多家外延片廠商已在2026年第二季度上調(diào)了砷化鎵產(chǎn)品價格。

作為無線通信功率放大器核心材料的砷化鎵（GaAs）襯底價格正在上漲，主要受上游關(guān)鍵金屬鎵的成本飆升推動。行業(yè)高管表示，在原材料價格持續(xù)上漲數(shù)月后，價格出現(xiàn)回落的可能性不大。供應(yīng)鏈知情人士透露，多家外延片廠商已在2026年第二季度上調(diào)了砷化鎵產(chǎn)品價格。

此次漲價主要由生產(chǎn)砷化鎵襯底所需的金屬元素鎵成本上漲推動。行業(yè)報告顯示，在近期現(xiàn)貨及小批量交易中，鎵價已逼近每公斤2000美元，約為2025年平均價格的兩倍。地緣政治不確定性進(jìn)一步加劇了供應(yīng)緊張局面。鎵主要作為鋁精煉的副產(chǎn)品生產(chǎn)，這意味著能源市場動蕩可能影響鋁產(chǎn)量，進(jìn)而給鎵的供應(yīng)帶來更多波動。

行業(yè)分析師表示，本輪鎵價上漲始于中東局勢近期升級之前，主要源于全球供需失衡，而非單純由地緣沖突導(dǎo)致。一位行業(yè)高管稱，原材料價格曾一度在單日之內(nèi)上漲兩倍，并表示除非西方國家重啟大規(guī)模鋁精煉產(chǎn)能，否則鎵價很難出現(xiàn)明顯下跌。他補充道，雖然澳大利亞有可能恢復(fù)部分產(chǎn)能，但美國大規(guī)模重啟鋁冶煉的可能性似乎不大。

由于鎵是外延片的關(guān)鍵原料，部分廠商已從第二季度開始提價，以反映襯底成本上漲。外延產(chǎn)品的調(diào)價幅度將部分取決于襯底價格及與各客戶的具體合約條款。

鎵是氮化鎵、銻化鎵、砷化鎵等化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵原料。與傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體相比，這類材料在高頻、高功率和高溫環(huán)境下具備更優(yōu)性能。它們被廣泛應(yīng)用于電動汽車電力電子器件、無線通信基礎(chǔ)設(shè)施以及數(shù)據(jù)中心電源管理系統(tǒng)。隨著人工智能服務(wù)器與高性能計算需求持續(xù)增長，對先進(jìn)功率及通信組件的需求也在上升，進(jìn)一步提升了鎵的戰(zhàn)略重要性。

目前，砷化鎵最主要的應(yīng)用仍是智能手機(jī)與 Wi-Fi 設(shè)備中的射頻功率放大器。砷化鎵外延芯片還應(yīng)用于有線電視、衛(wèi)星通信、無線基站，激光雷達(dá)與防撞雷達(dá)等汽車電子，以及航天、國防和垂直腔面發(fā)射激光器等諸多領(lǐng)域。

4英寸砷化鎵mHEMT良率突破95%

韓國納米技術(shù)研究院（KANC）在 4 英寸砷化鎵改性高電子遷移率晶體管（mHEMT）制造工藝中，實現(xiàn)了95% 以上的良率。用于半導(dǎo)體晶圓制造的砷化鎵mHEMT，是由兩種及以上元素結(jié)合制成的化合物半導(dǎo)體器件。作為突破硅基半導(dǎo)體物理極限的下一代材料，受到高度關(guān)注。其電子遷移速度是硅的 5～6 倍，基于該材料的器件結(jié)構(gòu)，即便在超高頻頻段也能實現(xiàn)無信號失真的強勁放大性能。

該器件可滿足在宇宙空間等高輻射極端環(huán)境下無故障執(zhí)行任務(wù)的嚴(yán)苛可靠性標(biāo)準(zhǔn)，是制造有源相控陣（AESA）雷達(dá)、導(dǎo)彈導(dǎo)引頭（Seeker）等尖端武器系統(tǒng)的核心器件，被譽為 “國防半導(dǎo)體之核”。

但相較于硅，砷化鎵材質(zhì)較軟、加工難度高，此前行業(yè)普遍只能制作 2～3 英寸小型晶圓。韓國本土制造配套能力仍落后于設(shè)計能力，90%以上核心器件長期依賴海外進(jìn)口。韓國納米技術(shù)研究院將原本以 2～3 英寸小型晶圓為主的制造體系，升級至4英寸大尺寸晶圓，同時實現(xiàn) 95% 的高良率，在提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品品質(zhì)的同時，取得關(guān)鍵突破。

目前，研究院已啟動收發(fā)一體化芯片（MMIC）設(shè)計所需的工藝設(shè)計套件開發(fā)。PDK 是承載半導(dǎo)體制造工藝物理特性參數(shù)的數(shù)字化設(shè)計工具集。該平臺建成后，韓國本土無晶圓廠企業(yè)可依托研究院4英寸工藝，自主設(shè)計并量產(chǎn)復(fù)雜高性能芯片，形成完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

與此同時，研究院同步推進(jìn)多項目晶圓支持服務(wù)，其模式近似 “聯(lián)合拼單”。MPW 可在同一片晶圓上整合多家企業(yè)的設(shè)計方案進(jìn)行流片，大幅降低中小 Fabless 企業(yè)單晶圓高達(dá)數(shù)億韓元的樣片試制成本。此舉將解決依賴海外代工廠帶來的長交期、高成本難題，成為強化韓國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)自主能力的核心動力。

業(yè)內(nèi)人士表示：“4 英寸晶圓工藝有望成為降低生產(chǎn)成本、大幅提升供應(yīng)速度的轉(zhuǎn)折點。尤其是95%良率，意味著該工藝已超越實驗室階段，具備實際商用與量產(chǎn)級別的穩(wěn)定性。”

*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個人觀點，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認(rèn)同，如有異議，請聯(lián)系后臺。