本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

預(yù)估第四季最終conventional DRAM合約價(jià)將季增45-50%。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合約價(jià)上漲、出貨量季增，且HBM出貨規(guī)模擴(kuò)張，推升DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收較前一季成長(zhǎng)30.9%，達(dá)414億美元。

展望第四季，隨著原廠庫存普遍見底，出貨位元季增幅將明顯收斂。價(jià)格部分，由于云端服務(wù)供應(yīng)商(CSP)對(duì)采購價(jià)格態(tài)度較開放，其他應(yīng)用需跟進(jìn)價(jià)格漲幅，以確保原廠的供應(yīng)量，預(yù)期將導(dǎo)致先進(jìn)及成熟制程、各主要應(yīng)用的合約價(jià)快速攀升，預(yù)估第四季最終conventional DRAM合約價(jià)將季增45-50%，conventional DRAM及HBM合并的整體合約價(jià)亦將上漲50-55%。

分析第三季主要DRAM供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)，SK hynix（SK海力士）維持排名第一。受惠于產(chǎn)品售價(jià)季增、位元出貨大幅成長(zhǎng)，營(yíng)收季增12.4%，達(dá)137.5億美元，但市占在激烈競(jìng)爭(zhēng)下降至33.2%。在HBM（高帶寬內(nèi)存）和通用 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)）強(qiáng)勁表現(xiàn)的推動(dòng)下，公司本季度的 DRAM 營(yíng)收也創(chuàng)下了歷史新高。在法說會(huì)上，SK 海力士指出，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)已進(jìn)入“超級(jí)周期”，AI應(yīng)用的全面滲透正推動(dòng)存儲(chǔ)需求全面上升。公司預(yù)測(cè)，到2026年整體服務(wù)器出貨量將增長(zhǎng)15%~20%，而HBM、DRAM、NAND產(chǎn)能幾乎全部售罄。

Samsung（三星）第三季位元出貨量季增幅度優(yōu)于指引，營(yíng)收增加至135億美元，季增達(dá)30.4%，營(yíng)收市占為32.6%，維持第二名。三星指出，目前HBM3E正在量產(chǎn)中，并銷售給所有相關(guān)客戶，而HBM4樣品正在同時(shí)向主要客戶發(fā)貨。有利的價(jià)格環(huán)境和庫存價(jià)值調(diào)整等一次性成本的顯著降低有助于提高利潤(rùn)。三星預(yù)計(jì)，2025 年第四季度，DS部門的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將積極響應(yīng)人工智能和傳統(tǒng)服務(wù)器的需求，推出 HBM3E、高密度 eSSD 和其他領(lǐng)先的內(nèi)存產(chǎn)品。此外，它還將繼續(xù)擴(kuò)大行業(yè)領(lǐng)先的高附加值服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品的銷售，例如 128GB 和更高的 DDR5，以及 24Gb GDDR7。

排名第三的Micron（美光），第三季售價(jià)、位元出貨皆明顯成長(zhǎng)，推升營(yíng)收至106.5億美元，季增高達(dá)53.2%，市占大幅上升至25.7%。美光在財(cái)報(bào)中表示2026年HBM3E大部分供給已鎖定，但HBM4仍未完成談判，將在未來幾個(gè)月鎖定；HBM4（邏輯Die自研）已向客戶送樣，帶寬>2.8TB/s、速率>11Gbps，首批將于2026Q2出貨，2026H2爬坡。2027年量產(chǎn)的HBM4E邏輯Die宣布與臺(tái)積電合作，可做定制化，定制版毛利率高于標(biāo)準(zhǔn)品；預(yù)計(jì)下季度公司HBM市場(chǎng)份額將會(huì)與公司DRAM市場(chǎng)份額相匹配（20%+），2026年HBM市場(chǎng)份額更高。

南亞科、華邦電子與力積電延續(xù)第二季動(dòng)能，第三季營(yíng)收全數(shù)季增20%以上，其成熟制程產(chǎn)品逐步銜接上前三大業(yè)者轉(zhuǎn)換制程后無法滿足的市場(chǎng)。其中，Nanya（南亞科）受惠于出貨量、售價(jià)顯著季增，營(yíng)收季成長(zhǎng)高達(dá)84%，達(dá)6.3億美元。

Winbond（華邦電子）第三季出貨量、售價(jià)同樣增加，營(yíng)收為2.2億美元，季增21.4%。華邦電子表示結(jié)構(gòu)性供給缺口將導(dǎo)致DDR3和DDR4的價(jià)格在2026年繼續(xù)上漲，隨著主要玩家退出DDR4市場(chǎng)，現(xiàn)有產(chǎn)能不足以滿足長(zhǎng)期需求，公司16納米定制化內(nèi)存解決方案（CMS）制程已經(jīng)完成條件性量產(chǎn)，預(yù)計(jì)8Gb DDR4/LPDDR4將于2026年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

PSMC（力積電）營(yíng)收計(jì)算以自家生產(chǎn)之consumer DRAM為主，隨著客戶積極補(bǔ)貨，庫存去化帶動(dòng)出貨量，PSMC的DRAM營(yíng)收季增62.8%，為3,300萬美元；若加計(jì)其代工營(yíng)收，則季增36%，反映代工客戶啟動(dòng)庫存回補(bǔ)。

CounterPoint，發(fā)出示警

日前，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) CounterPoint Research 發(fā)布博文，示警全球內(nèi)存市場(chǎng)正面臨嚴(yán)峻的價(jià)格上漲壓力。當(dāng)前的供應(yīng)緊張主要源于舊款內(nèi)存芯片的短缺。為滿足人工智能（AI）領(lǐng)域的龐大需求，三星、SK 海力士等主要制造商正將產(chǎn)能優(yōu)先分配給更先進(jìn)的芯片，這直接導(dǎo)致了舊款 LPDDR4 內(nèi)存的供應(yīng)緊張。

這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移已引發(fā)市場(chǎng)價(jià)格倒掛的異�，F(xiàn)象：用于服務(wù)器和個(gè)人電腦的較新DDR5 內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)約為每吉比特（Gb）1.50 美元，而廣泛用于低端消費(fèi)電子產(chǎn)品的舊款 LPDDR4 價(jià)格卻高達(dá) 2.10 美元，甚至超過了先進(jìn)的 HBM3e 內(nèi)存。

報(bào)告強(qiáng)調(diào)，一個(gè)更廣泛且長(zhǎng)期的風(fēng)險(xiǎn)正在浮現(xiàn)，其核心驅(qū)動(dòng)力是芯片巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。傳統(tǒng)上，服務(wù)器為保證數(shù)據(jù)可靠性，普遍采用具備錯(cuò)誤糾正碼（ECC）功能的 DDR 內(nèi)存。

然而，英偉達(dá)為降低功耗，正轉(zhuǎn)向在服務(wù)器產(chǎn)品中大規(guī)模采用LPDDR 內(nèi)存，并計(jì)劃通過 CPU 層面處理錯(cuò)誤糾正。研究總監(jiān) MS Hwang 指出，這一轉(zhuǎn)變使英偉達(dá)的需求規(guī)�？氨纫患掖笮椭悄苁謾C(jī)制造商，對(duì)現(xiàn)有供應(yīng)鏈而言，這是一場(chǎng)難以迅速消化的“地震級(jí)”變革。

這一系列連鎖反應(yīng)的最終影響將廣泛波及整個(gè)消費(fèi)電子生態(tài)系統(tǒng)。高級(jí)分析師Ivan Lam 表示，最初的沖擊主要影響采用 LPDDR4 的低端智能手機(jī)制造商，但“陣痛”很快會(huì)蔓延。

報(bào)告預(yù)測(cè)，中高端智能手機(jī)的物料清單（BoM）成本可能因此增加超過 25%，這將嚴(yán)重侵蝕制造商的利潤(rùn)空間，或迫使企業(yè)上調(diào)產(chǎn)品售價(jià)，從而影響市場(chǎng)增長(zhǎng)。在產(chǎn)能受限與價(jià)格飆升的雙重壓力下，整個(gè)行業(yè)將面臨艱難的權(quán)衡與抉擇。

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