現(xiàn)如今放眼全球，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，美國(guó)、韓國(guó)、日本以及荷蘭，一直有著絕對(duì)的市場(chǎng)，尤其是ASML光刻機(jī)，更是被稱為“人類工業(yè)的結(jié)晶”！

相較于這些國(guó)家的半導(dǎo)體行業(yè)，中國(guó)確實(shí)有著劣勢(shì)，不過(guò)近年來(lái)，對(duì)于該項(xiàng)目的研發(fā)投入，中方始終沒(méi)有放棄。

根據(jù)日本《日經(jīng)亞洲》披露，以中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體為代表的中國(guó)芯片制造商，正著手大幅提升先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能，并設(shè)立了一個(gè)更具里程碑意義的長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)。

到2030年前后，建成一條完全依靠國(guó)產(chǎn)設(shè)備的7nm純國(guó)產(chǎn)生產(chǎn)線。

消息傳出后，全球科技圈和資本市場(chǎng)的目光再次聚焦到中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)身上。

從當(dāng)前不足2萬(wàn)片的月產(chǎn)能，到未來(lái)一至兩年內(nèi)提升至10萬(wàn)片，再到2030年前后在此基礎(chǔ)上增加50萬(wàn)片，這是中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)針對(duì)7nm及以下先進(jìn)制程制定的產(chǎn)能擴(kuò)張路線圖。

目前，中國(guó)大陸唯一具備7nm級(jí)工藝芯片量產(chǎn)能力的企業(yè)是中芯國(guó)際。

多年來(lái)，中芯國(guó)際已在上海、深圳、北京等地的晶圓廠逐步擴(kuò)大先進(jìn)工藝產(chǎn)能，半導(dǎo)體行業(yè)分析機(jī)構(gòu)測(cè)算，2025年先進(jìn)工藝月產(chǎn)能有望接近5萬(wàn)塊晶圓。

按照規(guī)劃，中芯國(guó)際計(jì)劃在2026年將其7nm產(chǎn)能翻番，這將成為當(dāng)前中國(guó)大陸大規(guī)模生產(chǎn)的最先進(jìn)工藝。

華為是目前中芯國(guó)際先進(jìn)制程最大的客戶，其多款麒麟系列處理器和昇騰系列AI運(yùn)算芯片，均基于中芯國(guó)際的N+2或N+3工藝制造。

從麒麟9030到麒麟X90處理器，中芯國(guó)際改進(jìn)版的7nm級(jí)工藝始終是這些芯片的制造基石。

不過(guò)，與臺(tái)積電、三星等行業(yè)巨頭相比，差距依然顯著，2025年全球先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的月產(chǎn)能約為220萬(wàn)片晶圓，中國(guó)在這一領(lǐng)域的全球占比尚不足5%。

產(chǎn)能翻番之后，這一比例將有所提升，但追趕之路仍然漫長(zhǎng)。

如果說(shuō)擴(kuò)產(chǎn)是短期可見的目標(biāo)，那么“純國(guó)產(chǎn)7nm生產(chǎn)線”則是一個(gè)更具挑戰(zhàn)性的長(zhǎng)遠(yuǎn)命題，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的核心瓶頸，在于半導(dǎo)體設(shè)備的全面國(guó)產(chǎn)替代。

在光刻機(jī)領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)展尤為關(guān)鍵，中芯國(guó)際已開始測(cè)試一臺(tái)國(guó)產(chǎn)浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)。

該設(shè)備由上海一家初創(chuàng)企業(yè)研發(fā)，團(tuán)隊(duì)中包含大量前華為工程師，行業(yè)專家判斷，這臺(tái)國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)距離大規(guī)模集成電路量產(chǎn)部署至少還需要兩年時(shí)間。

上海微電子的28nm浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)已進(jìn)入量產(chǎn)測(cè)試階段，核心部件國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%，支持7nm多重曝光工藝。

中芯國(guó)際的測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，該設(shè)備良率穩(wěn)定在90%以上，成本較ASML同類產(chǎn)品低三成。

在光刻機(jī)核心零部件方面，2025年夏天，杭州一家激光技術(shù)企業(yè)自主研發(fā)的全固態(tài)深紫外激光器通過(guò)中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院權(quán)威測(cè)試，其波長(zhǎng)、輸出功率等核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

光刻機(jī)的“心臟”部件由此實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化突破。

在刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程相對(duì)更快，截至2025年底，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的整體采用率已達(dá)到35%，較2024年的25%有顯著提升，其中刻蝕設(shè)備和薄膜沉積系統(tǒng)的國(guó)產(chǎn)替代率已突破40%。

北方華創(chuàng)作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，產(chǎn)品覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其5nm刻蝕機(jī)已進(jìn)入中芯國(guó)際驗(yàn)證階段。

中微公司在高端刻蝕設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)深耕，2025年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收接近50億元，同比增長(zhǎng)超過(guò)四成。

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主化戰(zhàn)略，已經(jīng)上升到國(guó)家規(guī)劃層面，2026年至2030年的“十五五”規(guī)劃將半導(dǎo)體列為戰(zhàn)略性優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域。

由十多位行業(yè)高管聯(lián)合提出的五年路線圖中，除了2030年實(shí)現(xiàn)80%芯片自給率的目標(biāo)外，還明確提出要完成全國(guó)產(chǎn)設(shè)備7nm生產(chǎn)線的建設(shè)和試運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)14nm工藝的穩(wěn)定生產(chǎn)。

通往2030年目標(biāo)的道路上，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存。

如今中國(guó)在成熟制程芯片領(lǐng)域已經(jīng)具備較強(qiáng)的全球競(jìng)爭(zhēng)力，成熟芯片產(chǎn)能約占全球30%，預(yù)計(jì)到2028年這一比例有望提升至42%。

不過(guò)在EUV光刻機(jī)、高端檢測(cè)量測(cè)設(shè)備等環(huán)節(jié)，國(guó)產(chǎn)化率仍不足10%，核心技術(shù)受制于人的局面并未根本改變。

2024年中國(guó)芯片自給率約為33%，先進(jìn)制程產(chǎn)能與國(guó)內(nèi)巨大的市場(chǎng)需求之間存在明顯缺口，技術(shù)差距仍然存在，這是業(yè)界普遍承認(rèn)的現(xiàn)實(shí)。

從不足2萬(wàn)片的月產(chǎn)能到50萬(wàn)片的遠(yuǎn)景目標(biāo)，從中芯國(guó)際的產(chǎn)能擴(kuò)張到光刻機(jī)“心臟”的國(guó)產(chǎn)化突破，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在走一條艱難但方向明確的道路。

這句樸素的話語(yǔ)，或許正是這個(gè)產(chǎn)業(yè)最真實(shí)的寫照，距離2030年還有四年時(shí)間，這條完全國(guó)產(chǎn)的7nm生產(chǎn)線能否如期建成，全球半導(dǎo)體行業(yè)都在等待答案。