能形成噴流的黑洞，必然是高速自轉的，即這類黑洞自轉的角速度較大，并且能形成噴流的黑洞一定也是扁平的，形狀類似于鐵餅。分析、論證如下：
根據史瓦西半徑：R=2GM/c^2，其中，R是黑洞的史瓦西半徑、M是黑洞的質量、G是萬有引力常數。在史瓦西半徑的約束下，光也不能逃逸黑洞的吸引。我在多篇文章論述道，任何物質它的輻射半徑都遵循：R=c/ω，其中，R是物質的輻射半徑、c是光速常數、ω是物質自轉的角速度。也就是說，角速度特別大的物質質量較小也能形成黑洞。
據此我們可以知道：質量越大越容易形成黑洞、角速度越大也越容易形成黑洞。我們還知道，自轉的物質，自轉軸的線速度為零。數學描述：線速度v=ωr，其中，v是物質自轉的線速度、ω是物質自轉的角速度、r是物質自轉的半徑，物質自轉軸處的半徑是零，所以物質自轉軸處的線速度v=ωr=ω0=0，也就是說，自轉不影響自轉軸方向的速度，即物質自轉的角速度不影響物質自轉軸方向的輻射。
黑洞的噴流：質量越大的黑洞，吸積產生的輻射光度往往就越大。宇宙中的星系大多十分平靜，但其中約2%的星系有劇烈的活動，其物理特征呈現(xiàn)快速、明顯的變化，主要體現(xiàn)在星系核在X射線、紫外、光學或射電波段有強烈的輻射和爆發(fā)。這些星系在活動期間爆發(fā)出的能量比銀河系一生釋放的總能量還要大，但核的活動范圍卻很小，如此強的輻射效率只有黑洞才能做到。這樣的核稱為活動星系核。目前主流的AGN模型認為，活動星系中心存在一個超大質量黑洞，它吸積周圍的氣體形成了一個約幾倍~1000倍史瓦西半徑的吸積盤，并在垂直吸積盤的方向高速噴出電子和其他電離氣體，但是在黑洞周圍稠密的氣體云團的束縛下，電子只能從氣體的最薄弱處噴射出來，形成方向十分固定的噴流。噴出的電子最快可以接近光速。據此我們可以知道：能形成噴流的黑洞必須是質量較大，并且質量分布不均勻，在自轉軸方向質量分布較小，吸積盤方向分布的質量較大，也就是說，從質量決定引力大小分析，自轉軸方向引力較小，在垂直于自轉軸方向（吸積盤方向）引力較大。據此我們可以知道，噴流只能在自轉軸方向形成。
我們再看物質的輻射半徑遵循的規(guī)律：R=c/ω，物質在自轉軸處的半徑是零，可以理解為物質的自轉不影響自轉軸處的輻射，不彎曲自轉軸方向的輻射，即自轉軸處的輻射可以直線傳播。自轉雖然不影響自轉軸方向的輻射，但是能影響吸積盤方向的輻射，在吸積盤方向上更容易形成黑洞，引力更大，更容易吸積周圍的物質，使黑洞引力變得更強，能量、質量更大，能量大到一定程度，黑洞引力較弱的自轉軸必然會釋放能量，能量從氣體的最薄弱處噴射出來，形成方向十分固定（自轉軸方向）的噴流?；谏鲜龇治觯苄纬蓢娏鞯暮诙幢仨毦邆洌嘿|量大、自轉角速度大、質量分布不均勻呈現(xiàn)鐵餅狀。
結論：能形成噴流黑洞的特征：1.必須是超大質量的黑洞；2.必須是質量分布不均勻的黑洞，自轉軸方向分布質量小，形狀類似于體育器材的鐵餅；2.必須具備較大的自轉角速度。