2025年12月20日，由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟和集成電路投資創(chuàng)新聯(lián)盟主辦、ICT知識(shí)產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟協(xié)辦、愛集微承辦的“2026半導(dǎo)體投資年會(huì)暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮”在上海前灘華爾道夫酒店成功舉辦。英韌科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：英韌科技）榮獲“年度AI賦能企業(yè)先鋒獎(jiǎng)”。

作為中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟打造的年度行業(yè)高端盛會(huì)，“2026半導(dǎo)體投資年會(huì)暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮”已成為展示我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舞臺(tái)。“年度AI賦能企業(yè)先鋒獎(jiǎng)”旨在表彰2025年度在人工智能（AI）及大模型技術(shù)應(yīng)用方面表現(xiàn)卓越，成功推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)品升級(jí)、業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型或效率提升，并在行業(yè)內(nèi)產(chǎn)生示范效應(yīng)的企業(yè)。該獎(jiǎng)項(xiàng)重點(diǎn)關(guān)注企業(yè)如何積極引入AI技術(shù)及大模型實(shí)現(xiàn)智能化升級(jí)，提升競(jìng)爭(zhēng)力，并推動(dòng)行業(yè)變革。

在人工智能快速演進(jìn)的背景下，算力體系正從“以計(jì)算為中心”加速邁向“算存協(xié)同”。隨著AI應(yīng)用從集中式訓(xùn)練向分布式推理、邊緣計(jì)算全面擴(kuò)展，企業(yè)級(jí)市場(chǎng)對(duì)高帶寬、低延遲、高耐久的存儲(chǔ)能力提出了前所未有的要求，存力正成為制約AI規(guī)?；涞氐年P(guān)鍵瓶頸。

成立于2017年的英韌科技，是國(guó)內(nèi)首家以完整自研高性能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)主控芯片技術(shù)與產(chǎn)品為基礎(chǔ)，將業(yè)務(wù)逐步拓展至企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商。當(dāng)前已量產(chǎn)10顆固態(tài)硬盤主控芯片、流片均一次成功，產(chǎn)品全面覆蓋企業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)及消費(fèi)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景，其中，以AI SSD為代表的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品，已成為英韌科技的核心業(yè)務(wù)方向，廣泛服務(wù)于AI驅(qū)動(dòng)的算力中心、云服務(wù)等前沿計(jì)算場(chǎng)景。

依托自主研發(fā)能力，英韌科技持續(xù)突破人工智能時(shí)代在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與傳輸環(huán)節(jié)的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，推動(dòng)信息存儲(chǔ)核心環(huán)節(jié)的自主可控，是國(guó)內(nèi)少有的全部采用自研主控芯片的固態(tài)硬盤廠商。憑借突出的綜合實(shí)力，英韌科技已獲評(píng)國(guó)家級(jí)專精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)、國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)、上海市市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心，并入選2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)“年度創(chuàng)新IC設(shè)計(jì)公司”、中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless100排行榜TOP 10存儲(chǔ)器公司、胡潤(rùn)全球瞪羚企業(yè)等多項(xiàng)權(quán)威榜單。

在本次“年度AI賦能企業(yè)先鋒獎(jiǎng)”評(píng)選中，英韌科技獲獎(jiǎng)的AI賦能案例，源于其洞庭-N3X系列AI SSD產(chǎn)品在AI推理與邊緣計(jì)算場(chǎng)景中的創(chuàng)新實(shí)踐。

隨著AI應(yīng)用爆發(fā)式增長(zhǎng)，算力需求結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著變化，推理側(cè)對(duì)低延遲、高IOPS、高耐久存儲(chǔ)的需求快速提升。針對(duì)這一痛點(diǎn)，洞庭-N3X系列作為英韌科技AI SSD的代表性產(chǎn)品，采用英韌科技自研PCIe 5.0主控芯片與英韌優(yōu)化的數(shù)據(jù)引擎，并創(chuàng)新性引入介于HBM/DDR與傳統(tǒng)FLASH之間的高性能XL-FLASH存儲(chǔ)介質(zhì)，在性能、延遲與可靠性之間實(shí)現(xiàn)全新平衡。

通過(guò)系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)創(chuàng)新，洞庭-N3X將隨機(jī)讀取延遲降低約75%，并將每日全盤寫入量（DWPD）提升30倍以上，顯著突破傳統(tǒng)企業(yè)級(jí)SSD在實(shí)時(shí)性與耐久性方面的性能邊界。產(chǎn)品支持PCIe Gen5 x4與NVMe 2.0協(xié)議，提供800GB、1600GB、3200GB多種容量規(guī)格，并覆蓋U.2與E1.S兩種主流形態(tài)，具備良好的系統(tǒng)兼容性與擴(kuò)展能力。

在可靠性與數(shù)據(jù)安全方面，洞庭-N3X集成英韌專有的第三代4K LDPC ECC技術(shù)，并支持掉電保護(hù)（PLP）、端到端數(shù)據(jù)保護(hù)及多種數(shù)據(jù)加密機(jī)制，可滿足AI與企業(yè)級(jí)應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)完整性和安全性的嚴(yán)苛要求。

在實(shí)際應(yīng)用中，洞庭-N3X可作為緩存盤與大容量QLC SSD進(jìn)行高低搭配，實(shí)現(xiàn)冷熱數(shù)據(jù)分層存取。在人工智能推理、邊緣計(jì)算等高IOPS、低延遲場(chǎng)景下，該方案在獲得超過(guò)TLC SSD性能表現(xiàn)的同時(shí)，顯著優(yōu)化總體擁有成本（TCO），成為突破企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)路徑。

從量化指標(biāo)看，洞庭-N3X系列順序讀寫速度最高可達(dá)14 GB/s和12 GB/s，讀寫延遲低至13μs / 4μs（比常規(guī)PCIe 5.0 SSD降低約75%）；4K隨機(jī)寫入性能高達(dá)1600K IOPS，是常規(guī)PCIe 5.0 SSD的3–4倍，即使在滿載穩(wěn)態(tài)下，仍可保障邊緣應(yīng)用的快速響應(yīng)。同時(shí)，其DWPD提升30倍以上，最高可達(dá)100次，能夠充分適配寫入密集型AI與實(shí)時(shí)計(jì)算場(chǎng)景。

在行業(yè)示范層面，洞庭-N3X面向模型訓(xùn)練、模型微調(diào)及推理加速等關(guān)鍵階段，結(jié)合XL-Flash與SLC NAND，通過(guò)KV Cache等技術(shù)實(shí)現(xiàn)高并發(fā)、低延時(shí)訪問(wèn)，與傳統(tǒng)TLC SSD相比，延遲降至約1/3，寫吞吐量提升至3倍，DWPD提升17–33倍，為AI算力體系提供了更高效的存儲(chǔ)支撐。

宜鼎國(guó)際（Innodisk）嵌入式閃存事業(yè)部總經(jīng)理CC Wu亦公開表示，在AI推理與邊緣計(jì)算等高IOPS、低延遲場(chǎng)景中，N3X SSD的性能表現(xiàn)令人印象深刻，并期待在該架構(gòu)基礎(chǔ)上與英韌科技展開更深入合作。

AI應(yīng)用的復(fù)雜性與多樣性決定了存儲(chǔ)需求絕非單一產(chǎn)品可以滿足，英韌科技以“全布局”戰(zhàn)略為指導(dǎo)，構(gòu)建了完整AI SSD產(chǎn)品矩陣。從面向高性能通用場(chǎng)景的“洞庭-N3”系列，到針對(duì)大容量溫冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)優(yōu)化的“洞庭-N3Q”系列，再到追求極致性能與可靠性的“洞庭-N3X”系列，英韌科技的產(chǎn)品組合實(shí)現(xiàn)了對(duì)AI數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的多樣化覆蓋，能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝阅堋⒏咝詢r(jià)比、高可靠性的分級(jí)存儲(chǔ)解決方案。這一系統(tǒng)化布局，彰顯了英韌科技不僅具備打造“尖兵”產(chǎn)品的能力，更擁有支撐大規(guī)模AI算力部署的生態(tài)化實(shí)力。