近日，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)消息人士透露，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部?jī)?nèi)存業(yè)務(wù)部門(mén)正式完成第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的量產(chǎn)就緒認(rèn)證（Production Readiness Approval，簡(jiǎn)稱PRA）。

作為半導(dǎo)體產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的關(guān)鍵里程碑，PRA代表內(nèi)部質(zhì)量驗(yàn)證的最終階段，標(biāo)志著HBM4的技術(shù)開(kāi)發(fā)已實(shí)質(zhì)結(jié)束，三星已全面進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)籌備。

HBM4技術(shù)亮點(diǎn)：性能躍升60%以上

HBM4在數(shù)據(jù)傳輸速率、內(nèi)存容量和I/O通道等方面實(shí)現(xiàn)全面升級(jí)。相比第五代HBM3E，其單堆棧帶寬預(yù)計(jì)提升60%以上，最高可達(dá)1.6TB/s；接口位寬從1024位翻倍至2048位；即便單通道傳輸速率維持在6.4GT/s左右，整體吞吐能力仍大幅領(lǐng)先，請(qǐng)參閱下圖。

三星采用4nm工藝制造底層邏輯芯片，并搭配10nm級(jí)DRAM顆粒，進(jìn)一步優(yōu)化功耗與散熱表現(xiàn)。此技術(shù)專為人工智能加速器和高性能計(jì)算（HPC）量身打造，將顯著提升英偉達(dá)Rubin系列GPU、谷歌TPU及微軟Azure等平臺(tái)的內(nèi)存集成度與吞吐效率。

量產(chǎn)路徑與客戶驗(yàn)證

三星已于今年上半年向英偉達(dá)等核心客戶交付HBM4樣品，并通過(guò)初步可靠性測(cè)試（包括72小時(shí)循環(huán)驗(yàn)證，錯(cuò)誤率低于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1E-18）。

隨著PRA認(rèn)證通過(guò)，只要客戶端品質(zhì)驗(yàn)證（如英偉達(dá)的GPU兼容性測(cè)試）獲批，三星即可立即啟動(dòng)量產(chǎn)。公司已預(yù)先構(gòu)建三階段生產(chǎn)路線圖：2025年第四季度首階段每月5萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2026年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化供應(yīng)。

此外，三星正與微軟、Meta及特斯拉等合作開(kāi)發(fā)定制HBM4E變體，涵蓋AI數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛應(yīng)用。相較于其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士（已于今年上半年交付HBM4樣品，計(jì)劃下半年量產(chǎn)12層版本），三星的進(jìn)度雖略顯保守，但良率已達(dá)65%，顯示出強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)業(yè)影響：AI內(nèi)存競(jìng)賽白熱化

HBM4的推進(jìn)凸顯AI基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)高性能內(nèi)存的旺盛需求，英偉達(dá)CEO黃仁勛曾要求供應(yīng)商提前半年供貨，推動(dòng)整個(gè)生態(tài)加速。三星此舉不僅鞏固其全球第二大內(nèi)存廠商地位，還將助力扭轉(zhuǎn)HBM3E市場(chǎng)份額落后的局面，目前，SK海力士占英偉達(dá)供應(yīng)70%以上，處于絕對(duì)上風(fēng)。

展望2026年，HBM4預(yù)計(jì)單價(jià)較HBM3E高60%-70%（12層版本約500美元），將進(jìn)一步推升AI硬件成本，但也為存儲(chǔ)巨頭帶來(lái)豐厚利潤(rùn)。三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon強(qiáng)調(diào)：“我們正按計(jì)劃推進(jìn)HBM4，以滿足客戶對(duì)更高能效的需求�！�

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