷介電容產(chǎn)品，價格調(diào)升10-20%，并同步推薦可替代的銅電極新材料與新工藝；厚膜電路類產(chǎn)品價格調(diào)升15-30%。除上市公司外，眾多中小企業(yè)也相繼加入調(diào)價行列。廈門宏發(fā)、南充溢輝電子、浙江玖維電子、安徽富捷電子、寧波鼎聲微電、江西昶龍科技及深圳合科泰電子等一批中小型廠商相繼宣布調(diào)價，調(diào)整幅度普遍在5%-20%之間，覆蓋了厚膜貼片電阻、特種晶片電阻及半導(dǎo)體器件等多個品類。

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漲價潮下，三種核心邏輯拆解

2026年開年的半導(dǎo)體漲價潮看似來勢洶洶，但細(xì)究之下，不同品類的漲價邏輯截然不同，筆者將其分為三種。

第一類為周期底部反彈型，主要覆蓋存儲芯片與模擬IC，核心邏輯是行業(yè)完成去庫存與泡沫出清后的自然復(fù)蘇。

存儲行業(yè)此前經(jīng)歷兩年下行周期，三星、美光等頭部廠商通過主動減產(chǎn)，逐步將庫存水位消化至合理區(qū)間；疊加AI服務(wù)器算力需求爆發(fā)與智能手機(jī)旗艦機(jī)型備貨旺季來臨，雙重因素共振下，直接推動DRAM、NAND等存儲芯片價格大幅攀升。模擬IC領(lǐng)域則呈現(xiàn)龍頭主導(dǎo)格局，德州儀器、ADI等行業(yè)巨頭憑借高市場集中度，在需求回暖初期率先啟動調(diào)價——既實現(xiàn)利潤修復(fù)、彌補(bǔ)前期虧損，又借機(jī)擠壓中小廠商的市場份額。這類漲價具備較強(qiáng)持續(xù)性，2026年上半年大概率延續(xù)上行態(tài)勢，

第二類是成本推動型，主要涵蓋功率半導(dǎo)體（如MOSFET、IGBT）與被動元件（如MLCC、電阻），核心是企業(yè)受上游成本壓力倒逼而被動調(diào)價。

上游硅片、銅箔等核心材料，以及白銀、鉭等貴金屬價格持續(xù)攀升，疊加中芯國際等代工廠對8英寸晶圓代工提價，直接導(dǎo)致企業(yè)生產(chǎn)成本大幅上升，利潤空間被顯著擠壓。但下游需求支撐乏力，消費(fèi)電子、普通工業(yè)領(lǐng)域訂單表現(xiàn)平淡，下游客戶為控制成本，積極推進(jìn)低成本材料替代方案（如用銅電極替代銀電極），或許導(dǎo)致漲價傳導(dǎo)受阻。

第三類是事件驅(qū)動型，聚焦先進(jìn)制程（7nm以下）與AI相關(guān)芯片（如HBM、GPU），核心邏輯是技術(shù)升級紅利與短期產(chǎn)能瓶頸的疊加。

當(dāng)前全球僅臺積電、三星具備7nm以下先進(jìn)制程量產(chǎn)能力，3nm、2nm產(chǎn)能基本被蘋果、英偉達(dá)等頭部客戶鎖定，這些廠商憑借稀缺產(chǎn)能掌握絕對定價權(quán)，推動價格持續(xù)上漲；同時，AI行業(yè)算力競賽升溫，直接引爆HBM等配套芯片需求，帶動價格大幅攀升。需注意的是，這類需求集中于AI產(chǎn)業(yè)鏈局部，高度依賴頭部廠商訂單，價格波動性顯著高于周期型產(chǎn)品。

日前世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計（WSTS）發(fā)布的2025年和2026年半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2025年全球半導(dǎo)體營收將同比增長22.5%至7720億美元，2026年將進(jìn)一步增長26.3%，達(dá)到9750億美元，逼近1萬億美元大關(guān)。

2025年全球半導(dǎo)體營收增長主要受益于人工智能應(yīng)用及數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的強(qiáng)勁需求，推動了邏輯芯片和存儲芯片需求的增長。具體來看，2025年邏輯芯片營收有望同比增長37.1%，是增幅最大的產(chǎn)品類別；其次是存儲芯片，營收同比增長27.8%；傳感器營收將同比增長10.4%；微處理器營收同比增長7.9%；模擬芯片營收同比增長7.5%；光電子元件營收同比增長3.7%；受汽車領(lǐng)域需求疲軟影響，分立元件營收同比下滑0.4%。

WSTS同時指出，存儲和邏輯IC仍是2026年的主要成長動能，兩者增長率都超過3成，分別增長39.4%及32.1%。結(jié)合市場預(yù)測與三類漲價邏輯不難看出，2026年半導(dǎo)體行業(yè)的高增長并非全域普漲的狂歡，而是結(jié)構(gòu)性機(jī)會的集中釋放。