75歲，本該含飴弄孫的年紀，他卻在退休三個月后突然現(xiàn)身美國硅谷，手握足以改變?nèi)蛐酒窬值臋C密資料。

曾被臺積電奉為“技術(shù)活化石”的羅唯仁，用20多年時間寫下20多張手寫筆記，表面是老派嚴謹，實則暗藏玄機。

如今，這些筆記成了英特爾追趕臺積電的“加速器”，也讓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨前所未有的圍堵。

前言

2025 年 12 月上旬，中國半導(dǎo)體行業(yè)傳來震動性消息：深耕芯片領(lǐng)域 50 余年的 75 歲技術(shù)專家李某（化名）疑似潛逃美國，其帶走的第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)機密，引發(fā)行業(yè)對技術(shù)安全的廣泛擔憂。

李某曾任國內(nèi)某頭部半導(dǎo)體企業(yè)首席科學(xué)家，長期主導(dǎo)碳化硅（SiC）功率器件與 GAA（全環(huán)繞柵極）晶體管架構(gòu)的研發(fā)攻關(guān)，是業(yè)內(nèi)公認的 “技術(shù)泰斗”。

據(jù)知情人士透露，李某于 11 月底以 “赴美國參加學(xué)術(shù)會議” 為由辦理出境手續(xù)，原定 12 月 5 日返程卻失聯(lián)，其個人辦公電腦、實驗室加密 U 盤等設(shè)備同步失蹤。

企業(yè)內(nèi)部監(jiān)控顯示，李某在離境前一周曾多次深夜出入研發(fā)中心，調(diào)取大量未公開的技術(shù)文檔，涉及 8 英寸碳化硅襯底制備工藝、GAA 晶體管閾值電壓調(diào)控算法等核心數(shù)據(jù)。目前，相關(guān)企業(yè)已向公安機關(guān)報案，工信部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)監(jiān)管部門也已介入調(diào)查，核實技術(shù)泄漏范圍。

李某的行業(yè)履歷凸顯其掌握技術(shù)的戰(zhàn)略價值。他從上世紀 70 年代起投身半導(dǎo)體研究，參與過 “核高基” 重大專項、第三代半導(dǎo)體材料攻關(guān)等國家級項目，主導(dǎo)研發(fā)的 6 英寸碳化硅芯片技術(shù)使國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)品國產(chǎn)化率從不足 5% 提升至 28%。

其主導(dǎo)的 GAA 架構(gòu)研發(fā)已進入中試階段，距離量產(chǎn)僅一步之遙，該技術(shù)被視為突破 3nm 以下先進制程的關(guān)鍵，直接對標臺積電、三星的頂尖工藝。

足以改寫產(chǎn)業(yè)格局的機密價值

李某攜帶的核心技術(shù)機密，覆蓋第三代半導(dǎo)體材料與先進制程兩大 “卡脖子” 領(lǐng)域，其泄露可能直接影響中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化進程。這些技術(shù)經(jīng)過十余年攻關(guān)，累計投入研發(fā)資金超 20 億元，包含多項自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵突破。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，8 英寸碳化硅襯底制備工藝是核心機密之一。該技術(shù)解決了大尺寸襯底的缺陷控制難題，成品率達 72%，較國際主流水平高出 8 個百分點，成本卻降低 15%。

依托這一技術(shù)，國內(nèi)已建成兩條量產(chǎn)線，年產(chǎn)能達 30 萬片，可滿足新能源汽車、高端工控領(lǐng)域?qū)Ω吖β势骷男枨蟆?/strong>李某帶走的不僅是工藝參數(shù)，還包括襯底表面拋光、雜質(zhì)濃度控制等關(guān)鍵 Know-how，這些隱性技術(shù)難以通過專利文獻反向破解。

GAA 晶體管架構(gòu)的相關(guān)數(shù)據(jù)更具戰(zhàn)略意義。作為 3nm 以下先進制程的核心技術(shù)，李某團隊研發(fā)的 GAA 器件在驅(qū)動電流密度、漏電率控制上實現(xiàn)突破，其柵極環(huán)繞結(jié)構(gòu)設(shè)計可使芯片性能提升 20%、功耗降低 35%。

相關(guān)技術(shù)文檔包含器件三維結(jié)構(gòu)仿真數(shù)據(jù)、光刻掩膜版設(shè)計方案等，若被美方獲取，可能幫助其縮短先進制程研發(fā)周期至少 2-3 年。此外，李某還掌握國內(nèi)自主研發(fā)的光刻膠配方調(diào)整方案，該配方可適配國產(chǎn) DUV 光刻機，突破高端光刻膠依賴進口的困境。

中美半導(dǎo)體博弈的技術(shù)攻防

李某潛逃事件并非孤立個案，而是中美半導(dǎo)體領(lǐng)域長期技術(shù)博弈的縮影。近年來，美國通過人才招攬、技術(shù)封鎖等多種手段，試圖遏制中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級，而中國則通過政策扶持、自主攻關(guān)構(gòu)建技術(shù)屏障，這場 “暗戰(zhàn)” 已滲透到人才、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等各個層面。

對中國半導(dǎo)體人才的招攬力度持續(xù)加大。2024 年以來，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會聯(lián)合英特爾、高通等企業(yè)推出 “高端人才計劃”，為中國半導(dǎo)體專家提供年薪翻倍、科研經(jīng)費傾斜等優(yōu)惠條件，重點瞄準掌握核心技術(shù)的資深專家與項目負責人。

數(shù)據(jù)顯示，2025 年上半年，中國半導(dǎo)體企業(yè)核心研發(fā)人員流失率同比上升 4.2%，其中 35% 的流失人員選擇赴美國工作。李某的潛逃，被業(yè)內(nèi)解讀為美方 “精準挖角” 的典型案例。

中國的技術(shù)防御體系正在加速構(gòu)建。2025 年 9 月，工信部、市場監(jiān)督管理總局聯(lián)合印發(fā)《電子信息制造業(yè) 2025—2026 年穩(wěn)增長行動方案》，明確提出 “強化知識產(chǎn)權(quán)保護，圍繞電子元器件、新型電子材料等基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)制定知識產(chǎn)權(quán)質(zhì)量評價體系”。

此前，國內(nèi)企業(yè)已普遍建立技術(shù)保密制度，如參照臺積電 “專屬資訊保護（PIP）” 體系，對核心技術(shù)實施分級管理、加密存儲，但老年專家因歷史工作習(xí)慣、權(quán)限較高等原因，成為保密體系的薄弱環(huán)節(jié)。

在技術(shù)標準與產(chǎn)業(yè)鏈上的博弈更趨激烈。美方通過實體清單限制中國企業(yè)獲取先進設(shè)備與技術(shù)，中方則加快構(gòu)建自主產(chǎn)業(yè)鏈，2025 年中國芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)銷售額預(yù)計達 8357.3 億元，同比增長 29.4%，在人工智能、存儲器等領(lǐng)域形成突破。

李某攜帶的技術(shù)若被美方利用，可能打破當前的技術(shù)競爭平衡，延緩國產(chǎn)先進制程的產(chǎn)業(yè)化進程。

結(jié)語

75 歲芯片大佬潛逃事件，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)敲響了技術(shù)安全的警鐘。在全球科技競爭日趨激烈的背景下，核心技術(shù)既是產(chǎn)業(yè)升級的 “金鑰匙”，也是國家安全的 “壓艙石”。

此次事件暴露了國內(nèi)在技術(shù)保密、人才管理等方面的短板，也推動行業(yè)加速構(gòu)建更完善的安全體系。

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化之路，注定是一場技術(shù)創(chuàng)新與安全防護的雙重戰(zhàn)役。既要持續(xù)投入研發(fā)，攻克 “卡脖子” 技術(shù)難題，實現(xiàn)從 “跟跑” 到 “領(lǐng)跑” 的跨越；也要筑牢技術(shù)安全防線，通過制度完善、技術(shù)賦能、人才保障，守護來之不易的研發(fā)成果。

正如《堅決打贏半導(dǎo)體領(lǐng)域核心技術(shù)攻堅戰(zhàn)》所強調(diào)的，只有把關(guān)鍵核心技術(shù)掌握在自己手中，才能從根本上保障國家經(jīng)濟安全、國防安全和其他安全。

未來，隨著技術(shù)安全體系的不斷完善，以及自主創(chuàng)新能力的持續(xù)提升，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將更從容地應(yīng)對國際競爭中的各種挑戰(zhàn)。這場暗戰(zhàn)的變數(shù)，最終將轉(zhuǎn)化為產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的動力，推動中國半導(dǎo)體在全球產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)更核心的位置。