浮柵式與BiCS FLASH第3代產(chǎn)品即將于2028年停產(chǎn)。

繼先前公告停產(chǎn)薄型小尺寸封裝（TSOP）后，鎧俠電子（中國(guó)）在今日再度向客戶發(fā)布停產(chǎn)通知，表示浮柵式（Floating Gate）與BiCS FLASH第3代產(chǎn)品即將于2028年停產(chǎn)。

根據(jù)鎧俠公告，最后采購(gòu)預(yù)測(cè)（即客戶最后一次下單數(shù)量）期限為2026年9月30日，最后出貨時(shí)間為2028年12月31日，這意味著2029年時(shí)，鎧俠已正式退出2D NAND市場(chǎng)。

鎧俠于三月初公告，基于相關(guān)基板停產(chǎn)、市場(chǎng)需求及生產(chǎn)限制等因素，鎧俠將停止供應(yīng)TSOP封裝產(chǎn)品。而TSOP封裝主要用于低容量LCNAND內(nèi)存。鎧俠當(dāng)時(shí)表示，最后采購(gòu)預(yù)測(cè)（即客戶最后一次下單數(shù)量）期限為2026年5月30日，最后采購(gòu)訂單截止日為2026年9月15日，最后出貨時(shí)間為2027年3月15日。

近年NAND Flash技術(shù)快速演進(jìn)，由于無(wú)塵室空間有限，相較主流TLC與QLC架構(gòu)，MLC的單位產(chǎn)值最低，不符合NAND原廠追求規(guī)模經(jīng)濟(jì)與資本效率的策略，因此原廠正積極集中資源于TLC、QLC與DRAM，并逐步將LCLC產(chǎn)品停產(chǎn)（EOL），而如今則連2D NAND產(chǎn)品也將停產(chǎn)。

三星電子2D NAND閃存停產(chǎn)

今年2月，有報(bào)道稱三星電子將終止華城廠區(qū)內(nèi)12號(hào)線的2D NAND Flash生產(chǎn)，轉(zhuǎn)而改造為生產(chǎn)瓶頸嚴(yán)重的1c DRAM后端制程生產(chǎn)線。業(yè)界消息表示，三星電子最快將于3月中旬停止該產(chǎn)線運(yùn)行，之后將轉(zhuǎn)換為DRAM布線等生產(chǎn)線。華城12號(hào)線月產(chǎn)能，以12英寸晶圓為基準(zhǔn)，約為8萬(wàn)～10萬(wàn)片規(guī)模。

據(jù)悉，三星電子從去年開始已向客戶告知停產(chǎn)方針。這意味著三星電子的2D NAND時(shí)代正式落幕。三星電子2002年在全球率先量產(chǎn)1Gb級(jí)NAND閃存，登頂閃存市場(chǎng)首位。此后在2013年成功量產(chǎn)3D V-NAND，推動(dòng)業(yè)界技術(shù)范式轉(zhuǎn)向垂直堆疊結(jié)構(gòu)。自3D NAND首次量產(chǎn)后約13年，2D NAND最后一座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)正式關(guān)閉。

三星電子在上年第四季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)電話會(huì)議上也曾提及“包括平面NAND停產(chǎn)在內(nèi)，將老舊工藝轉(zhuǎn)向先進(jìn)工藝”。2D NAND曾部分用于U盤等低價(jià)存儲(chǔ)設(shè)備，但隨著向3D NAND轉(zhuǎn)換完成，需求大幅下滑，主要NAND廠商均已完成3D轉(zhuǎn)型。韓國(guó)國(guó)內(nèi)減少的NAND產(chǎn)能預(yù)計(jì)將由中國(guó)西安工廠承接。三星電子正在推進(jìn)將西安工廠3D NAND工藝升級(jí)至先進(jìn)世代。

12號(hào)線將改造為DRAM后端制程產(chǎn)線。后端制程（End Fab）是在前道工序中負(fù)責(zé)金屬布線與最終收尾等后半段工藝的設(shè)施。12號(hào)線將分擔(dān)華城廠區(qū)內(nèi)其他DRAM產(chǎn)線的產(chǎn)能，有望提升整體生產(chǎn)效率。

本次措施是三星電子擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能戰(zhàn)略的一環(huán)。三星電子正在平澤與華城廠區(qū)同步擴(kuò)大1c DRAM投資。平澤P4產(chǎn)線原本設(shè)計(jì)為可同時(shí)生產(chǎn)DRAM、NAND、代工的混合型晶圓廠，但近期已將投資重心轉(zhuǎn)向DRAM。現(xiàn)有華城產(chǎn)線也在推進(jìn)將舊世代DRAM工藝升級(jí)為1c工藝的投資，再加上本次12號(hào)線改造為后端制程。業(yè)界認(rèn)為，待相關(guān)投資完成后，1c DRAM在三星電子整體DRAM產(chǎn)能中將占據(jù)相當(dāng)高的比重。

2026年MLC NAND Flash產(chǎn)能將年減41.7%

TrendForce此前表示，隨著國(guó)際主要NAND Flash制造商退出或減少M(fèi)LC NAND Flash生產(chǎn)，并集中資本支出與研發(fā)資源在先進(jìn)制程，預(yù)估2026年全球MLC NAND Flash產(chǎn)能將年減41.7%，供需失衡情況加劇。

由于供給急縮且短期未有具規(guī)模、可快速承接的產(chǎn)能，2025年第一季底開始，MLC NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)明顯追貨、提前鎖量現(xiàn)象，價(jià)格顯著上漲。

TrendForce表示，MLC NAND Flash的終端需求持穩(wěn)，主要來(lái)自工控、車用電子、醫(yī)療設(shè)備和網(wǎng)通等，皆對(duì)產(chǎn)品可靠度、寫入壽命、長(zhǎng)期供貨承諾要求較嚴(yán)格。然而，以上需求的長(zhǎng)期成長(zhǎng)幅度有限，且若部分應(yīng)用加速導(dǎo)入強(qiáng)化版TLC解決方案，或整體NAND Flash市場(chǎng)景氣明顯反轉(zhuǎn)，MLC產(chǎn)品價(jià)格仍可能間接承壓。

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