臨近雙十一，等著買硬件的攢機玩家們卻高興不起來，從今年下半年開始，全球的內(nèi)存價格都漲瘋了。

根據(jù)硬件評測網(wǎng)站統(tǒng)計的價格，DDR4 16GB 現(xiàn)貨價較年初暴漲 200%，甚至出現(xiàn)同容量產(chǎn)品DDR4 價格遠超 DDR5 的倒掛情況，三星、美光等巨頭一度集體暫停報價，威剛、十銓等二線內(nèi)存廠也瘋狂漲價，這場波及 DRAM、NAND 全品類的漲價潮，正深刻重構(gòu)全球存儲產(chǎn)業(yè)格局。?

從供給端來看，DDR4產(chǎn)能的"斷舍離" 直接制造了結(jié)構(gòu)性缺口。

幾個月前，三星、SK 海力士、美光三大原廠已全面停止 DDR4 新訂單，將 80% 資本開支傾斜至 HBM（高帶寬內(nèi)存）與 DDR5 等高毛利產(chǎn)品，以美光為例，其 DRAM 收入中數(shù)據(jù)中心占比已達 40%，企業(yè)級需求增速更是飆升 34%。

由于 HBM 生產(chǎn)需占用大量 3D 堆疊與先進封裝產(chǎn)能，直接擠壓了傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)量，且單條 HBM 的制造成本是 DDR5 的 5 倍以上，進一步加劇了供給矛盾。

與此同時，全球 DRAM 產(chǎn)能利用率已達 95% 的物理上限，而新增晶圓廠建設(shè)周期長達 2-3 年，最快釋放要等到 2026 年下半年。更關(guān)鍵的是，DDR4 產(chǎn)線設(shè)備多已拆除，威剛董事長陳立白就在近日的線下活動里直言 "用新設(shè)備生產(chǎn)舊產(chǎn)品根本無利可圖"，這導(dǎo)致 DDR4 缺口較預(yù)期擴大 30%，供給端的緊張態(tài)勢短期內(nèi)難以緩解。?

需求端的爆發(fā)則形成了另一重推力，AI 與消費電子需求激增也間接拉高了內(nèi)存價格。

以AI市場為例，單臺 AI 服務(wù)器對 DRAM 的需求是普通服務(wù)器的 8 倍，NAND 需求達 3 倍，OpenAI "星際之門" 計劃每月采購的 90 萬片 DRAM 晶圓，就占全球總產(chǎn)量近 40%。

TrendForce 預(yù)測，2025 年全球 AI 服務(wù)器內(nèi)存采購量同比增超 30%，直接拉動占全球需求 35% 的服務(wù)器內(nèi)存價格率先上漲 5%-10%。

與此同時，傳統(tǒng)需求增長也超預(yù)期，消費電子市場回暖疊加舊平臺依賴，讓供應(yīng)端措手不及。

目前，英特爾一些熱門服務(wù)器 CPU 仍需 DDR4 支撐，而2025 年下半年智能手機、游戲本新品又密集發(fā)布，LPDDR5X/DDR5-6400 成為標(biāo)配，暑期備貨潮進一步加劇供需矛盾；

此外，HDD 交期超一年，數(shù)據(jù)中心被迫用 QLC SSD 替代冷存儲，推動 NAND 價格單月漲幅達 31.3%，需求端的多重支撐讓內(nèi)存市場持續(xù)處于緊平衡狀態(tài)。?

最后，市場層面的預(yù)期差進一步放大了漲價效應(yīng)，缺貨的恐慌讓一些商家看到了有利可圖的機會。

有報道稱，部分經(jīng)銷商將 DDR4 現(xiàn)貨溢價 50% 出售，形成 "越漲越搶、越搶越漲" 的情況。國內(nèi)模組廠兆易創(chuàng)新透露，利基 DRAM 價格自 3 月起持續(xù)上漲，毛利率已攀升至兩位數(shù)以上。

有趣的是，國產(chǎn)化替代進程也加劇了庫存消耗，江波龍、佰維等國內(nèi)廠商成功切入阿里、騰訊供應(yīng)鏈，其 RDIMM 產(chǎn)品批量交付進一步消耗顆粒庫存，群聯(lián)電子數(shù)據(jù)顯示，9 月 PCIe SSD 控制芯片出貨量同比增 300%，直觀印證了下游補庫潮的強勁力度，市場行為的疊加讓漲價趨勢更難逆轉(zhuǎn)。?

對于這輪漲價周期的走向，行業(yè)機構(gòu)普遍看好其持續(xù)性。摩根士丹利指出，此輪漲價由 AI 驅(qū)動，與過往消費電子周期本質(zhì)不同，全球存儲市場規(guī)?；蛴?2027 年突破 3000 億美元；德邦證券則強調(diào)，DDR4 緊缺至少持續(xù)至 2026 年中，而 HBM 產(chǎn)能爬坡緩慢可能將漲價周期拉長至 3 年以上。

漲價作為半導(dǎo)體周期的正常現(xiàn)象，只是時間問題，恰好在"雙十一"這次時間點，對于普通消費者來說只能被迫承擔(dān)。