ASML又有新挑戰(zhàn)者！

據(jù)報道，挪威初創(chuàng)企業(yè)Lace Lithography 獲得微軟支持，完成4000萬美元A輪融資，用于研發(fā)一款芯片制造設備，該設備不使用光線，而是采用氦原子束在硅片上進行圖形加工。Lace聲稱其技術可制造出比當前光刻系統(tǒng)小 10倍的芯片結構：光束寬度僅0.1 納米，而 ASML 的 EUV 光刻機所用波長為 13.5 納米。Lace 目標是在2029 年前在試點晶圓廠投入測試設備。

Lace 系統(tǒng)的優(yōu)勢在于原子不存在衍射極限，而包括 ASML 的 EUV 在內，基于光子的光刻技術都會受所用光波長的限制。隨著芯片廠商不斷縮小結構尺寸，只能依靠愈發(fā)復雜的多重曝光技術繞過這一限制，但 Lace 用中性氦原子替代光子，光束寬度約等于單個氫原子，從根本上避開了該問題。

Imec 光刻科學總監(jiān) John Petersen 表示，這一技術路線可將晶體管及其他結構尺寸再縮小一個數(shù)量級，達到 “幾乎難以想象” 的水平。Lace 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Bodil Holst 稱，該技術可讓芯片廠商實現(xiàn) “終極原子級分辨率” 的晶圓加工。

Lace 將其系統(tǒng)稱為BEUV，即 “超越 EUV”。該公司由卑爾根大學物理學家 Holst 與聯(lián)合創(chuàng)始人 Adrià Salvador Palau 于 2023 年創(chuàng)立，目前在挪威、西班牙、英國和荷蘭擁有50 多名員工，并于上月在 SPIE 2026 先進光刻與圖形化會議上公布了相關研究成果。

如今，越來越多初創(chuàng)企業(yè)正在研發(fā)可替代 ASML 近乎壟斷地位的先進光刻技術，Lace 便是其中一員。美國的 Substrate 與 xLight 均在開發(fā)基于粒子加速器的光源，用于 EUV 或 X 射線光刻，其中 xLight 獲得美國政府1.5 億美元資助。佳能已于 2024 年 9 月向德州電子研究院交付首臺納米壓印光刻設備。

但 Lace 的技術路線與上述企業(yè)均不相同：Substrate 和 xLight 仍依賴光子，而 Lace完全放棄電磁輻射，這也意味著其技術目前沒有可直接對接的工藝流程生態(tài)。

盡管 Lace 已造出原型系統(tǒng)，實驗室到量產(chǎn)之間的差距依然巨大。公司目前計劃2029 年在試點產(chǎn)線部署測試設備，而真正進入大規(guī)模量產(chǎn)仍需漫長時間。ASML 耗費數(shù)十年、數(shù)十億美元才將 EUV 從研究概念變?yōu)樯逃卯a(chǎn)品，即便資金充裕的新入局者，要實現(xiàn)商業(yè)化仍前路漫長。

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