近日，美國知名投行高盛（Goldman Sachs）發(fā)布研究報告指出，中國自主研發(fā)的國產光刻機技術仍停留在約65納米（nm）制程，與全球先進水平存在顯著差距。據分析，這一差距大致相當于20年左右的技術積累時間，主要體現(xiàn)在缺乏高端光刻設備制造能力這一核心領域。

光刻機是半導體制造中至關重要的設備，作用相當于“納米級打印機”——將電路圖案曝光到晶圓上，是決定芯片性能、良率和先進制程的核心瓶頸。

目前全球最先進的光刻機主要分為：深紫外光刻機（DUV）：用于成熟節(jié)點，例如65nm、28nm、7nm等；極紫外光刻機（EUV）：用于先進節(jié)點，例如5nm、3nm及更先進工藝；高數值孔徑EUV（High-NA EUV）：下一代用于2nm以下節(jié)點。

全球唯一能夠量產EUV設備的企業(yè)是荷蘭公司 ASML，其設備兼具極高的技術復雜度和供應鏈集成度。單臺最新機型重達百余噸，價格超過數億美元，是世界上最昂貴的工業(yè)設備之一。

高盛報告指出，中國現(xiàn)階段自主制造的光刻機穩(wěn)定支持的最細制程約為65nm，相當于過去二十年國際領先技術的發(fā)展節(jié)點。反觀ASML過去20多年從65nm一路迭代到現(xiàn)在可支持3nm及更先進工藝的EUV系統(tǒng)，其間研發(fā)投入累積高達數百億美元。

EUV和High-NA EUV設備涉及極復雜的光學系統(tǒng)、超精密機械、超穩(wěn)定光源及納米級對位控制，需要全球數千家供應商協(xié)同，其中很多核心零部件掌握在歐美日等少數國家手中。中國光刻機公司在這些關鍵組件和核心子系統(tǒng)的能力上仍有明顯不足。

美國和荷蘭政府實施的出口管制政策，使得ASML最先進的EUV設備無法進入中國市場，這直接限制了中國高端芯片制造的設備來源。雖然中芯國際等企業(yè)能制造出7nm級別芯片，但很可能依賴的是ASML舊型號的DUV設備，同時使用多重曝光等技術“逼近”先進工藝。

ASML及其合作伙伴數十年持續(xù)投入研發(fā)，不僅有設備本身的創(chuàng)新，還形成了完整的供應鏈、人才梯隊和制造體系。中國光刻機行業(yè)雖發(fā)展迅速，但在時間積累和生態(tài)建構層面仍需跨越式努力。

盡管高盛等機構強調差距，但中國在光刻及相關領域的進步也實實在在地存在，并值得肯定：

中國企業(yè)，如上海微電子等，在DUV光刻機研發(fā)上取得了重要進展：多款國產設備已經穩(wěn)定支持90nm甚至更先進節(jié)點的曝光能力；部分浸沒式光刻系統(tǒng)能夠接近28nm水平，并實現(xiàn)交付和試運行；國產供應鏈成熟度顯著提高，國內光源、光學組件國產化比例不斷提升。

這些并非小型試驗設備，而是在中國芯片制造產業(yè)鏈中開始實現(xiàn)量產和替代進口的實質性進展。

中國芯片制造界正在探索多種技術路徑來突破傳統(tǒng)光刻的限制，例如：使用多重曝光、多圖案技術在無EUV條件下實現(xiàn)更先進工藝；加強芯片設計架構優(yōu)化、封裝創(chuàng)新，以減少對傳統(tǒng)先進制程的“絕對依賴”；核心設備如刻蝕機、薄膜沉積、檢測設備國產化率快速提升，整體制造生態(tài)更完整。

高盛及部分業(yè)內人士認為，中國光刻機技術落后ASML約20年，確實反映了當前在最先進制程設備領域的現(xiàn)實狀況，這種差距既有技術積累的原因，也與全球供應鏈與政策環(huán)境密切相關。

但這一判斷并不意味著 永遠無法追趕：中國光刻機產業(yè)在DUV層面已經實現(xiàn)重要突破，具備進入更高節(jié)點研發(fā)的基礎；國家和企業(yè)都已明確將半導體核心設備自主化作為戰(zhàn)略必爭之地；未來十年內，技術積累、人才培養(yǎng)、供應鏈完善與市場規(guī)模共同推進下，中國的設備能力有望實現(xiàn)更多突破。

對國人來說，這并非簡單的落后悲觀論，而是認識到差距與努力方向的雙重現(xiàn)實：我們既要清醒地看到挑戰(zhàn)，也要堅定地看待中國在核心科技領域不斷攻堅克難的潛力。

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