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據(jù)消息報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣擔(dān)心臺(tái)積電進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)會(huì)削弱臺(tái)灣在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，正在考慮制定新的出口規(guī)則，只允許這家全球最大的晶圓代工廠出口比其最先進(jìn)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)落后兩代的技術(shù)。如果這項(xiàng)規(guī)則得以實(shí)施，可能會(huì)減緩臺(tái)積電在美國(guó)的擴(kuò)張步伐，因?yàn)樵摴灸壳爸饕揽吭诿绹?guó)積極建設(shè)先進(jìn)的晶圓廠。

這項(xiàng)新出口政策的核心是政府的“N-2規(guī)則”，該規(guī)則僅允許將落后中國(guó)臺(tái)灣領(lǐng)先技術(shù)兩代的工藝技術(shù)出口海外。此前，中國(guó)臺(tái)灣堅(jiān)持“N-1規(guī)則”，允許臺(tái)積電出口所有落后臺(tái)灣領(lǐng)先制造工藝至少一代的技術(shù)。新規(guī)則更為嚴(yán)格；根據(jù)對(duì)“代”的計(jì)算方式，這意味著臺(tái)積電可能只能出口落后其最先進(jìn)技術(shù)兩到四年的工藝節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)中國(guó)臺(tái)灣科技委員會(huì)成員林發(fā)成的說法，按照這種方法，如果臺(tái)積電在臺(tái)灣開發(fā)出 1.2nm 或 1.4nm 級(jí)的制造工藝，那么只有其 1.6nm 級(jí)的產(chǎn)品才有資格在國(guó)外使用。

目前，臺(tái)積電位于亞利桑那州的Fab 21一期工廠能夠生產(chǎn)采用N4/N5工藝（屬于同一代）的芯片。在國(guó)內(nèi)，臺(tái)積電擁有多座已全面投產(chǎn)的晶圓廠，具備3nm級(jí)制造工藝（N3B、N3E、N3P等）的能力，并且即將開始大規(guī)模生產(chǎn)采用N2工藝節(jié)點(diǎn)（屬于2nm級(jí)）的芯片。從形式上看，臺(tái)積電的Fab 21一期工廠已經(jīng)符合N-2規(guī)則。然而，一旦臺(tái)積電在2027年開始在Fab 21二期工廠采用3nm級(jí)工藝生產(chǎn)芯片，該工廠將不再符合N2-2規(guī)則，因?yàn)镹3工藝在形式上僅比N2/N2P/A16工藝落后一代。然而，雖然 A16 是采用背面供電網(wǎng)絡(luò)的 N2P，但如果將 A16 視為全新一代產(chǎn)品，那么 Fab 21 第二階段將符合新的高科技出口框架。

林發(fā)成還強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的大部分研發(fā)人員仍留在中國(guó)臺(tái)灣，并指出公司的研發(fā)布局符合政府要求。實(shí)際上，這種工程師和科學(xué)家的集中部署確保了未來的工藝開發(fā)能夠扎根于臺(tái)灣本土，即便公司在海外建設(shè)產(chǎn)能和研發(fā)中心。林先生還強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體行業(yè)所有合格人員均受監(jiān)管，這不僅保護(hù)了知識(shí)產(chǎn)權(quán)和硬件，也保護(hù)了人力資本。

此外，還有相關(guān)人士表示，臺(tái)積電未來在美國(guó)的任何投資都將按照現(xiàn)行法律進(jìn)行審查，超過一定門檻的項(xiàng)目必須由投資委員會(huì)進(jìn)行審查。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/taiwan-considers-tsmc-export-ban-that-would-prevent-manufacturing-its-newest-chip-nodes-in-u-s-limit-exports-to-two-generations-behind-leading-edge-nodes-could-slow-down-u-s-expansion

（來源：編譯自tomshardware）

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