半導體行業(yè)迎來歷史性時刻！

英特爾正式宣布，全球首臺套刻精度達0.7納米的第二代High-NA EUV光刻機完成安裝調(diào)試，這臺被寄予厚望的ASML TWINSCAN EXE:5200B設(shè)備，不僅打破了先進制程的技術(shù)瓶頸，更直接點燃了亞1納米時代的競爭戰(zhàn)火。

對普通消費者而言，這意味著未來AI芯片、高端手機處理器將更快實現(xiàn)性能躍升，而對全球半導體產(chǎn)業(yè)來說，格局或?qū)⒂瓉眍嵏残灾貥?gòu)。

可能有人會問，0.7納米精度到底有多牛？簡單說，這相當于把兩層芯片圖案的對準誤差控制在頭發(fā)絲直徑的十萬分之一以內(nèi)。在半導體制程進入1納米以下的“埃米時代”，這種精度是繞不開的核心門檻——此前傳統(tǒng)EUV光刻機的套刻精度僅能達到數(shù)納米級別，無法支撐高密度晶體管的穩(wěn)定量產(chǎn)。

英特爾此次突破，直接將層間對準誤差壓縮到0.7納米，為其14A（約1.4nm）工藝量產(chǎn)掃清了最大障礙。

這臺“精度怪獸”的實力遠不止于此。它搭載了更高功率的EUV光源，單次曝光分辨率達到8納米，不僅能減少多重曝光次數(shù)，還能降低芯片邊緣粗糙度，大幅提升良率；產(chǎn)能方面更是實現(xiàn)關(guān)鍵突破，每小時可處理175片晶圓，目標直指200片/小時，徹底解決了初代High-NA EUV設(shè)備產(chǎn)能不足的痛點。要知道，先進制程的產(chǎn)能直接決定了芯片廠商的市場競爭力，英特爾這一步相當于為14A工藝的規(guī)?；慨a(chǎn)鋪好了快車道。

此次突破背后，是英特爾絕地反擊的野心。在晶圓代工市場，臺積電長期占據(jù)64.9%的絕對優(yōu)勢，三星緊隨其后，英特爾則一度游離在前十之外。但隨著14A工藝的推進，戰(zhàn)局正在生變。據(jù)悉，已有兩家潛在代工客戶對14A節(jié)點給出正面反饋，更有消息稱英特爾有望在2028年為蘋果非Pro版iPhone代工芯片，從臺積電手中分走關(guān)鍵訂單。而這一切的基礎(chǔ)，正是這臺0.7納米精度光刻機帶來的工藝自信。

更關(guān)鍵的是，這一進展標志著全球半導體產(chǎn)業(yè)正式邁入High-NA EUV量產(chǎn)時代。在此之前，英特爾于2023年底接收的初代EXE:5000設(shè)備僅用于技術(shù)研發(fā)，而此次EXE:5200B的驗收，證明了High-NA EUV技術(shù)從實驗室走向工廠的可行性。對整個行業(yè)而言，這將推動1納米以下工藝的普及，讓AI芯片、量子計算等前沿領(lǐng)域的技術(shù)落地速度加快，最終惠及新能源汽車、智能終端等萬千產(chǎn)業(yè)。

當然，還是會有不少的爭議與挑戰(zhàn)。有觀點認為，0.7納米是套刻精度而非制程節(jié)點，英特爾14A工藝本質(zhì)是1.4nm級別，與臺積電、三星的2nm制程處于同一競爭維度。且單臺High-NA EUV設(shè)備成本超3億美元，巨額投入能否轉(zhuǎn)化為市場優(yōu)勢仍需時間檢驗。但不可否認的是，英特爾通過率先掌握第二代High-NA EUV技術(shù)，已經(jīng)在亞1nm時代的競爭中搶占了先機。

接下來的幾年，將是半導體行業(yè)的關(guān)鍵決戰(zhàn)期。英特爾計劃2027年啟動14A工藝風線生產(chǎn)，2028年實現(xiàn)量產(chǎn)；臺積電則將A14節(jié)點量產(chǎn)鎖定在2028年左右，三星也在全力推進2nm制程。而這臺0.7納米精度光刻機的落地，絕對會讓英特爾在這場“精度與速度”的較量中，多了一張王牌。

半導體產(chǎn)業(yè)的格局是否會因此改寫？讓我們拭目以待。