1月6日，話題“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”，登上熱搜。

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據(jù)時(shí)代周報(bào)記者采訪到，“內(nèi)存幾乎一天一個(gè)價(jià)”。以256G的DDR5服務(wù)器內(nèi)存為例，單條價(jià)格已超過(guò)4萬(wàn)元?！叭绻淮尾少?gòu)100根一盒，就是400萬(wàn)元，價(jià)值已經(jīng)超過(guò)上海不少房產(chǎn)?！?/p>

AI驅(qū)動(dòng)，存儲(chǔ)新周期開(kāi)啟

2026年伊始，這輪自2024年末以來(lái)的存儲(chǔ)漲價(jià)潮沒(méi)有絲毫放緩的跡象，主要系人工智能服務(wù)器需求的爆發(fā)導(dǎo)致先進(jìn)制程產(chǎn)能向HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）等高端應(yīng)用傾斜，擠壓了其他市場(chǎng)的供給，引發(fā)全行業(yè)價(jià)格快速上漲。

數(shù)據(jù)顯示，部分內(nèi)存模組現(xiàn)貨價(jià)格在一年內(nèi)漲幅高達(dá)約1800%，三星與SK海力士更計(jì)劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格提升60%~70%。同時(shí)，北方華創(chuàng)、拓荊科技等半導(dǎo)體設(shè)備龍頭股價(jià)接連刷新歷史高點(diǎn)，市場(chǎng)資金積極涌入。

多家機(jī)構(gòu)在近期研報(bào)中指出，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)將直接受益于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)原廠的高稼動(dòng)率與持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，尤其在前道制程、量測(cè)、清洗、CMP等環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)突破的企業(yè)，訂單能見(jiàn)度正在提升，因此被視為此輪存儲(chǔ)大周期的先行受益板塊，伴隨需求持續(xù)釋放，原廠擴(kuò)產(chǎn)都必須率先采購(gòu)設(shè)備，設(shè)備企業(yè)的業(yè)績(jī)能見(jiàn)度較高，成為資金在產(chǎn)業(yè)周期早期重點(diǎn)布局的方向。

產(chǎn)能擴(kuò)張

半導(dǎo)體設(shè)備需求激增

SEMI在最新發(fā)布的《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》中指出，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元，同比增長(zhǎng)13.7%，遠(yuǎn)超2024年1043億美元的紀(jì)錄，創(chuàng)下歷史新高。

AI相關(guān)投資的爆發(fā)式增長(zhǎng)成為貫穿全年的核心主線，尖端邏輯電路、存儲(chǔ)芯片及先進(jìn)封裝三大領(lǐng)域的設(shè)備需求持續(xù)旺盛，推動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模不斷突破。

2025年，芯片制造商為滿足AI加速器、高性能計(jì)算和高端移動(dòng)處理器的產(chǎn)能需求，持續(xù)加碼先進(jìn)節(jié)點(diǎn)投資，行業(yè)正加速向2nm GAA節(jié)點(diǎn)的大批量生產(chǎn)邁進(jìn)。這一過(guò)程直接拉動(dòng)了刻蝕、薄膜沉積、光刻等高端設(shè)備的需求，其中刻蝕設(shè)備因GAA制程對(duì)工藝精度的嚴(yán)苛要求，市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)超20%。

SEMI數(shù)據(jù)顯示，ASML 2025年全年EUV設(shè)備交付量達(dá)60余臺(tái)，同比增長(zhǎng)20%，臺(tái)積電、三星為主要搶購(gòu)企業(yè)；TEL發(fā)布用于GAA工藝的刻蝕設(shè)備TEO-3000，加工精度達(dá)單原子水平，2025年出貨量120臺(tái)，其中三星采購(gòu)58臺(tái)用于2nm產(chǎn)線搭建。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，中微公司的CCP刻蝕設(shè)備已成功進(jìn)入先進(jìn)制程供應(yīng)鏈，其60:1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程標(biāo)配，量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升，下一代90:1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場(chǎng)；北方華創(chuàng)的深硅刻蝕設(shè)備實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯電路制造批量應(yīng)用。

存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)同樣體現(xiàn)在細(xì)分領(lǐng)域，DRAM設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)2025年增長(zhǎng)15.4%至225億美元，而NAND設(shè)備市場(chǎng)在3D NAND堆疊技術(shù)進(jìn)步的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)45.4%至140億美元。

HBM制造流程中TSV工藝占總成本的30%，對(duì)深孔刻蝕設(shè)備、氣相沉積設(shè)備、銅填充設(shè)備的工藝精度和穩(wěn)定性提出了極高的要求。

2025年全球HBM相關(guān)設(shè)備訂單量同比增長(zhǎng)65%，其中刻蝕、沉積類設(shè)備訂單占比超過(guò)70%。

國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備制造商紛紛推出針對(duì)HBM等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的新型設(shè)備，搶占市場(chǎng)份額。拓荊科技的HBM專用ALD設(shè)備通過(guò)頭部存儲(chǔ)廠商驗(yàn)證，2025年實(shí)現(xiàn)小批量出貨。華卓精科推出的CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產(chǎn)品均作為HBM、CoWos等芯片堆疊與先進(jìn)封裝工藝的關(guān)鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得應(yīng)用。

關(guān)鍵支撐

精密陶瓷零部件不可或缺

在半導(dǎo)體制造設(shè)備中，精密陶瓷零部件的成本占比可達(dá)10%左右，雖然看似不起眼，卻是支撐整個(gè)半導(dǎo)體芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

為實(shí)現(xiàn)高制程精度，先進(jìn)陶瓷作為關(guān)鍵部件材料在以光刻機(jī)為代表的半導(dǎo)體裝備中得以大量應(yīng)用。碳化硅陶瓷具有優(yōu)良的常溫力學(xué)性能、優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性以及良好的比剛度和光學(xué)加工性能，特別適合用于制備光刻機(jī)等集成電路裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件，如用于光刻機(jī)中的精密運(yùn)動(dòng)工件臺(tái)、骨架、吸盤、水冷板以及精密測(cè)量反射鏡、光柵等陶瓷結(jié)構(gòu)件等。其次，堇青石具備高的彈性模量，可以有效抵制平臺(tái)高速移動(dòng)掃描過(guò)程中的變形，增加穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)輕量化需求，如今ASML公司已實(shí)現(xiàn)堇青石材料在光刻機(jī)移動(dòng)平臺(tái)部件中的成熟應(yīng)用及推廣。

除了應(yīng)用于移動(dòng)平臺(tái)，堇青石陶瓷還可以應(yīng)用于反射鏡及掩膜版等，如荷蘭ASML，日本NIKON、CANON等公司大量采用微晶玻璃、堇青石等材料制備光刻機(jī)反射鏡。

另外，壓電陶瓷材料以其無(wú)磁性干擾、定位分辨率高、發(fā)熱量小等特點(diǎn)廣泛用于光刻機(jī)投影物鏡中像差補(bǔ)償鏡的定位執(zhí)行器。目前商用的多層壓電驅(qū)動(dòng)器多采用固溶或摻雜改性后鋯鈦酸鉛（PZT）基壓電材料。

在半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中，采用陶瓷材料制作的部件主要有窗視鏡，氣體分散盤，噴嘴，絕緣環(huán)，蓋板，聚焦環(huán)和靜電吸盤等。尤其是在等離子刻蝕環(huán)境中，對(duì)材料的耐腐蝕性要求極高，選擇高純Al2O3涂層、Y2O3涂層或Al2O3陶瓷作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護(hù)材料。

陶瓷加熱器是半導(dǎo)體薄膜沉積等設(shè)備中的重要部件，其核心功能就是在鍍膜過(guò)程中實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓均勻加熱和溫度控制，使襯底表面上進(jìn)行高精度的反應(yīng)并生成薄膜。目前在現(xiàn)在越來(lái)越多的場(chǎng)景下，包括一些PVD沉積設(shè)備中，氮化鋁陶瓷加熱器和靜電卡盤功能會(huì)做到一起，這樣可以通過(guò)控制氮化鋁的體積電阻率，獲得大范圍的溫度域和充分的吸附力。

CMP是半導(dǎo)體制程中的關(guān)鍵技術(shù)，氧化鋁陶瓷具備致密質(zhì)、高硬度、高耐磨性的物理性質(zhì)，以及良好的耐熱性能、優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度，高溫環(huán)境仍具有良好的絕緣性、良好的抗腐蝕性等物理性能，是用于制作CMP設(shè)備關(guān)鍵耗材的絕佳材料。

而隨著HBM堆疊層數(shù)不斷攀升，先進(jìn)封裝技術(shù)如CoWoS和Chiplet正成為競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，陶瓷劈刀等封裝工具的需求也在悄然增長(zhǎng)。

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