整體性能表現(xiàn)優(yōu)于硅基IPD技術(shù)路線。

4月17日，長電科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級射頻集成無源器件（IPD）工藝驗證，通過測試結(jié)構(gòu)的試制與實測評估，公司驗證了在玻璃基底上構(gòu)建三維集成無源器件的可制造性與性能優(yōu)勢，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。

TGV IPD示意圖

據(jù)介紹，長電科技基于TGV構(gòu)建3D互連骨架，在玻璃基板上實現(xiàn)電感、電容等關(guān)鍵無源結(jié)構(gòu)的集成，并將傳統(tǒng)平面電感升級為3D結(jié)構(gòu)，以降低高頻損耗并提升器件品質(zhì)因數(shù)（Q值）。在對比評估中，3D電感在Q值等關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)顯著提升，在既定測試條件下較同等電感值的平面結(jié)構(gòu)提升接近50%。同時，整體性能表現(xiàn)優(yōu)于硅基IPD技術(shù)路線，為射頻模組的小型化、高集成度與性能指標(biāo)提升提供了可行的工程方向。

此次IPD性能突破離不開長電科技長期的研發(fā)投入，其中2025年研發(fā)投入20.86億元，同比增長21.37%，主要集中在高性能計算、下一代系統(tǒng)級封裝SiP、高可靠性汽車電子、功率能源等核心領(lǐng)域。

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，推動多芯片異構(gòu)集成封裝產(chǎn)品規(guī)?；慨a(chǎn)并持續(xù)拓展客戶群；光電合封 （CPO）產(chǎn)品實現(xiàn)客戶樣品交付，玻璃基板產(chǎn)品研發(fā)取得積極進(jìn)展，已初步驗證玻璃基板在大尺寸FCBGA的應(yīng)用；同步前瞻布局面板級高密度封裝技術(shù)（PLP）等。面向高集成度、薄型化與小型化趨勢，完善高密度3DSiP與PoP封裝解決方案，并開發(fā)適用于復(fù)雜系統(tǒng)集成的多層堆疊SiP封裝技術(shù)。

汽車電子方面，依托汽車中試線平臺，圍繞工藝智能化與量產(chǎn)高效化展開系列創(chuàng)新，通過AI驅(qū)動的2D/3D自動光學(xué)檢測與多維度物聯(lián)網(wǎng)監(jiān)控提升制造穩(wěn)定性，借助自動模具更換、去焊劑流 程簡化及自動補(bǔ)焊球項目增強(qiáng)量產(chǎn)柔性并優(yōu)化成本；電驅(qū)模塊持續(xù)完善產(chǎn)品系列并通過國際主流汽車零部件廠商認(rèn)證。

功率能源領(lǐng)域，針對新一代數(shù)據(jù)中心電源供電架構(gòu)的SIP封裝模塊及基于第三代半導(dǎo)體芯片技術(shù)的機(jī)器人、車載應(yīng)用場景高效散熱封測技術(shù)取得開拓性進(jìn)展。面向800VHVDC電氣架構(gòu)，支持多家國際頭部客戶完成打樣及終端認(rèn)證，成功進(jìn)入未來新架構(gòu)供應(yīng)鏈體系。在更高開 頻率需求下，與客戶合作完成了埋入式封裝方案芯片前處理能力升級，成功為多家客戶交付樣品； 協(xié)同客戶優(yōu)化人形機(jī)器人GaNHEMT芯片散熱方案。

2026年長電科技將加大先進(jìn)封測方案研發(fā)投入，推動2.5D/3D封裝、超大尺寸器件、高端面板級封裝、玻璃基板及光電合封等前沿領(lǐng)域的技術(shù)突破與應(yīng)用逐步落地，同步提升射頻性能及小型化解決方案。

針對此次玻璃基TGV射頻IPD實現(xiàn)性能突破，長電科技副總裁、技術(shù)服務(wù)事業(yè)部總經(jīng)理吳伯平表示：“面向AI算力芯片的迭代躍遷與6G通信的前瞻布局，長電科技將加速推進(jìn)玻璃基TGV與PSPI晶圓級IPD技術(shù)在射頻系統(tǒng)級封裝中的工程化落地。我們將深化與頭部客戶及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的協(xié)同創(chuàng)新，通過聯(lián)合開發(fā)與驗證，推動相關(guān)技術(shù)走向規(guī)?；慨a(chǎn)，為下一代邊緣計算和無線連接提供更高性能、更高集成度的系統(tǒng)級解決方案?！?/p>

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