截至1月20日收盤，滬指跌0.01%，報(bào)收4113.65點(diǎn)；深成指跌0.97%，報(bào)收14155.63點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指跌1.79%，報(bào)收3277.98點(diǎn)�？苿�(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跌0.42%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）跌0.44%。

隔夜外盤方面，截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌1.76%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)跌3.54%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)跌2.06%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)跌1.68%，恩智浦半導(dǎo)體跌2.70%，美光科技漲0.62%，ARM漲1.31%，應(yīng)用材料跌2.68%，微芯科技跌2.05%。

行業(yè)資訊：

1、DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，DRAM供給持續(xù)吃緊，為順應(yīng)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，今年資本支出將達(dá)500億元新臺(tái)幣（約合110億元人民幣），同比增幅超過(guò)270%，為公司史上最大手筆。支出主要用于擴(kuò)充新廠產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2028年上半年將開(kāi)出2萬(wàn)片新產(chǎn)能。

2、摩根士丹利將歐洲半導(dǎo)體行業(yè)評(píng)級(jí)從“持股觀望”上調(diào)至“增持”。

3、通富微電發(fā)布2025年度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)11億元~13.5億元，比2024年同期增長(zhǎng)62.34%~99.24%。2025年內(nèi)，全球半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)，公司積極進(jìn)取，產(chǎn)能利用率提升，營(yíng)業(yè)收入增幅上升，特別是中高端產(chǎn)品營(yíng)業(yè)收入明顯增加。同時(shí)，得益于加強(qiáng)經(jīng)營(yíng)管理及成本費(fèi)用的管控，公司整體效益顯著提升。此外，公司準(zhǔn)確把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，圍繞供應(yīng)鏈及上下游布局產(chǎn)業(yè)投資，取得了較好的投資收益，增厚了公司2025年業(yè)績(jī)。

中信建投指出，地緣政治摩擦為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體提供了替代窗口期，華為、寒武紀(jì)、海光等新一代算力芯片/機(jī)柜性能快速提升，生態(tài)逐步完善。受AI需求爆發(fā)、供給側(cè)收縮等多重因素影響，存儲(chǔ)芯片正處于價(jià)格上升期，推動(dòng)全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)迎來(lái)業(yè)績(jī)爆發(fā)。存儲(chǔ)產(chǎn)線建設(shè)及國(guó)產(chǎn)化率提升有望進(jìn)入加速階段，看好配套半導(dǎo)體設(shè)備、封測(cè)等國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)鏈投資機(jī)遇。隨著國(guó)產(chǎn)替代邏輯加強(qiáng)、存儲(chǔ)產(chǎn)能擴(kuò)張，新一輪資本開(kāi)支周期下國(guó)產(chǎn)設(shè)備/零部件/材料將深度受益。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。