全球300毫米晶圓設(shè)備支出預(yù)計將在2027年增長14%，達到1510億美元。

SEMI今日在其最新的300毫米工廠展望中報道，全球300毫米晶圓設(shè)備支出預(yù)計將在2026年增長18%，達到1330億美元，2027年增長14%，達到1510億美元。這一強勁增長反映了數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對AI芯片需求的激增，以及通過本地化工業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和供應(yīng)鏈重組，關(guān)鍵區(qū)域?qū)Π雽?dǎo)體自給自足的日益承諾。

展望未來，報告預(yù)測投資將持續(xù)增長3%，2028年達到1550億美元，2029年將再增長11%，達到1720億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“人工智能正在重塑半導(dǎo)體制造投資的規(guī)模?！薄叭?00毫米晶圓設(shè)備支出預(yù)計2027年首次突破1500億美元，行業(yè)正對推動人工智能時代所需的先進產(chǎn)能和韌性供應(yīng)鏈做出歷史性且持續(xù)的承諾。”

細分到各領(lǐng)域，邏輯與微系統(tǒng)板塊預(yù)計將引領(lǐng)設(shè)備擴張，從2027 年至 2029 年期間總投資額達 2280 億美元，這主要歸因于受次 2 納米尖端產(chǎn)能投資推動的晶圓廠領(lǐng)域強勁需求。先進節(jié)點技術(shù)對于提升芯片性能與能效至關(guān)重要，從而滿足各類 AI 應(yīng)用對芯片設(shè)計的嚴苛要求。預(yù)計更多先進節(jié)點技術(shù)將于 2027 年到 2029 年進入量產(chǎn)階段。此外，AI 性能的改善預(yù)計將推動各類邊緣 AI 設(shè)備的顯著增長。除先進節(jié)點外，所有節(jié)點以及各類電子器件的需求預(yù)計也將溫和增長，從而為對成熟節(jié)點的投資提供支撐。

內(nèi)存領(lǐng)域預(yù)計將成為設(shè)備支出中的第二大類別，從2027 年至 2029 年期間總支出將達到 1750 億美元。這段時期標志著該領(lǐng)域進入一個新的增長周期。在內(nèi)存類別內(nèi)，DRAM 設(shè)備支出預(yù)計將從 2027 年到 2029 年累計達到 1110 億美元，而同期 3D NAND 設(shè)備支出則估計為 620 億美元。

由于人工智能訓(xùn)練和推理的需求，對內(nèi)存的需求顯著增加。人工智能訓(xùn)練顯著推升了對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求，而模型推理則對存儲容量形成了巨大需求，從而推動了數(shù)據(jù)中心中NAND閃存應(yīng)用領(lǐng)域的增長。這種強勁的需求導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)鏈在短期及長期內(nèi)持續(xù)面臨高額投資，有助于緩解因傳統(tǒng)內(nèi)存周期波動可能帶來的衰退影響。

從 2027 年至 2029 年期間，全球 300 毫米晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計仍將廣泛分布于各主要半導(dǎo)體制造區(qū)域，這反映出先進節(jié)點擴展、存儲器容量增加以及政策支持的供應(yīng)鏈本地化等多種因素的綜合作用。預(yù)計中國大陸、中國臺灣、韓國以及美洲地區(qū)在此期間都將出現(xiàn)顯著的支出水平，而日本、歐洲及中東地區(qū)以及東南亞地區(qū)則將繼續(xù)從相對較小的基數(shù)上持續(xù)擴大投資。

在中國大陸，投資預(yù)計將繼續(xù)受到國內(nèi)產(chǎn)能持續(xù)擴大以及旨在增強半導(dǎo)體制造能力的國家計劃的支撐。在中國臺灣地區(qū)，支出預(yù)計將主要受到領(lǐng)先型晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)擴張的推動，包括 2 納米及以下技術(shù)。韓國的投資前景仍與內(nèi)存領(lǐng)域緊密相關(guān)，該領(lǐng)域的人工智能相關(guān)需求正支撐著新一輪的產(chǎn)能與技術(shù)升級周期。在美洲，支出預(yù)計會受到先進工藝擴展以及更廣泛強化國內(nèi)制造業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的努力的支撐。

半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)正站在技術(shù)變革與市場重構(gòu)的關(guān)鍵節(jié)點，未來五年將迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。此外，先進封裝技術(shù)正在從"配角"變?yōu)?主角"，為半導(dǎo)體設(shè)備市場創(chuàng)造新的增長極。隨著摩爾定律趨緩，先進封裝接棒前道先進制程成為后摩爾時代提升芯片性能的主力軍，尤其是CoWoS、InFO、SoIC等異構(gòu)集成技術(shù)。先進封裝，尤其是高端封裝的實現(xiàn)越來越依賴前道技術(shù)，可以說先進封裝是前道工序的衍生，在晶圓上通過硅通孔技術(shù)(TSV)和重布線層(RDL)分別實現(xiàn)縱向和橫向的互聯(lián)，需要使用薄膜沉積和刻蝕設(shè)備。這一趨勢使得傳統(tǒng)前后道設(shè)備的界限變得模糊，也為設(shè)備企業(yè)帶來新的業(yè)務(wù)機會。

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