文 | 市值榜，作者 | 相青，編輯 | 嘉辛

2016年，是朱一明的高光時刻。

他創(chuàng)辦的兆易創(chuàng)新成功登陸A股，打破了國外在NOR Flash領域的壟斷。

1972年出生的朱一明，17歲考入清華大學物理系，后留美獲得紐約州立大學石溪分校碩士學位，并曾在硅谷存儲公司任職。

然而，規(guī)模僅占存儲市場約1%的NOR Flash并非主戰(zhàn)場，真正被三星、SK海力士和美光科技壟斷超90%份額、年進口額高達數(shù)千億元的，是占據(jù)市場半壁江山的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。

朱一明計劃通過兆易創(chuàng)新來布局DRAM業(yè)務，卻被現(xiàn)實潑了一盆冷水，社會資本因“啟動資金一年至少100億元”紛紛退卻。

就在朱一明為資金發(fā)愁時，合肥這座被稱為“中國最強風投”的城市，也正急于擺脫“有屏無芯”的尷尬。于是，就在兆易創(chuàng)新上市的同一年，朱一明與合肥政府共同出資約180億元創(chuàng)立長鑫科技。

兩年后，朱一明又辭去總經(jīng)理職務，出任長鑫科技CEO，全力推進 DRAM 業(yè)務。他甚至立下軍令狀：長鑫不盈利，自己不領一分錢工資。

這是一場極其殘酷的長跑。

為了追趕與國際巨頭的技術代差，長鑫在隨后幾年里開啟了燒錢模式，截至2025年6月30日，長鑫科技累計虧損超過400億元。

如今，存儲行業(yè)迎來上行周期，長鑫科技遞交的科創(chuàng)板IPO申請已于2025年12月30日獲受理。一座被譽為“最強風投城市”的地方政府，與一位懷揣“中國存儲夢”的硅谷歸國創(chuàng)業(yè)者，即將創(chuàng)造2026開年最大IPO。

一、二次創(chuàng)業(yè)

長鑫科技的IPO正踩在存儲產(chǎn)業(yè)上行周期。

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2025年9月以來，DDR5的內存條價格上漲超300%，DDR4內存條漲幅也超150%。另外，部分高端內存條年內漲幅甚至超過 400%，價格漲勢遠超黃金。甚至有業(yè)內人士調侃，一盒高端DDR5內存條的價值，已經(jīng)超過北京上海不少房產(chǎn)。

根據(jù)市場研究機構Counterpoint Research發(fā)布最新行業(yè)報告指出，內存市場已進入“超級牛市”階段，當前行情甚至超越了2018年的歷史高點，達到了近8年來新高。

長鑫科技的誕生背后，正是號稱最強風投城市的合肥，以及創(chuàng)業(yè)者朱一明。

2016 年，就在朱一明創(chuàng)立的兆易創(chuàng)新登陸 A 股之時，但他早已將目光轉向另一片戰(zhàn)場——DRAM （動態(tài)隨機存取存儲器）。

在全球半導體行業(yè)版圖里，NOR Flash只是邊緣，DRAM才是皇冠上的明珠。

多家行業(yè)機構數(shù)據(jù)顯示，在存儲器市場，DRAM 的占比長期超過 50%，而 NOR Flash 的占比僅約 1%。前者廣泛應用于服務器、PC、智能手機等算力密集型設備，決定了系統(tǒng)性能上限；后者更多用于嵌入式與啟動存儲，市場規(guī)模與戰(zhàn)略權重不可相提并論。

而中國是全球最大的DRAM市場，占全球比例約為 43%，但幾乎完全依賴進口，自制率遠低于半導體全行業(yè)水平。

一心做存儲芯片的朱一明，曾下過一個判斷，“誰在存儲器技術領域領先，誰就能主宰整個集成電路產(chǎn)業(yè)?！倍胍A得存儲器市場，就必須啃下DRAM這根硬骨頭。

但是，DRAM領域具有極高的技術和資金壁壘，市場高度集中，由三星、SK海力士和美光三分天下，是國產(chǎn)芯片供應鏈中“卡脖子”最嚴重的環(huán)節(jié)之一。

而且，要在巨頭的夾縫中成長起來，一年至少需要100億元的啟動資金，且可能面臨連續(xù)數(shù)年的顆粒無收。

就在朱一明為資金發(fā)愁時，合肥這座被稱為“中國最強風投”的城市，也正急于擺脫 “有屏無芯” 的尷尬。

合肥市國資委總經(jīng)濟師項飆曾回憶說，當時合肥正苦于顯示產(chǎn)業(yè)遭遇“缺芯之痛”，為突破這一“卡脖子”元器件，在深入調研后，決定與兆易創(chuàng)新合作建設長鑫存儲項目研發(fā)線。

于是，在兆易創(chuàng)新上市的同一年，合肥市政府旗下投資平臺與兆易創(chuàng)新共同籌建長鑫存儲項目。2017年3月，一期工廠開工；同年10月，兆易創(chuàng)新宣布斥資180億元，與合肥合作推進DRAM項目。

2018年，就在DRAM芯片量產(chǎn)的關鍵節(jié)點，46歲的朱一明做出了一個外界看來并不理性的決定，在兆易創(chuàng)新市值不斷攀升、個人聲望達到頂峰之際，他辭去總經(jīng)理職務，僅保留董事長一職，同時出任長鑫存儲CEO及長鑫科技CEO，全力聚焦DRAM業(yè)務推進。

他立下軍令狀：在長鑫存儲盈利前，不領一分錢工資、一分錢獎金。

二、沖破壟斷

在長鑫科技之前，中國對 DRAM 的探索已經(jīng)持續(xù)了30多年。

從上世紀 90 年代的無錫華晶，到 2000 年代的上海華虹NEC、中芯國際，均在DRAM領域，嘗試過突破。但在很長一個階段里，這些公司受限于市場、技術、產(chǎn)業(yè)鏈不完整等因素，大多以代工或技術引進合作為主，沒能成功建立自己的研發(fā)-生產(chǎn)-銷售體系，無法與國外廠商正面競爭。

在 DRAM 這樣的成熟產(chǎn)業(yè)中，后來者真正的門檻不僅在資金和工藝，更在專利。過去三十年，三星、SK 海力士和美光建立了高度交織的知識產(chǎn)權網(wǎng)絡，新入局者稍有觸碰，就可能陷入法律糾紛。

與長鑫科技同一時期成立的福建晉華的遭遇便是例證，其產(chǎn)品尚未量產(chǎn)，研發(fā)計劃便因專利問題被迫中止，項目一度被叫停。

長鑫科技在技術上采取了引進消化吸收再創(chuàng)新與自主研發(fā)相結合的策略。項目初期，為了快速起步并規(guī)避專利風險，長鑫科技收購了德國奇夢達大量內存專利，并融入了自身研發(fā)體系。

奇夢達是曾經(jīng)的DRAM巨頭，雖已破產(chǎn)，但其留下的技術專利為長鑫的起步提供了寶貴參考。2019年5月，朱一明在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上第一次披露了公司的專利情況，他表示長鑫從已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢達處獲得了大量專利，并且在這個基礎上進行了創(chuàng)新，專利申請數(shù)量達到了16000個，還有1000多萬份、約2.8TB有關DRAM的技術文件。

2019年底，長鑫又宣布其與WiLANInc.合資子公司PolarisInnovationsLimited有關達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。

在獲得奇夢達技術支持后，合肥長鑫花費25億美元的研發(fā)費用，在重新設計芯片架構后，迅速將奇夢達遺留的46nm技術，提升到10nm級的水平。

2019年9月，長鑫科技正式宣布其采用19nm工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品投產(chǎn)，產(chǎn)能初步達到2萬片/月。這標志著中國企業(yè)首次掌握了主流DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)能力，打破了該領域長期被國外壟斷的局面。

這是長鑫科技乃至中國半導體產(chǎn)業(yè)史上里程碑式的一年。而技術突破，則迅速吸引了資本追隨。

2020年，國家大基金二期、小米產(chǎn)投、君聯(lián)資本等入場。2021年，融資盛況空前，220家機構排隊參與三輪反向路演，原本坐在臺下聽路演的投資人，不得不走上臺前來告訴長鑫存儲：公司估值應該多少？在什么條件下愿意投？投多少？最終長鑫存儲再從中選擇10多家投資方納入考察范圍，長鑫科技估值飆升至超390億元，成為“超級獨角獸”。

去年6月，在上市前最后一輪融資中，阿里云以61億元認購其3.85%新增注冊資本，將長鑫科技的Pre-IPO估值推升至1584億元。

在資金支持下，長鑫科技的技術布局也加速落地。2021年成功研發(fā)并投產(chǎn) 17nm (1ynm) 工藝；2023年11月，推出首款國產(chǎn) LPDDR5 產(chǎn)品，隨后進入小米、傳音等品牌手機的供應鏈，實現(xiàn)了國產(chǎn)內存從PC端向高端移動終端的跨越。

從財報來看，長鑫科技研發(fā)投入強度極高，2022年至2025年上半年累計研發(fā)投入188.67億元，占累計營收的33.11%；截至2025年6月30日，長鑫科技共擁有境內專利3116件（其中發(fā)明專利2348件）、境外專利2473件，應用于公司主營業(yè)務并能夠產(chǎn)業(yè)化的發(fā)明專利超過7項。

但正是在這種高強度研發(fā)投入下，長鑫科技產(chǎn)品才實現(xiàn)了突破，營收實現(xiàn)了穩(wěn)步增長，2022年至2024年營收分別為82.87億元、90.87億元、241.78億元。

三、拐點已至

如果從市場份額來看，今天的長鑫科技，在全球DRAM的牌桌上，還只是一個剛剛獲得入場券的新玩家。

據(jù)統(tǒng)計，長鑫科技在全球DRAM市場中占據(jù)3.97%的份額，按產(chǎn)能、出貨量及銷售額綜合衡量，穩(wěn)居全球第四位，同時也是中國大陸排名第一的DRAM廠商。

但與行業(yè)頭部玩家相比，這一體量仍然十分有限。2024年三星電子、SK海力士、美光科技的市場占有率分別為40.35%、33.19%和20.73%，這三家公司合計占據(jù)全球90%以上的市場份額。

在 DRAM 這樣的行業(yè)里，市場份額意味著強議價權和周期承受力。尤其在價格下行周期，巨頭可以通過規(guī)模和成本優(yōu)勢對沖沖擊，而新玩家，往往只能被動承受周期沖擊。

這也直接反映在長鑫科技的財務表現(xiàn)上。

2022年~2024年及2025年上半年，長鑫科技分別虧損83.28億元、163.4億元、71.45億元、23.32億元，截至2025年6月30日，長鑫科技累計虧損408.57億元。

其中，2023年是長鑫科技最艱難的一年，虧損額（163.4 億元）較其他年份翻倍，正是受行業(yè)周期影響。

2022年至2023年期間，受上游DRAM產(chǎn)品庫存水平較高、下游市場需求低迷的影響，DRAM行業(yè)經(jīng)歷了深度下行周期，DRAM產(chǎn)品的銷售價格大幅下滑，直到2023年下半年市場開始逐步回暖。

2023年，雖然長鑫科技銷量實現(xiàn)大幅增長，但由于DRAM產(chǎn)品銷售單價同比下滑43.54%，因此收入增速受到較大影響，并導致公司存貨減值損失計提增加，對公司利潤產(chǎn)生沖擊。

除了周期因素，另一層挑戰(zhàn)來自技術與產(chǎn)品結構本身。

在制程工藝上，長鑫目前工藝在密度與功耗上與三星、海力士仍有 1-2 代的代差。在產(chǎn)品層面，盡管長鑫已攻克DDR5的良率關卡，但在算力時代的核心抓手HBM 領域，長鑫仍處于從0到1的突破階段。

相比之下，三星、SK 海力士和美光不僅在 DDR5 的量產(chǎn)節(jié)奏上更快，更重要的是，已經(jīng)在 HBM2、HBM3 等高端 DRAM 產(chǎn)品上實現(xiàn)規(guī)模出貨，并與 GPU、CPU 廠商形成高度綁定的供貨關系，牢牢卡住了 AI 算力產(chǎn)業(yè)鏈中最具溢價能力的關鍵節(jié)點。

這也意味著，當前長鑫科技的產(chǎn)品仍以通用型 DRAM 為主，在 AI 核心應用中的滲透率有限。即便公司已明確向 HBM 等高端產(chǎn)品推進，但從研發(fā)驗證、良率爬坡到規(guī)模化商業(yè)落地，仍是一條周期長、投入重的追趕之路。

不過，從行業(yè)周期的角度看，長鑫科技也并非沒有窗口期。

AI 算力浪潮的到來，正在重塑 DRAM 的需求結構。AI 服務器、數(shù)據(jù)中心和高性能計算，對內存容量和帶寬的需求提升，為 DRAM 行業(yè)打開了新一輪成長空間。

受益于內存價格回升及銷量增長，長鑫科技預計2025年度實現(xiàn)營業(yè)收入550億元至580億元，同比增長127.48%至139.89%；預計凈利潤將實現(xiàn)扭虧為盈，達到20億元至35億元。

關鍵拐點已經(jīng)來臨。對長鑫科技而言，真正的挑戰(zhàn)不僅在于是否能迎來盈利，更在于能否在技術與產(chǎn)品結構上完成躍遷，這將最終決定它在全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)中，最終能搏得多大市場份額。