B850MPOWER是微星AMD平臺(tái)的第一張MPOWER主板，這篇文章就來(lái)實(shí)測(cè)下這張主板，看看它與其它B850能有啥不同？

測(cè)試硬件介紹

主板開(kāi)箱

▼B850MPOWER以黑色為主色，供電的散熱器部分非常大，但更顯眼的是主板下半部分的超大超寬的散熱片，它覆蓋了2個(gè)M2 SSD安裝位和芯片組。上面還有的MPOWER字樣，非常有力量感。

▼內(nèi)存插槽只有2個(gè)，但優(yōu)化了內(nèi)存布線，減少信號(hào)傳輸干擾，讓其內(nèi)存超頻能力遠(yuǎn)超主流主板。官方介紹：搭配銳龍9000時(shí)，內(nèi)存頻率可達(dá)8400+MT/s；而使用銳龍8000（APU)時(shí)，甚至能達(dá)到10200+MT/s的高頻率!

▼CPU供電接口為雙8Pin設(shè)計(jì)，供電采用12（并聯(lián)）+2+1路，搭配最大輸出60A的電流的Dr Mos。

▼主板正面有3個(gè)M2接口，散熱器和SSD都是快拆結(jié)構(gòu)。內(nèi)存旁邊和CPU插座下面的，支持PCIe 5.0 x4，為CPU直連；主板下方的支持PCIe 4.0 x4，由芯片組提供。不過(guò)B850芯片組的可用PCle通道數(shù)量比較有限，由于配置更多的M2接口，原生SATA接口就只剩下了2個(gè)了。

▼背面還有一個(gè)M.2接口，由芯片組提供，速度僅為PCIe 4.0x2。要注意使用這個(gè)M2接口后，PCB正面的PCIe 4.0 x4插槽就只能運(yùn)行在PCIe 4.0x2。

▼IO接口方面，都有標(biāo)注，就不一一介紹了。網(wǎng)絡(luò)方面，5G有線和WIFI7都有配備。

MPOWER聯(lián)盟內(nèi)存

▼微星超頻實(shí)驗(yàn)室與各大內(nèi)存品牌合作建立MPOWER聯(lián)盟，并推出配套的專屬優(yōu)化內(nèi)存產(chǎn)品。異極北極星正是這些內(nèi)存廠商之一，這款紫綬V8內(nèi)存采用國(guó)風(fēng)設(shè)計(jì)的金屬散熱馬甲，加入了古代系金印的紫色絲帶元素,讓其格外的別致。

▼紫綬V8的頻率為 6000 MT/s，時(shí)序C28，內(nèi)部為10層PCB板以及海力士的A DIE顆粒。

▼內(nèi)存頂部為紫色的亞克力設(shè)計(jì)，但可惜并無(wú)光效。

其它硬件

▼CPU為Ryzen 9 9900X，12 核 24 線程，基礎(chǔ)頻率4.4 GHz，最大加速頻率5.6 GHz，TDP為120W。銳龍?zhí)幚砥鲗/O模塊與CCD計(jì)算單元分離，帶來(lái)了發(fā)熱位置的偏移，此外銳龍9000積熱情況較上代有所好轉(zhuǎn)，但還是存在。

▼測(cè)試主機(jī)的所有使用硬件如下：

CPU：AMD 銳龍 9 9900X

主板：微星 （MSI）B850MPOWER

內(nèi)存：EG異極北極星(EG Polaris) 紫綬V8 6000MHz C28 16GBX2

顯卡：影馳（Galaxy） RTX 5070Ti 圣刃 OC

散熱：微星（MSI）MPG CORELIQUID P13 360 WHITE

電源：安鈦克（ Antec）NE1000 白色

機(jī)箱：半島鐵盒（PADO）應(yīng)龍滄溟 屏顯版 白色

CPU性能調(diào)教

9900X作為雙CCD的CPU，調(diào)教的思路并不是增加頻率，而是平衡性能，溫度和功耗。

默認(rèn)狀態(tài)

▼PBO為Auto，基本沒(méi)有頻率加成。進(jìn)行CPU負(fù)載較重的CineBench R24渲染測(cè)試（10分鐘），測(cè)試即將結(jié)束時(shí)能維持在~5GHz，期間最高溫度為76°C，最高功耗達(dá)到了162w。電壓最高為1.39v，最低1.3v，還是比較高，需要進(jìn)行降壓操作。

▼ADIA64 FPU烤機(jī)，是測(cè)試散熱器的一個(gè)傳統(tǒng)項(xiàng)目了，由于會(huì)運(yùn)行對(duì)CPU功耗最高AVX指令，能讓CPU達(dá)到最高的溫度，測(cè)試時(shí)間為10分鐘。測(cè)試快結(jié)束時(shí)，CPU頻率只有~3.8Hz，期間最高溫度為74°C，最高功耗達(dá)到了150w，主板的MOS溫度也是非常低的，只有46°C。

PBO 調(diào)教

▼如果是單CCD的CPU，在PBO Advanced選擇升頻降壓就很好了。但雙CCD的CPU由于功耗較高，再加上積熱影響，如此操作主流散熱器是hold不住的。所以優(yōu)化思路是降頻降壓，通過(guò)象征性的降低一點(diǎn)頻率（甚至可不降），以獲得更大的降壓空間，我這里最終是降低35的電壓。

▼如果對(duì)溫度特別在意，想在高頻下通過(guò)FPU測(cè)試，就得限制下PPT的功率，具體需要根據(jù)散熱器性能而定，這里最終限制為190w。

▼調(diào)教后再進(jìn)行CineBench R24測(cè)試，CPU頻率在5.4~5.5GHz，電壓降幅明顯，期間（packagae）最高溫度為84°C。最終多核得分從1716增加到了1825，性能增加~6%。如果不限制功耗，多核得分應(yīng)該在1900左右，當(dāng)然這樣溫度就不會(huì)有這樣好的表現(xiàn)了。

▼ADIA64 FPU烤機(jī)，CPU頻率基本穩(wěn)定在4.7~4.8Hz，比默認(rèn)狀態(tài)的~4.0Hz還是高了不少，CPU最高溫度為91°C，沒(méi)有碰到95°C的溫度墻。此時(shí)，主板MOS溫度也只有53°C，依舊控制的非常不錯(cuò)。

▼銳龍CPU的性能，溫度和功耗是相互影響的。對(duì)于雙CCD CPU，為了更好的溫度表現(xiàn)，就不得不犧牲一點(diǎn)點(diǎn)的性能了。另外一種優(yōu)化思路就是定頻定壓，在性能釋放方面要更好一些，但靈活性就差了一點(diǎn)。

外頻超頻

▼B850MPOWER配備了時(shí)鐘發(fā)生器，支持CPU外頻調(diào)節(jié)，讓CPU超頻有了更多的可玩性。

▼BIOS中的eCLK Mode有eCLK 0和eCLK 1兩個(gè)選項(xiàng)，如果選擇eCLK 0，PCle和SoC的外頻也會(huì)同時(shí)改變，所以這里選擇eCLK 1，可用單獨(dú)設(shè)置CPU的外頻。不過(guò)前面的優(yōu)化都是為控制CPU的溫度和功耗，如果這里再進(jìn)行CPU超頻，前面就沒(méi)有意義了，所以這里只是把外頻設(shè)置到102，簡(jiǎn)單的玩一下。

▼外頻提高后，CPUZ的單核分?jǐn)?shù)提高到了2.6%，多核分?jǐn)?shù)提高了1%，多核得分提高較少應(yīng)該是限制PPT功耗的原因。

▼由于功耗和溫度的限制，雙CCD CPU基本沒(méi)啥超頻的空間，我也是剛剛?cè)胧至艘活w9500F，有空用它來(lái)再玩玩超頻。看其它評(píng)測(cè)，單CCD CPU的外頻基本可達(dá)到105左右，還是有比較明顯的性能提高。不過(guò)超外頻需要對(duì)電壓更精細(xì)的調(diào)節(jié)，否則很難穩(wěn)定使用。

內(nèi)存超頻測(cè)試

▼由于大多數(shù)人只會(huì)購(gòu)買2條內(nèi)存，因此廠商們基本都選擇了Daisy Chain布局方案。這種方案把一內(nèi)存槽的接線串聯(lián)（菊花鏈）到另一內(nèi)存槽，裝入兩條的效果最佳，裝四條就得降頻了。而B(niǎo)850MPOWER的設(shè)計(jì)思路為：既然這樣就索性只保留2個(gè)內(nèi)存槽，通過(guò)一系列優(yōu)化設(shè)計(jì)來(lái)進(jìn)一步提高內(nèi)存的超頻性能。

內(nèi)存優(yōu)化

▼使用紫綬V8內(nèi)存，開(kāi)啟EXPO后的頻率為 6000MT/s ，時(shí)序C28-40-40-84。然后再來(lái)進(jìn)一步優(yōu)化：

(1)FCLK頻率設(shè)置成了2167MHz。

(2)開(kāi)啟Latency Killer功能。

(3)High Efficiency mode選擇真香（Balance），當(dāng)然其實(shí)開(kāi)啟爆香（Tighter）也沒(méi)有問(wèn)題，這里我求穩(wěn)了一些。

▼對(duì)比一下，優(yōu)化后，內(nèi)存讀寫速度有明顯提高，延遲也降低了不少，主板優(yōu)化內(nèi)存功能效果明顯。

▼在電壓不變的條件下，紫綬V8也有一定的優(yōu)化空間。6000MT/s C26和6200 MT/s C28都是很穩(wěn)的選擇。

內(nèi)存超頻

雖然現(xiàn)在Ryzen處理器超過(guò)6400~6600MT/s就會(huì)分頻（內(nèi)存控制器UCLK和總線頻率FCLK達(dá)到2:1），導(dǎo)致內(nèi)存延時(shí)的增加，但也獲得了更高的內(nèi)存帶寬，所以嘗試“小超”到8000MT/s，看兩種情況究竟有什么差異。

▼使用主板內(nèi)存超頻工具M(jìn)emory Try It的8000MT/s C36文檔，優(yōu)化策略和前面相同，可以通過(guò)各種常規(guī)測(cè)試，但要通過(guò)穩(wěn)定性烤機(jī)測(cè)試，時(shí)序還得提升到C38才行！

▼在8000MT/s C38下，進(jìn)行RunMemtestPro烤機(jī)測(cè)試來(lái)看下溫度表現(xiàn)，由于時(shí)間關(guān)系只是進(jìn)行10分鐘左右，內(nèi)存電壓為1.55V，內(nèi)存條最高溫度大概在55℃，在超頻后還有這樣的溫度表現(xiàn)還是非常不錯(cuò)的。

▼對(duì)比下同頻6000MT/s C28和分頻8000MT/s C36的內(nèi)存性能，后者讀寫速度提高了10~20%，延遲也下降了一點(diǎn)，這么看內(nèi)存性能的提高還是蠻明顯的。

所以內(nèi)存超頻有用嗎？

對(duì)CPU的影響

▼做了一些常規(guī)的CPU性能測(cè)試，其中7-Zip的壓縮性能和Geekbench6多核測(cè)試對(duì)內(nèi)存頻率最為敏感，高頻內(nèi)存（分頻）領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)分別為~3%和~4%。但其他幾個(gè)測(cè)試基本沒(méi)有太大的區(qū)別，并且還有低頻內(nèi)存（同頻）領(lǐng)先的情況，各項(xiàng)測(cè)試平均下來(lái)，兩者就是半斤八兩！

對(duì)游戲的影響

▼內(nèi)存頻率對(duì)游戲的影響很復(fù)雜，不同顯卡，不同分辨率，不同游戲的表現(xiàn)也不相同。使用RTX5070Ti分別測(cè)試1080p和2k分辨率的情況，在3A單機(jī)游戲方面，8000MT/s有些優(yōu)勢(shì)，但平均下來(lái)只有2%，如果是網(wǎng)游可能會(huì)更明顯些，但也不會(huì)特別大。如果是在4k分辨率下差距就會(huì)更小。

最后

通過(guò)一系列的測(cè)試，可以看到B850MPOWER通過(guò)加入時(shí)鐘發(fā)生器，讓CPU超頻有了更多的玩法，但我這里要提醒一下大家，超外頻的難度還蠻大的。

內(nèi)存超頻方面，AMD在分頻模式下超到8000MT/s也不算新鮮事，其它大神用這張主板已經(jīng)成功超越了8000MT/s。相對(duì)其它B850主板，我的感受是用這張B850MPOWER超8000MT/s更加輕松，毫無(wú)壓力。當(dāng)然分頻模式下的高頻內(nèi)存對(duì)銳龍主機(jī)性能的提升并不算明顯，如果是在intel Ultra平臺(tái)，幫助應(yīng)該會(huì)更加大些。至于為啥沒(méi)有 Ultra的MPOWER主板，大家應(yīng)該都理解，市場(chǎng)會(huì)讓主板廠家做出選擇。

其實(shí)除了超頻，B850MPOWER還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是主板正面有3個(gè)M2接口，再把正面的PCle 4.0X4轉(zhuǎn)接到M2接口，就可以實(shí)現(xiàn)主板正面安裝4塊全速的SSD。如果背面接口也能使用到，就可以安裝5塊SSD，不過(guò)這樣會(huì)有2塊運(yùn)行在半速！

最后這次的B850MPOWER這么受歡迎的最大原因，很可能還是它的售價(jià)確實(shí)不高，更符合現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下的消費(fèi)習(xí)慣。