1月17日，由中核集團(tuán)中國原子能科學(xué)研究院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機(jī)（POWER-750H）成功出束，其核心指標(biāo)已達(dá)到國際先進(jìn)水平。

這一里程碑式的成就，標(biāo)志著我國已全面掌握該裝備從底層原理到整機(jī)集成的全鏈路正向設(shè)計(jì)能力。

離子注入機(jī)、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備稱為芯片制造的“四大核心裝備”，是半導(dǎo)體晶圓制造中不可或缺的“剛需”設(shè)備，它的作用是通過高能離子轟擊，改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能，從而形成晶體管等基礎(chǔ)元件。

直白一點(diǎn)來說，高能氫離子注入機(jī)像一臺超級精準(zhǔn)的“離子炮”，將氫離子加速到極高能量（通常達(dá)百萬電子伏特量級），然后精確“注射”進(jìn)硅片內(nèi)部深處。這一過程能改變材料深層的電學(xué)性能，從而制造出能承受高電壓、大電流的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

長期以來，高能氫離子注入機(jī)技術(shù)壁壘極高，我國完全依賴國外進(jìn)口，成為制約功率半導(dǎo)體等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵瓶頸之一。

此次突破，徹底打破了國外企業(yè)在該領(lǐng)域長期的技術(shù)封鎖和壟斷，實(shí)現(xiàn)了從“依賴進(jìn)口”到“自主可控”的根本性轉(zhuǎn)變。

該裝備的成功研制，對保障我國產(chǎn)業(yè)鏈安全具有深遠(yuǎn)戰(zhàn)略意義，直接攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，將有力提升我國在新能源汽車、智能電網(wǎng)、光伏逆變器等領(lǐng)域的核心競爭力和自主保障能力。