臺(tái)積電在當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月22日舉辦的2026年北美技術(shù)論壇上透露了旗下A13（等效1.3nm）和A12（等效1.2nm）等不同制程產(chǎn)品的推出時(shí)間表。

不過，臺(tái)積電高管在談到所使用的光刻機(jī)時(shí)，表示目前還不需要用到阿斯麥的最新高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)(High-NA EUV)，因?yàn)檠邪l(fā)團(tuán)隊(duì)找到了擴(kuò)展技術(shù)的辦法，并且High-NA EUV非常貴，這類設(shè)備單臺(tái)價(jià)格超過3.5億歐元。

在不需用到阿斯麥最新High-NA-EUV光刻機(jī)的情況下，臺(tái)積電計(jì)劃繼續(xù)推進(jìn)制程迭代。2025年，臺(tái)積電發(fā)布A14（等效1.4nm）制程技術(shù)，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品于2028年量產(chǎn)。此次臺(tái)積電則推出了新一代A13制程，該制程計(jì)劃2029年投產(chǎn)，面向下一代AI、HPC（高性能計(jì)算）需求。臺(tái)積電表示，A13相比A14可節(jié)省6%的面積，設(shè)計(jì)規(guī)則與A14相容。

臺(tái)積電還預(yù)告了A12制程，相關(guān)產(chǎn)品采用了超級(jí)電軌（Super Power Rail）技術(shù)，為人工智能及高性能運(yùn)算應(yīng)用提供背面供電方案，該制程預(yù)計(jì)2029年進(jìn)入生產(chǎn)。A13和A12是A14的衍生產(chǎn)品。

此外，臺(tái)積電在N2平臺(tái)技術(shù)的基礎(chǔ)上推出了N2U，預(yù)計(jì)N2U于2028年開始生產(chǎn)。臺(tái)積電表示，公司繼續(xù)用N2U擴(kuò)展2nm平臺(tái)。

2024年公布的A16（等效1.6nm）制程，臺(tái)積電則預(yù)計(jì)在2027年量產(chǎn)，比此前預(yù)計(jì)的量產(chǎn)時(shí)間晚了1年。臺(tái)積電此次介紹，A16將是臺(tái)積電第一代使用超級(jí)電軌技術(shù)的產(chǎn)品，在A12之前就使用該技術(shù)。

先進(jìn)制程此前已貢獻(xiàn)了臺(tái)積電的主要收入來(lái)源。今年第一季度，臺(tái)積電凈利潤(rùn)5725 億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)58.3%，該季度臺(tái)積電來(lái)自先進(jìn)制程的收入占比74%。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家表示，第一季度收入增長(zhǎng)受到先進(jìn)制程強(qiáng)勁需求的推動(dòng)。

為了支撐先進(jìn)制程產(chǎn)品生產(chǎn)，臺(tái)積電正在執(zhí)行一項(xiàng)全球產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。臺(tái)積電近日預(yù)計(jì)，今年的資本支出將處于此前指引的上端，即接近560億美元。3nm方面，臺(tái)積電位于臺(tái)南的工廠將增加3nm工藝生產(chǎn)能力，位于美國(guó)亞利桑那州的工廠和在日本的第二座工廠也將生產(chǎn)3nm產(chǎn)品。2nm工藝的研發(fā)生產(chǎn)則預(yù)計(jì)從今年下半年開始稀釋臺(tái)積電的毛利率。

其他晶圓廠中，英特爾也在推進(jìn)先進(jìn)制程研發(fā)和生產(chǎn)。今年1月，英特爾發(fā)布第三代酷睿Ultra處理器，該系列芯片采用英特爾18A（等效1.8nm）制程制造。

在先進(jìn)封裝方面，臺(tái)積電此次則公布了部分生產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)積電表示，目前公司正在生產(chǎn)5.5倍光罩尺寸的CoWoS，并規(guī)劃更大尺寸的版本。一個(gè)14倍光罩尺寸的CoWoS將能整合約10個(gè)大型運(yùn)算晶粒和20個(gè)高帶寬內(nèi)存（HBM）堆疊，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品于2028年開始生產(chǎn)。2029年，臺(tái)積電計(jì)劃推出超過14倍光罩尺寸的CoWoS，并推出40倍光罩尺寸的SoW-X系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)。

在數(shù)據(jù)中心傳輸方面，臺(tái)積電則表示，緊湊型通用光子引擎將在基板上使用，實(shí)現(xiàn)光電共封裝（CPO），相關(guān)解決方案將在今年開始生產(chǎn)，相比電路板上的可插拔方案，該技術(shù)的功耗效率提升2倍，延遲減少90%。