本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

2030年半導(dǎo)體存儲器市場將達(dá)3020億美元，HBM以33%CAGR領(lǐng)跑。

日前，全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體存儲器和存儲技術(shù)盛會—未來存儲大會（FMS）在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行。近日，F(xiàn)MS官方網(wǎng)站已發(fā)布了主題演講視頻和全體會議報告的幻燈片。

報告首先概述了半導(dǎo)體存儲器市場（由Yole Group于2025年5月創(chuàng)建，不包括嵌入式存儲器）及其發(fā)展趨勢。2024年，市場規(guī)模達(dá)到1700億美元，較上年增長78%。按產(chǎn)品類型劃分，DRAM（包括HBM）占據(jù)最大份額，達(dá)57%。HBM本身占10%。NAND閃存緊隨DRAM之后，占40%。DRAM和NAND閃存合計占97%的市場份額，表明這兩種產(chǎn)品占據(jù)了半導(dǎo)體存儲器市場的大部分份額。

其他產(chǎn)品包括占比 1.7% 的 NOR 閃存、占比 0.4% 的非易失性 SRAM 和鐵電存儲器 (NVSRAM/FRAM)、占比 0.1% 的下一代非易失性存儲器 (新興 NVM) 以及占比 0.63% 的 EEPROM 和其他產(chǎn)品。

2024年半導(dǎo)體存儲器市場（按產(chǎn)品分類）及市場規(guī)模趨勢（2020-2025年）。來源：2025年FMS，Yole集團(tuán)

同一張幻燈片還展示了2020年至2025年的市場規(guī)模趨勢。其中，2024年及之前的數(shù)據(jù)為實(shí)際數(shù)據(jù)，2025年的數(shù)據(jù)為預(yù)測數(shù)據(jù)。預(yù)計到2025年，半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模將增長18%，達(dá)到2000億美元。

到2030年，HBM將以33%的平均高增長率引領(lǐng)整體存儲器市場

演示文稿還展示了對比2024年和2030年半導(dǎo)體存儲器市場的幻燈片。2024年的數(shù)據(jù)為實(shí)際（估計）數(shù)據(jù)，2030年的數(shù)據(jù)為預(yù)測數(shù)據(jù)。預(yù)計2030年半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模將達(dá)到3020億美元，約為2024年的1.8倍。2024年至2030年的復(fù)合年增長率（CAGR）約為10%。

按產(chǎn)品類型劃分，DRAM市場規(guī)模將從2024年的970億美元增長到2030年的1940億美元，年復(fù)合增長率約為12%。HBM將推動DRAM市場增長，其市場規(guī)模將從2024年的174億美元顯著增長到2030年的980億美元。HBM市場的年復(fù)合增長率將高達(dá)約33%。

2024年半導(dǎo)體存儲器市場（實(shí)際結(jié)果）和2030年半導(dǎo)體存儲器市場（預(yù)測）來源：2025年FMS，Yole集團(tuán)

NAND閃存市場規(guī)模將從2024年的680億美元增長到2030年的1010億美元，復(fù)合年增長率(CAGR)約為7%，低于半導(dǎo)體存儲器整體10%的復(fù)合年增長率。

在其他產(chǎn)品中，NOR閃存預(yù)計將從2024年的29億美元增長到2030年的41億美元。除NOR閃存以外的其他存儲產(chǎn)品的市場增長空間不大。

到2030年，HBM比特成本將持續(xù)上漲

一份很有用的幻燈片分析了2020年至2030年HBM市場的情況。如上所述，市場規(guī)模（價值）將從2024年到2030年以33%的復(fù)合年增長率(CAGR)高速增長。相比之下，比特等效出貨量（2024-2030年）的復(fù)合年增長率略低，為31%。換句話說，每比特的成本將會上升。簡單的計算（價值/GB）顯示，2024年的每比特成本（實(shí)際每GB成本）為11.3美元，而2030年的每比特成本（預(yù)測每GB成本）將達(dá)到12.9美元。

2024 年至 2030 年晶圓加工量（每月）的復(fù)合年增長率甚至更低，僅為 18%，這表明銷售額的增長大于晶圓加工成本的增長。

如今，AI服務(wù)器與通用服務(wù)器正共同驅(qū)動新一輪存儲器超級周期，在此背景下，消費(fèi)電子的DRAM產(chǎn)能已經(jīng)被持續(xù)擠壓。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分享的預(yù)測數(shù)據(jù)，2024至2026年，AI與服務(wù)器相關(guān)應(yīng)用對DRAM產(chǎn)能的占比分別達(dá)到46%、56%及66%。除HBM需求激增外，服務(wù)器DRAM的需求也在激增，Graphics DRAM亦是如此，如英偉達(dá)RTX Pro 6000等產(chǎn)品亦消耗大量產(chǎn)能，此外AI平臺對LPDDR方案的廣泛采用進(jìn)一步擠占消費(fèi)級產(chǎn)品供給。該趨勢已呈不可逆態(tài)勢，2027年上述領(lǐng)域合計占比將突破70%。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，值得注意的是，鑒于買方資金實(shí)力雄厚，傾向于維持更高庫存水平，實(shí)際采購量將顯著超出2026年的66%、2027年的70%預(yù)測值，導(dǎo)致PC、智能手機(jī)等消費(fèi)終端可獲得的DRAM分配量進(jìn)一步收縮。

“AI服務(wù)器、GPU廠商（如英偉達(dá)）為保障產(chǎn)能，愿意為LPDDR5支付比手機(jī)廠商高出50%—60%的溢價。存儲原廠為追求更高利潤，自然優(yōu)先將產(chǎn)能分配給AI客戶?！眳茄沛帽硎?，AI吃掉的量越來越多，今年英偉達(dá)占了LPDDR產(chǎn)量的3%，明年會上升到4%，而且這是實(shí)際的需求，英偉達(dá)還會傾向把庫存建得更高，所以保守估計，英偉達(dá)真正在LPDDR5購買的量應(yīng)該會占到整個產(chǎn)業(yè)的5%到6%。

而為了應(yīng)對強(qiáng)勁需求，三大DRAM供貨商正積極提升資本支出，并規(guī)劃新廠，在未來釋放更多的產(chǎn)量。

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