在2025年末的世界半導(dǎo)體舞臺(tái)上，有一條消息正在迅速發(fā)酵：長(zhǎng)期被視為芯片制造“天花板”的光刻機(jī)技術(shù)封鎖，正顯現(xiàn)出裂縫，中國(guó)迎來(lái)了階段性重大突破。這不是空洞的口號(hào)，而是正在實(shí)實(shí)在在發(fā)生的產(chǎn)業(yè)進(jìn)程。

幾十年來(lái)，全球最先進(jìn)的芯片制造幾乎一切都繞不開一個(gè)名字——荷蘭的ASML。這家公司憑借其極紫外光（EUV）光刻機(jī)建立了全球壟斷，成為美日荷三國(guó)控制高級(jí)芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。正因如此，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期受制于人，“沒有光刻機(jī)就造不出芯片”的論調(diào)曾讓無(wú)數(shù)國(guó)人為之焦慮。

但如今，這個(gè)曾經(jīng)的絕對(duì)壁壘正在發(fā)生根本變化。

今年秋冬，中國(guó)光刻機(jī)領(lǐng)域發(fā)生了三件標(biāo)志性事件：芯上微首臺(tái)國(guó)產(chǎn)350納米光刻機(jī)通過出廠驗(yàn)收：這意味著國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用前的最后準(zhǔn)備階段，一旦交付將立即投入成熟制程芯片生產(chǎn)。2. 上海微電子的28納米浸沒式DUV光刻機(jī)進(jìn)入量產(chǎn)交付：公開數(shù)據(jù)顯示，這款機(jī)型已經(jīng)進(jìn)入芯片制造商的采購(gòu)目錄，開始出現(xiàn)在真實(shí)產(chǎn)線上，成為國(guó)產(chǎn)制造的重要設(shè)備。3. 國(guó)產(chǎn)EUV光源功率突破300瓦，已接近國(guó)際同代水平：這代表長(zhǎng)期被封鎖的極紫外光技術(shù)核心部件，中國(guó)科研機(jī)構(gòu)已取得世界級(jí)突破。

這些進(jìn)展表明，中國(guó)在光刻機(jī)的中低端與中端節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了實(shí)質(zhì)性跨越，從依賴進(jìn)口走向了真正的自主制造。

縱觀整個(gè)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)，中國(guó)與ASML之間的差距主要體現(xiàn)在三大環(huán)節(jié)：

1. DUV設(shè)備（193nm深紫外光刻機(jī)）

過去中國(guó)幾乎完全依賴進(jìn)口，而ASML曾長(zhǎng)期占全球市場(chǎng)主導(dǎo)地位。如今，國(guó)產(chǎn)設(shè)備如上海微電子、芯上微的DUV光刻機(jī)已量產(chǎn)出貨，正在替代進(jìn)口機(jī)型，這意味著傳統(tǒng)封鎖已不再絕對(duì)。

然而，要注意：雖然國(guó)產(chǎn)機(jī)型已經(jīng)能覆蓋28納米及以上成熟節(jié)點(diǎn)，但根據(jù)公開技術(shù)分析，其部分核心性能（如光源功率、生產(chǎn)效率等）距離ASML頂級(jí)機(jī)型還有一定差距。

2. EUV光源

ASML的EUV光源長(zhǎng)期是技術(shù)封鎖的關(guān)鍵。直到2024年末，中國(guó)科研團(tuán)隊(duì)才首次宣布EUV光源功率實(shí)現(xiàn)300瓦級(jí)突破，這在行業(yè)內(nèi)被視為接近國(guó)際領(lǐng)先產(chǎn)品的顯著進(jìn)步。

雖然仍有差距，但這一突破意味著技術(shù)封鎖正在瓦解。根據(jù)產(chǎn)業(yè)分析，未來(lái)3–5年內(nèi)中國(guó)在這一環(huán)節(jié)將邁入實(shí)用級(jí)別。

3. EUV投影鏡頭

這是最難啃的核心技術(shù)，目前全球依舊被少數(shù)歐美企業(yè)壟斷。但國(guó)產(chǎn)光機(jī)所等團(tuán)隊(duì)已成功將鏡片加工精度推進(jìn)到業(yè)界實(shí)用水平范圍，這說明曾經(jīng)不可突破的核心壁壘正在變化。

綜上，中國(guó)在“成熟節(jié)點(diǎn)光刻設(shè)備上國(guó)產(chǎn)化已見明顯成效，而在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)核心部件上也已接近策略性突破”。這意味著，ASML及其背后的技術(shù)封鎖正在從絕對(duì)變?yōu)橄鄬?duì)、并最終走向失效。

曾幾何時(shí)，“沒有光刻機(jī)，中國(guó)芯片就造不了”幾乎成為行業(yè)共識(shí)。今天，這一論調(diào)正在被現(xiàn)實(shí)逐步推翻。國(guó)產(chǎn)設(shè)備的批量交付與實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用，正證明中國(guó)有能力走出依賴，實(shí)現(xiàn)自主可控。

芯片制造不是單一設(shè)備堆疊，而是一個(gè)包括設(shè)備、材料、軟件、工藝與人才在內(nèi)的復(fù)雜生態(tài)系統(tǒng)。光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化的推進(jìn)，意味著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主程度大幅提升。即使在全球技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)與貿(mào)易摩擦中，這種自主能力都將為中國(guó)贏得更強(qiáng)的話語(yǔ)權(quán)。

如果中國(guó)在未來(lái)幾年的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化路徑上繼續(xù)向前推進(jìn)，尤其是在14nm至7nm領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備大規(guī)模應(yīng)用，再向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)拓展，這對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈、國(guó)際技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)格局都將產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

例如，美國(guó)及其盟友長(zhǎng)期試圖通過出口管制限制中國(guó)獲取高端芯片制造技術(shù)，以保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)。然而，技術(shù)封鎖的加劇反而可能加速中國(guó)自力更生的步伐。許多歐美產(chǎn)業(yè)觀察者也指出，這種加壓政策存在“事與愿違”的風(fēng)險(xiǎn)。

盡管進(jìn)展顯著，中國(guó)光刻機(jī)離真正商業(yè)化、規(guī)?；瘧?yīng)用、以及在高端領(lǐng)域與ASML正面競(jìng)爭(zhēng)還有差距：高端光刻機(jī)（如High-NA EUV）仍是全球研發(fā)難點(diǎn)，目前中國(guó)的研發(fā)路徑在不同技術(shù)路線中權(quán)衡，尚未實(shí)現(xiàn)完全成熟的商業(yè)系統(tǒng)。核心材料與上游光刻材料（如光刻膠等）仍高度依賴國(guó)外供應(yīng)，有觀察指出，這一短板可能使中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)在某些領(lǐng)域仍面臨回退風(fēng)險(xiǎn)。制造良率與量產(chǎn)能力與世界頂尖水平還有差距，尤其在高端工藝節(jié)點(diǎn)上。

這些都說明，中國(guó)的突破不是一蹴而就，而是長(zhǎng)期積累、逐步奪取制高點(diǎn)的過程。

中國(guó)光刻機(jī)行業(yè)的階段性飛躍，正悄然改變?nèi)蛐酒a(chǎn)業(yè)的力量對(duì)比。從量產(chǎn)成熟節(jié)點(diǎn)設(shè)備，到實(shí)現(xiàn)在關(guān)鍵技術(shù)上的突破，從依賴進(jìn)口到打造本土供應(yīng)鏈，中國(guó)正以實(shí)際行動(dòng)回應(yīng)全球技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中的挑戰(zhàn)。

如果說過去十年是“光刻機(jī)依賴論”的時(shí)代，那么未來(lái)十年或?qū)⒊蔀橹袊?guó)自主可控、技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)崛起的時(shí)代。ASML封鎖不是一夜之間倒塌，但裂縫已經(jīng)出現(xiàn)，未來(lái)格局正在被重新書寫。

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