近日HBM（高帶寬內(nèi)存）新版本HBM4迎來(lái)漲價(jià)。根據(jù)英偉達(dá)供應(yīng)鏈最新完成的價(jià)格和數(shù)量談判，HBM4相較當(dāng)前約370美元的HBM3E漲價(jià)超50%，約為560美元，超出此前業(yè)內(nèi)500美元的預(yù)期。

自9月起，主流存儲(chǔ)漲價(jià)預(yù)期和持續(xù)性大幅加強(qiáng)。除了HBM，DRAM、NAND閃存、SSD和機(jī)械硬盤(pán)全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品持續(xù)面臨缺貨漲價(jià)。近期多家存儲(chǔ)原廠暫停DDR5報(bào)價(jià)，短短一周內(nèi)，DDR5現(xiàn)貨價(jià)格飆升25%。

隨著國(guó)內(nèi)外廠商不斷加強(qiáng)AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)投入，存儲(chǔ)芯片在AI爆發(fā)性需求推動(dòng)下也打開(kāi)了上漲空間。

從需求端來(lái)看，英偉達(dá)近日在開(kāi)發(fā)者大會(huì)上表示，2025-2026年周期的B系列和R系列芯片出貨量將超過(guò)2000萬(wàn)，已經(jīng)收獲超5000億美金訂單。相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈2026年高利潤(rùn)預(yù)期的置信度再次提高。

從供給端來(lái)看，因AI服務(wù)器需求好、利潤(rùn)高，存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)性調(diào)整進(jìn)一步加劇了供需失衡。全球存儲(chǔ)巨頭為追求更高利潤(rùn)，正將產(chǎn)能向HBM和DDR5傾斜，逐步關(guān)停DDR4生產(chǎn)線(xiàn)，導(dǎo)致電腦端DDR4內(nèi)存供應(yīng)被嚴(yán)重?cái)D壓。同時(shí)，由于擠占產(chǎn)能，傳統(tǒng)客戶(hù)恐慌備貨，進(jìn)一步加強(qiáng)了漲價(jià)周期的強(qiáng)度。