1、GPU早期電源方案迭代解析

·早期電源方案形態(tài)對(duì)比：N100在2019年之前已完成開發(fā)，當(dāng)時(shí)采用美國Micro公司的電源方案，通過兩級(jí)電壓轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)供電：第一級(jí)將40-60伏不穩(wěn)定直流電壓轉(zhuǎn)換為48伏穩(wěn)定輸出，第二級(jí)再將48伏轉(zhuǎn)換為0.X伏，轉(zhuǎn)換無變壓器，變比較高。該方案由4個(gè)模塊構(gòu)成，安培功率在400-500瓦之間，兩級(jí)效率分別達(dá)99%、97%，但模塊成本較高，這是其被替代的核心原因。從Hopper一代開始，電源方案切換為VRM（電壓調(diào)整模塊）方案，該方案2003年起源于Intel CPU服務(wù)器領(lǐng)域，核心部件為控制器與Driver MOS，其中Driver MOS是將驅(qū)動(dòng)與兩個(gè)MOS管合封在一個(gè)芯片中。Driver MOS有5×6封裝形式，電流等級(jí)涵蓋70安培、90安培，Hopper一代主要使用90安培型號(hào)。在Hopper八卡服務(wù)器中，單張小卡需用約60顆Driver MOS，搭配3-4顆控制器，兩者單顆市場單價(jià)均在1-2美金；整套服務(wù)器除8張小卡的Driver MOS用量外，底部大板需20幾顆到30幾顆，兩個(gè)CPU板需50-70顆，構(gòu)成完整器件用量配置。

·Driver MOS冗余與控制邏輯：Driver MOS在服務(wù)器中存在冗余設(shè)計(jì)，核心原因有二：一是AI服務(wù)器小卡散熱條件有限，標(biāo)稱90安培的額定電流無法長時(shí)間滿載運(yùn)行，實(shí)際通常運(yùn)行在20幾安培；二是降壓芯片效率曲線呈拋物線狀，負(fù)載在20%-30%區(qū)間時(shí)效率最高，20幾安培運(yùn)行時(shí)效率達(dá)94-95%，滿載90安培運(yùn)行時(shí)效率僅80%+，為保障效率處于最優(yōu)區(qū)間，因此設(shè)置冗余?？刂破髋cDriver MOS的搭配需根據(jù)板上電源軌數(shù)量確定，單個(gè)控制器最多可輸出8路，實(shí)際用量結(jié)合硬件配置調(diào)整。同時(shí)，控制器對(duì)Driver MOS具備動(dòng)態(tài)控制機(jī)制：負(fù)載較大時(shí)開啟全部相數(shù)以滿足供電需求；負(fù)載較小時(shí)自動(dòng)關(guān)閉部分相數(shù)，節(jié)省功耗、優(yōu)化供電效率。

·Driver MOS開關(guān)頻率特性：Driver MOS開關(guān)頻率標(biāo)稱值可達(dá)1.5-3兆赫茲，但在GPU大功率場景中，實(shí)際運(yùn)行頻率通常控制在500-800千赫茲，因開關(guān)頻率越高，芯片開通次數(shù)越多、損耗越大，運(yùn)行效率越低。日常運(yùn)行時(shí)，Driver MOS維持在較低開關(guān)頻率區(qū)間以平衡效率與損耗；當(dāng)負(fù)載突然增加時(shí)，多相Driver MOS交錯(cuò)開關(guān)，等效頻率可提升，例如單相同步頻率500千赫茲，十項(xiàng)疊加后等效頻率可達(dá)5兆赫茲，以此滿足瞬間提升的功率需求，兼顧供電穩(wěn)定性與運(yùn)行效率。

2、Blackwell與Rubin電源方案升級(jí)

·Blackwell電源方案配置詳解：Blackwell服務(wù)器有兩種形態(tài)：一是八卡形態(tài)服務(wù)器，單GPU功耗從700瓦提升至1.2千瓦，專用Driver MOS數(shù)量增加有限，單小卡為60-70顆，大板為20-30顆，整體形態(tài)無明顯變化；二是NBL機(jī)架服務(wù)器，分為計(jì)算托盤與交換托盤，單個(gè)計(jì)算托盤配4個(gè)GPU加2個(gè)CPU，Driver MOS用量約300顆：CPU部分共20幾顆，每個(gè)CPU約10顆；剩余280顆分配給4個(gè)GPU，折算后單GPU約70顆，電感與Driver MOS配置比例為2:1，即單GPU配35顆電感。整機(jī)用量上，NBL機(jī)架含18個(gè)計(jì)算托盤，對(duì)應(yīng)Driver MOS總量為18×300=5400顆；9個(gè)交換托盤按單盤30顆計(jì)算，總量為270顆，整機(jī)Driver MOS總量約5700顆。技術(shù)層面，Blackwell與Hopper方案延續(xù)性強(qiáng)，均采用90安培Driver MOS，核心器件參數(shù)一致。

3、下一代電源架構(gòu)技術(shù)展望

·高密度架構(gòu)技術(shù)路徑解析：下一代電源架構(gòu)核心方向包括垂直供電、模塊化方案、PCB埋嵌三種技術(shù)路徑：a.商業(yè)化現(xiàn)狀：模塊化方案應(yīng)用成熟，特斯拉Dojo2021年發(fā)布，2023-2024年量產(chǎn)，25個(gè)D1芯片封裝于大腔體中，每個(gè)芯片背面由6個(gè)模塊供電；AMD、AWS、Google及國內(nèi)2024-2026年上市的AI初創(chuàng)公司等均采用模塊化方案，多布局于正面；Intel的OAM卡采用離散芯片加電感方案，將電感移至模塊背面解決布局問題。垂直供電可將供電器件或模塊移至板子背面甚至主芯片底部，縮短供電距離以減少PCB損耗、提升端到端效率，但需做出妥協(xié)：正面模塊高度可達(dá)9毫米，移至背面后需降至4-5毫米，會(huì)導(dǎo)致模塊效率略有損失，同時(shí)需綜合考量散熱、高度限制、器件選型等因素。PCB埋嵌技術(shù)仍處研究階段，雖可嵌入電容減小模塊高度，但面臨散熱與可靠性核心瓶頸，1-3年內(nèi)難以商用，當(dāng)前更可行的路線是提升模塊集成度或通過其他方式節(jié)省空間。b.優(yōu)劣勢對(duì)比：模塊化方案集成度持續(xù)提升，從簡單堆疊向嵌入電容、采用薄電感演進(jìn)；垂直供電在效率優(yōu)化上更具優(yōu)勢，但需平衡多維度因素；PCB埋嵌短期商用障礙顯著。

·供電結(jié)構(gòu)演進(jìn)路徑分析：不同廠商電源架構(gòu)選擇與芯片設(shè)計(jì)密切相關(guān)：a.廠商路線差異：英偉達(dá)憑借NVLink技術(shù)，可使GPU旁無需預(yù)留大量高速信號(hào)線布線空間，電源芯片能近距離布局，同時(shí)采用離散芯片加電感的回流焊方案，成本遠(yuǎn)低于模塊化方案——AMD 500瓦方案采用24個(gè)模塊，成本約200多美金，而英偉達(dá)離散方案中芯片單價(jià)1.5美金，電感單價(jià)0.8-1美金，整體成本大幅降低，因此英偉達(dá)在現(xiàn)有方案可行的情況下，暫不會(huì)轉(zhuǎn)向模塊化路線。b.技術(shù)落地難點(diǎn)：Interposer內(nèi)部埋線技術(shù)實(shí)施難度極高，核心障礙為散熱問題，與先進(jìn)封裝技術(shù)結(jié)合難度大；集成電壓調(diào)節(jié)器（IVR）技術(shù)雖已在消費(fèi)類低功耗CPU、英特爾三四百瓦CPU中商用，如蘋果筆記本主芯片開關(guān)頻率達(dá)十幾兆，但要應(yīng)用于3000多瓦的GPU中，技術(shù)仍不成熟，1-2年內(nèi)難以商用。c.結(jié)構(gòu)演進(jìn)方向：當(dāng)前多采用多級(jí)轉(zhuǎn)換架構(gòu)，未來有兩種簡化思路，一是簡化為800伏直接轉(zhuǎn)12伏，仍采用VRAM方案；二是保留48伏級(jí)，將其轉(zhuǎn)至2-3伏左右，再通過芯片內(nèi)部的IVR轉(zhuǎn)至零點(diǎn)幾伏，目前更具可行性的是第一種思路，后續(xù)再逐步過渡到高壓轉(zhuǎn)中壓后用IVR轉(zhuǎn)換的架構(gòu)。

4、電源器件材料技術(shù)分析

·氮化鎵應(yīng)用前景剖析：a. 研發(fā)與產(chǎn)品進(jìn)展：英特爾三四年前已研發(fā)出氮化鎵Driver MOS技術(shù)，但未實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用；英諾賽科已推出可將十幾伏電壓轉(zhuǎn)成零點(diǎn)幾伏的氮化鎵Driver MOS產(chǎn)品，但行業(yè)內(nèi)主流模擬公司、芯片公司并未跟進(jìn)該技術(shù)路線。

b. 替代硅基的核心障礙：當(dāng)前12伏轉(zhuǎn)0.7伏（GPU、Memory等芯片所需電壓）環(huán)節(jié)采用硅基BCD模擬工藝，效率僅為94%左右，遠(yuǎn)低于PSU環(huán)節(jié)的97.5%、IBC環(huán)節(jié)的98%，氮化鎵方案未解決該環(huán)節(jié)效率偏低的核心問題；此外，氮化鎵開關(guān)頻率高，會(huì)干擾大板信號(hào)完整性與電磁兼容，存在技術(shù)待攻克點(diǎn)；從性價(jià)比來看，模擬公司自研相關(guān)技術(shù)利潤空間不足，采購英諾賽科產(chǎn)品也不具性價(jià)比，因此暫不具備商業(yè)化條件。

c. 適用場景與時(shí)間節(jié)點(diǎn)：預(yù)計(jì)2028-2029年，氮化鎵在高壓側(cè)的成本可接近硅基，在800伏或正負(fù)400伏高壓直流、固態(tài)變壓器推廣場景下，應(yīng)用會(huì)逐漸增多；目前已有廠商將其用于高壓側(cè)轉(zhuǎn)換，如800伏轉(zhuǎn)12伏、800伏轉(zhuǎn)50伏的拓?fù)渲小?/p>

·碳化硅與氮化鎵應(yīng)用對(duì)比：a. 當(dāng)前應(yīng)用格局：在HVDC 800伏架構(gòu)中，碳化硅用量更多，是當(dāng)前的主流材料。

b. 替代趨勢：隨著氮化鎵技術(shù)成熟、成本下降，未來其在高壓側(cè)的應(yīng)用比例會(huì)逐步提升，有望部分替代碳化硅。

c. 混合應(yīng)用方案與案例：已有廠商采用碳化硅+氮化鎵混合技術(shù)實(shí)現(xiàn)高壓轉(zhuǎn)換，如羅姆推出采用氮化鎵技術(shù)的相關(guān)方案，馬碧塔斯主導(dǎo)用氮化鎵實(shí)現(xiàn)800伏轉(zhuǎn)48伏或12伏，采用碳化硅加氮化鎵的混合應(yīng)用，而非純氮化鎵技術(shù)。

d. 未來應(yīng)用展望：在800伏或更高電壓的高壓場景下，氮化鎵的應(yīng)用會(huì)持續(xù)增加，與碳化硅形成差異化應(yīng)用布局。

5、電源器件供應(yīng)鏈格局解析

·海外廠商供應(yīng)鏈布局梳理：a. 英偉達(dá)不同世代GPU的Driver MOS供應(yīng)商迭代清晰：Hopper世代主要以NPS為主；Blackwell世代引入英飛凌、瑞薩兩家供應(yīng)商，LUBING世代仍維持這幾家的使用格局；理想狀態(tài)下三家供應(yīng)商份額各約三成，但受各廠商（無論IDM還是Fabless模式）產(chǎn)能、供應(yīng)穩(wěn)定性等問題影響，實(shí)際份額難以精準(zhǔn)確定。b. 其他ASIC或TPU廠商多采用模塊方案，海外主流玩家包括與英飛凌合作的臺(tái)達(dá)、與瑞薩合作的偉創(chuàng)力，以及自主研發(fā)模塊為主的NPS，海外廠商TI也在布局相關(guān)模塊方案；國內(nèi)初創(chuàng)公司如南京能力新、上海配源、武漢杰恩迪也布局模塊產(chǎn)品，試圖切入海外供應(yīng)鏈。

·國內(nèi)廠商突圍路徑分析：a. 國內(nèi)廠商杰華特的Driver MOS已實(shí)現(xiàn)多場景落地：70安培Driver MOS多年前已量產(chǎn)，應(yīng)用于消費(fèi)類筆記本（國內(nèi)H公司采用該方案，英特爾也有意將其推廣給國內(nèi)其他筆記本廠商）和服務(wù)器領(lǐng)域，已取得部分商用成果；90安培Driver MOS作為當(dāng)前主流產(chǎn)品，也獲得小范圍商用，如H公司有使用，但目前尚未進(jìn)入海外大廠供應(yīng)鏈體系。b. 國內(nèi)廠商進(jìn)入海外大廠供應(yīng)鏈面臨雙重壁壘：一是客戶合作關(guān)系壁壘，海外服務(wù)器廠商在迭代中傾向于沿用長期合作的海外供應(yīng)商，若上一代供應(yīng)鏈無問題則不會(huì)輕易替換；二是技術(shù)與驗(yàn)證壁壘，海外大廠對(duì)供應(yīng)鏈可靠性要求嚴(yán)格，部分國內(nèi)模塊廠商能進(jìn)入谷歌等企業(yè)的驗(yàn)證環(huán)節(jié)，核心原因是其創(chuàng)始人或技術(shù)骨干多來自臺(tái)達(dá)等海外大廠，具備相關(guān)資源與技術(shù)積累。c. 電源器件價(jià)值量結(jié)構(gòu)清晰且價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定：Driver MOS單價(jià)約1-2美金，除非技術(shù)有重大突破，否則價(jià)格難有大幅變動(dòng)；AMD的24個(gè)模塊總價(jià)約200美金，單模塊單價(jià)約8美金，典型結(jié)構(gòu)為2顆Driver MOS搭配1顆高端兩相/三端電感，封裝難度提升進(jìn)一步推高了模塊價(jià)值量。

Q&A

Q: GPUTDP發(fā)展過程中，與Driver MOS相關(guān)的變化如何？

A: N100采用Micro電源方案，通過兩級(jí)電壓轉(zhuǎn)換，效率達(dá)99%、97%但模塊成本較高；安培一代改用VRM方案，控制器為10/12/16項(xiàng)，Driver MOS采用5×6封裝、90安培；HOPPER一代八卡服務(wù)器中，單張小卡用近60顆專用MOS，搭配3-4顆控制器，大板用20-30顆專用MOS，兩個(gè)300-400瓦級(jí)CPU板用50-70顆專用MOS。

Q: 一張小卡配備的60顆DMOS是否為90安培規(guī)格？H100 GPU 700瓦功耗對(duì)應(yīng)的高冗余來源是什么？小卡上HBM與核心GPU的供電配比大概是多少？

A: H100 GPU 700瓦功耗已包含HBM功耗，HBM與核心GPU的供電配比約為6:4或5.5:4.5。冗余來自兩方面：一是90安培規(guī)格的專用MOS需良好散熱才能長時(shí)間工作，而AI服務(wù)器小卡散熱條件有限，實(shí)際電流需打折扣；二是專用MOS作為降壓芯片，效率曲線呈拋物線狀，在20%-30%負(fù)載下效率最高，若長期滿負(fù)載效率僅80%左右，因此需預(yù)留冗余以保證高工作效率。

Q: 布60顆專用MOS時(shí)，DL控制器控制其開啟數(shù)量的邏輯是什么？60顆專用MOS需4顆多相控制器芯片的情況下，多相控制器的分配方式及各芯片的任務(wù)是什么？

A: 多相控制器通常為兩路，4顆最多可輸出8路，其用量主要根據(jù)板上不同電源軌數(shù)量及控制器搭配方式確定?？刂破髋c驅(qū)動(dòng)MOS為成熟方案，會(huì)根據(jù)負(fù)載電流跳變需求自動(dòng)調(diào)整開啟數(shù)量——負(fù)載大時(shí)開啟全部，負(fù)載小時(shí)關(guān)閉部分以節(jié)省功耗，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。

Q: 市面上專用MOS開關(guān)頻率最高可達(dá)1.5兆赫茲，設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)芯片正常運(yùn)行時(shí)通常會(huì)將頻率降至多少？開關(guān)頻率是否會(huì)持續(xù)維持該狀態(tài)？瞬間提高功率時(shí)是否會(huì)提高開關(guān)頻率脈沖？

A: 專用MOS開關(guān)頻率規(guī)格書通常標(biāo)注1.5兆、2兆甚至3兆，但GPU等大功率場景不會(huì)使用過高頻率，因頻率越高效率越低、芯片損耗越大，正常運(yùn)行時(shí)通常降至500K或800K。負(fù)載增加時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)增加開通頻率，例如控制器工作在十項(xiàng)模式下，負(fù)載大時(shí)全功率運(yùn)行十項(xiàng)，電流小時(shí)關(guān)閉部分項(xiàng)以節(jié)省功耗，芯片具備自動(dòng)化控制機(jī)制。

Q: BlackVue 與 Ruby 兩代產(chǎn)品的變化情況如何？

A: BlackVue 包含八卡服務(wù)器與 NBL 汽車機(jī)架兩種形態(tài)，八卡服務(wù)器 GPU 功率從 700 瓦提升至 1.2 千瓦，專用MOS增加至六七十顆，大板配置二三十顆；NBL 汽車機(jī)架分計(jì)算托盤與交換托盤，計(jì)算托盤專用MOS約 300 顆，整臺(tái)機(jī)架 18 個(gè)計(jì)算托盤對(duì)應(yīng) 300×18=5400 顆，9 個(gè)交換托盤對(duì)應(yīng)約 270 顆，合計(jì)約 5700 顆，采用與 Hopper 一致的 90 安培 drMOS 方案。Ruby 于 25 年 10 月華盛頓 GTC 大會(huì)由黃仁勛展示，芯片功率從 1.4 千瓦提升至 2.3 千瓦，專用MOS從 300 顆增加至 360 顆；CPU 從 Grace 更換為 Vela，功耗增加有限；MOS 規(guī)格升級(jí)至 100-110 安培；360 顆中二十幾顆用于 CPU，約 340 顆用于 GPU，每個(gè) GPU 約八十幾顆；NBL 72 計(jì)算托盤 18 個(gè)對(duì)應(yīng) 360×18 顆，交換托盤數(shù)量增加不多，可按三十幾×9 計(jì)算。

Q: 從Hopper到Blackwell再到Roping，功耗依次為700瓦、1200瓦、2300瓦，單顆GPU使用的抓moss數(shù)量從約60多增加至80多，但抓moss參數(shù)規(guī)格均為90安培，電流增長較快但數(shù)量未匹配增長，核心原因是否是單顆抓moss運(yùn)行電流變大？

A: 原因主要是散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化，從早期風(fēng)冷到后來80%液冷，再到Roping的100%液冷，不斷提升散熱環(huán)境，使抓moss能運(yùn)行在更高效的溫度，從而單顆抓moss可承載更高電流；同時(shí)板上空間有限，無法無限增加抓moss數(shù)量。

Q: AI芯片繼續(xù)迭代過渡到未來架構(gòu)的背景下，從技術(shù)角度看下一代方案可能的變化及是否可能提高集成度？

A: 從其他公司AI芯片情況來看，解決布局空間不足、提高集成度主要有兩種思路：一是將芯片加電感加部分電容做成3D模塊，如AMD在GPU正面用二十幾顆或三十幾顆模塊供電，通過3D模塊減少面積；二是采用背面供電或垂直供電，如Intel將電感放到OAM模塊后面，將部分器件挪到板子背面。

Q: 水平供電轉(zhuǎn)垂直供電及做成模塊兩種方案目前是否已商業(yè)化或仍處于前沿探索階段；針對(duì)垂直空間利用，目前將模塊放置于板背面的情況下，是否有探索將模塊埋嵌至PCD內(nèi)部的方案及該趨勢看法如何？

A: 模塊應(yīng)用最早由特斯拉Dojo采用，2021年發(fā)布、2023-2024年量產(chǎn)，技術(shù)已成熟；AMD、AWS、Google及國內(nèi)AI初創(chuàng)公司多采用模塊方案。模塊從正面轉(zhuǎn)向背面或芯片底部，旨在縮短輸出端至用電端距離以提升效率，但放置背面需將模塊高度從約9毫米降至4-5毫米，會(huì)輕微損失效率，且需綜合考量散熱、高度限制及器件選型等因素。

Q: 未來有沒有可能把整個(gè)模塊塞到一個(gè)大的PCB里面去？

A: 模塊集成度逐步提高，從傳統(tǒng)PCB堆疊Drive MOS、電感、電容的簡單加工，發(fā)展到將電容嵌入PCB、使用更薄電感以降低模塊高度、提升帶載能力及電流密度，2022年至今已歷經(jīng)1-2代迭代。目前研究機(jī)構(gòu)及高校雖在開展將模塊塞入大PCB的研究，但模塊需承載大電流且未來電流等級(jí)將提升，存在散熱難問題；即使解決散熱，長期使用會(huì)導(dǎo)致PCB大板翹曲、彎曲等可靠性問題，行業(yè)從業(yè)者認(rèn)為1-2年內(nèi)不可能，2-3年也有困難。目前可行路線為提升模塊集成度或通過其他方式節(jié)省空間以容納更多模塊。

Q: 英偉達(dá)芯片當(dāng)前進(jìn)展如何？其單顆算力或功率最大的芯片為何發(fā)展速度不及包括ATC芯片在內(nèi)的其他友商？

A: 英偉達(dá)芯片架構(gòu)采用NVLink技術(shù)，其GPU旁高速信號(hào)線無需預(yù)留過多空間，可將PCB空間讓渡給電源以實(shí)現(xiàn)充分利用。其他友商因需規(guī)避英偉達(dá)專利費(fèi)用，加入OCP組織并遵循其標(biāo)準(zhǔn)采用模塊方案；而英偉達(dá)采用芯片加電感的理想方案，通過回流焊完成組裝，成本遠(yuǎn)低于模塊方案，因此堅(jiān)持該方案，這也是其高算力高功率芯片發(fā)展速度不及其他友商的原因。

Q: 垂直供電后，埋置在PCB板或interposer層的兩種方式中，interposer內(nèi)部埋線是否需較長時(shí)間實(shí)現(xiàn)？

A: Interposer內(nèi)部埋線難度極高，無論埋置在大板還是主芯片的PCB處，因未來芯片功率加大，Intel、臺(tái)積電等采用的芯片級(jí)背面供電已需占用空間，將其與Co-Works或Co-Work P封裝結(jié)合難度極高。未來供電或采用integrated voltage regulator方案，核心問題在于熱管理難以解決，而非封裝難度。

Q: Ruby Ultra下一代是否會(huì)采用垂直封裝形式，還是大概率繼續(xù)使用水平供電？

A: 從魯炳到魯炳Ultra，功耗從2300瓦提升至3600瓦，雖有增加但仍可控。預(yù)計(jì)其下一代可能借鑒Intel方式將部分組件置于背面，不會(huì)完全采用模塊化設(shè)計(jì)，或僅部分使用模塊。

Q: 垂直供電解決芯片最后一厘米距離問題，下一代供電結(jié)構(gòu)是否會(huì)發(fā)生變化？Rubin一代為800V轉(zhuǎn)56V再轉(zhuǎn)12V再轉(zhuǎn)0.8V，是否會(huì)在二次和三次級(jí)使用48V轉(zhuǎn)1V的模塊？該過程中低占空比、死區(qū)時(shí)間占比提升的問題如何解決？Rubin Ultra一代是否會(huì)有48V轉(zhuǎn)1V的架構(gòu)？

A: 小功率實(shí)現(xiàn)48V轉(zhuǎn)1V無太大問題；魯賓或英偉達(dá)系列目前認(rèn)可800V轉(zhuǎn)48V再轉(zhuǎn)12V再轉(zhuǎn)零點(diǎn)幾伏的方式，未來可能變?yōu)?00V轉(zhuǎn)12V再轉(zhuǎn)零點(diǎn)幾伏；另一種思路是保留48V級(jí)，轉(zhuǎn)成1-2V后通過芯片內(nèi)IBR方案轉(zhuǎn)零點(diǎn)幾伏；目前更可能采用VRAM方案，未來才會(huì)過渡到高電壓轉(zhuǎn)2-3V再往下轉(zhuǎn)的方式。

Q: 800伏轉(zhuǎn)12伏是否意味著去除主板上的IBC模塊，通過電源柜完成更大幅度降壓以節(jié)省空間？

A: 這種方式不可行，因12伏在500千瓦或更高功耗機(jī)柜中損耗極大，需盡量靠近負(fù)載點(diǎn)。更可能的方式是800伏直接進(jìn)入計(jì)算托盤，托盤內(nèi)設(shè)置多個(gè)800伏轉(zhuǎn)12伏模塊，再轉(zhuǎn)為GPU、Memory、BlueTooth等芯片可用電壓，需模塊足夠小且靠近負(fù)載。目前多家電源芯片公司已展示800伏轉(zhuǎn)12伏方案，但未標(biāo)準(zhǔn)化，可能26年定標(biāo)準(zhǔn)，27年底或28年大量使用。

Q: 800伏轉(zhuǎn)12伏方案由PSU廠商還是二次三次電源廠商實(shí)施？

A: 800伏轉(zhuǎn)12伏方案屬于二次三次電源范疇，因放置在計(jì)算托盤底部，通常打散為方案級(jí)別而非單一模塊，具體取決于計(jì)算托盤廠商的設(shè)計(jì)及主芯片廠商的選擇；臺(tái)達(dá)、光寶、麥格米特等模塊廠商也可參與，該領(lǐng)域門檻不高。

Q: 高頻開關(guān)場景下硅基MOS管存在性能上限，市場關(guān)注氮化鎵是否會(huì)在未來doctor moss中替代硅基MOS管、NPS等廠商的氮化鎵方案是自研+代工廠模式還是采購英諾賽科等廠商的成品MOS，以及氮化鎵相對(duì)于硅基MOS管的價(jià)值量變化如何？

A: 12伏轉(zhuǎn)0.7伏的三次電壓轉(zhuǎn)換目前采用硅基BCD模擬工藝，氮化鎵技術(shù)雖能提高開關(guān)頻率，但未解決12轉(zhuǎn)1伏效率低及高頻干擾導(dǎo)致信號(hào)完整性、電磁兼容等問題，英特爾三四年前研發(fā)后未商用，行業(yè)內(nèi)模擬公司暫無采用該技術(shù)的計(jì)劃，因自身具備技術(shù)且采購性價(jià)比低；氮化鎵更多應(yīng)用于高壓環(huán)節(jié)，其成本及導(dǎo)通阻抗隨生命周期變化等問題正逐步解決，行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2028-2029年高壓環(huán)節(jié)氮化鎵成本將接近硅基，未來800伏、正負(fù)400伏或固態(tài)變壓器推廣時(shí)，氮化鎵應(yīng)用會(huì)逐步增加。

Q: 目前多數(shù)PSU中氮化鎵多應(yīng)用于低壓側(cè)450伏產(chǎn)品，未來氮化鎵是否可能應(yīng)用于偏高壓側(cè)并實(shí)現(xiàn)更耐高壓？

A: 目前已有廠商采用氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)800伏轉(zhuǎn)12伏或50伏等拓?fù)?，如羅姆的方案；馬碧塔斯則采用碳化硅加氮化鎵的混合應(yīng)用實(shí)現(xiàn)800伏轉(zhuǎn)48伏或12伏。

Q: 當(dāng)前HVDC 800V架構(gòu)中碳化硅用量較多，未來氮化鎵是否更可能替代碳化硅？

A: 是的，未來氮化鎵替代碳化硅的比例會(huì)逐漸增加。

Q: CSP廠商的GPU供應(yīng)鏈中各廠商的份額分配情況如何？比如英特林、NPS的份額是多少？

A: 英偉達(dá)方面，Hopper一代主要以NPS為主，Blackwell引入英飛凌、瑞薩兩家廠商；具體份額不便披露，理想狀態(tài)下三家各占三成，但因產(chǎn)能問題份額難以確定；LUBING仍使用這幾家廠商。其他ASIC或TPU廠商多采用模塊，模塊主流玩家包括與臺(tái)達(dá)合作的英飛凌、與偉創(chuàng)力合作的瑞薩、自主研發(fā)的NPS，還有姆拉塔、TI等廠商；國內(nèi)南京能力新、上海配源、武漢杰恩迪等初創(chuàng)公司也在做模塊。

Q: 如何看待杰華特進(jìn)入海外大廠供應(yīng)鏈的能力？

A: 杰華特分消費(fèi)類筆記本與服務(wù)器兩大市場布局。消費(fèi)類筆記本領(lǐng)域，國內(nèi)H公司已采用其方案，英特爾認(rèn)可并推動(dòng)其進(jìn)入國內(nèi)筆記本廠商，但尚未進(jìn)入海外大廠；服務(wù)器領(lǐng)域，其70安培專MOS已量產(chǎn)多年并實(shí)現(xiàn)部分商用，90安培已有小部分廠商采用，如供應(yīng)鏈要求較高的國內(nèi)H公司。

Q: 國產(chǎn)廠商進(jìn)入海外大廠供應(yīng)鏈的難度主要在哪些方面？是器件能力不足還是客戶關(guān)系問題？

A: x86服務(wù)器市場通常延續(xù)上一代供應(yīng)鏈，以海外為主；當(dāng)前英偉達(dá)、谷歌、AWS等的服務(wù)器方案仍以海外為主。個(gè)別國產(chǎn)模塊廠商雖被谷歌考慮，但需用海外專有MOS保證性能；谷歌選擇這些廠商是因?yàn)槠鋱F(tuán)隊(duì)來自臺(tái)達(dá)，而谷歌與臺(tái)達(dá)工程師有合作關(guān)系。綜上，器件性能可靠性及客戶關(guān)系均為重要影響因素。

Q: Doctor moss當(dāng)前價(jià)值量約1-2美金，未來隨設(shè)備垂直供電方案應(yīng)用或自身能力提升，價(jià)格是否有上行空間？

A: x86市場遵循摩爾定律，產(chǎn)品換代后價(jià)格與上一代差異??；AI技術(shù)變化快但換代周期約兩三年，成本增加有限，且競爭充分，因此除非技術(shù)有重大突破，否則Doctor moss價(jià)格不會(huì)有大幅變化。

Q: RVR集成電容電感模組中，AMD 24顆對(duì)應(yīng)200美金，其價(jià)值量中電容電感、抓握IC、mosfet的占比情況如何？

A: 電容成本暫不明確；理想電感成本為幾毛錢至1美元，模塊級(jí)電感因技術(shù)更領(lǐng)先，成本更高。

Q: IVR中專門與電感的配比關(guān)系如何，是否為1:1或1:2？

A: 最典型的配比為兩個(gè)專門配一個(gè)電感，該電感為兩相或三端電感。