在全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈的今天，光刻機這一芯片制造核心設備成為大國博弈的焦點。荷蘭科技領(lǐng)域?qū)＜?、長期關(guān)注ASML及全球光刻機發(fā)展的觀察者指出，中國當年大量采購、囤積ASML光刻機，有著深遠戰(zhàn)略考量——這不僅是為滿足產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，更是為了在與美國的科技競爭中打“持久戰(zhàn)”。

在芯片制造中，光刻機負責將設計電路圖精確投影到硅片上，是定義芯片制程節(jié)點、性能和良率的核心設備。按技術(shù)先進程度，光刻機可分為：

EUV光刻機（極紫外光）：制造先進制程（如5nm及以下）的關(guān)鍵設備，目前全球唯一供應商是荷蘭ASML。

DUV光刻機（深紫外光）：適用于成熟制程節(jié)點（如7nm及以上），是芯片制造的中堅力量。

由于技術(shù)壁壘極高，掌握EUV技術(shù)的企業(yè)屈指可數(shù)，ASML長期維持這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。

受美國及其盟友出口管制影響，ASML的先進EUV光刻機從未出口到中國市場。自2019年以來，美國對中國實施一系列出口限制，禁止向中國出口EUV設備，并逐步將部分先進DUV設備納入限制范圍。

因此，中國的芯片制造企業(yè)意識到兩個現(xiàn)實：1.先進EUV無法獲得，必須借助已有庫存和替代方案推進芯片制造。2.成熟制程仍有巨大市場和戰(zhàn)略價值，尤其是在5G、汽車電子、AI芯片、存儲器等領(lǐng)域?qū)?nm及以上芯片的需求仍然旺盛。

在這樣的背景下，中國企業(yè)在出口限制加碼前大量下單和采購DUV光刻機。根據(jù)市場分析機構(gòu)數(shù)據(jù)，在過去十多年里，ASML向中國交付的光刻機及相關(guān)設備累計超過1000臺級別，其中絕大多數(shù)為DUV機型。中國企業(yè)借此積累了可用于芯片制造的設備基礎(chǔ)。

有市場分析指出，中國市場對ASML舊一代DUV光刻機需求激增，就是為了規(guī)避未來出口控制的影響，并為中國半導體企業(yè)爭取更多工藝進步空間和時間。

光刻機囤積不是中國芯片產(chǎn)業(yè)的全部策略。事實上，中國芯片行業(yè)正在沿著兩條路徑同步推進：

中國晶圓代工龍頭中芯國際等企業(yè)利用已有的大量DUV光刻機，通過多重曝光技術(shù)、改進工藝等方式，突破傳統(tǒng)制程的生產(chǎn)極限。例如，有報道稱中國利用這些舊設備可以制造等效7nm節(jié)點的芯片，支撐如華為智能手機、AI芯片等產(chǎn)品的供應。

中國需求激增的同時也帶動了芯片制造整體產(chǎn)能提升。在過去一段時間里，中國的設備采購一度占到全球ASML銷售的大份額，有時候更成為全球最大的區(qū)域市場。

面對EUV技術(shù)封鎖，中國政府和企業(yè)投入大量資源發(fā)展本土光刻機及相關(guān)設備。據(jù)報道，中國正在進行自主EUV光刻機原型研發(fā)，有望在未來幾年取得技術(shù)突破。

與此同時，中國本土設備制造商在DUV光刻、光學材料、精密機械等領(lǐng)域也開始取得進展，部分產(chǎn)品已用于8nm及以上節(jié)點制造，為后續(xù)縮小與國際先進水平的差距打下基礎(chǔ)。

美國制裁主要目標是阻止中國獲得最前沿的半導體制造工具，尤其是EUV光刻機，以維持其在芯片高端制程上的領(lǐng)先優(yōu)勢。據(jù)ASML高層表示，美國的限制政策預計將使中國在芯片制造技術(shù)上落后西方10到15年。

近兩年，美國還通過施壓荷蘭政府擴大對ASML及其它先進設備的出口管制范圍，部分成熟DUV設備的出口許可也愈發(fā)嚴格。 制裁落實后，中國市場對ASML產(chǎn)品的銷售預計將有所回落，但這一局面同時促使中國更快推進自主設備研發(fā)和替代方案。

中國大量采購ASML光刻機的事實不僅反映了市場對芯片制造設備的剛性需求，也折射出在全球科技競爭中中國企業(yè)的戰(zhàn)略耐心——通過積累現(xiàn)有資源、提升制造能力、并行開發(fā)自主技術(shù)，在長期競爭中占據(jù)一席之地。

這種“打持久戰(zhàn)”的思路，是在面對短期被封鎖、高端技術(shù)受限情況下的一種務實應對，也是產(chǎn)業(yè)長期韌性與戰(zhàn)略規(guī)劃的體現(xiàn)。未來，隨著國內(nèi)光刻設備技術(shù)的發(fā)展，中國在全球芯片生態(tài)中的角色或許會變得更加多元和堅韌。

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