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英偉達CEO黃仁勛預告，將于2026年下半年投產(chǎn)，2028年推出全球首款1.6納米AI芯片“Feynman”，采用臺積電A16制程與背面供電技術(shù)，算力與能效大幅躍升。此舉將加速全球AI迭代，鞏固英偉達霸主地位，同時對大陸芯片制造業(yè)形成嚴峻考驗，倒逼國產(chǎn)替代加速與政策加碼。

一、英偉達黃仁勛預告AI芯片大黑馬——首款1.6納米芯片AI GPU問世。

科技界爆出春雷，芯片行業(yè)線程繼續(xù)突破！2月26日（周四），英偉達（NVIDIA）CEO黃仁勛親自預告AI芯片首個大黑馬——世界前所未見的首款1.6納米芯片的全新芯片架構(gòu)Feynman，將在臺積電投產(chǎn)。

周四下午，中時新聞網(wǎng)報道稱，英偉達年度技術(shù)盛會“GTC 2026”定于3月16日至19日在美國加州圣荷西登場，英偉達CEO黃仁勛在宣布這一消息的同時向媒體預告稱，本屆“GTC 2026”大會的重頭戲?qū)⑹前l(fā)表世界前所未見的全新芯片架構(gòu)Feynman，該產(chǎn)品是全球首款導入臺積電1.6納米的A16先進制程，預計Feynman芯片將于2028年正式投入市場，成為全球首款邁入1.6納米里程碑的革命性AI GPU。

Feynman將銜接已量產(chǎn)的Blackwell，以及預計于2026年問世的Rubin架構(gòu)，成為英偉達下一世代人工智能數(shù)據(jù)中心GPU的旗艦產(chǎn)品。這不僅是英偉達首度切入1.6納米級制程，更標志著AI算力進入全新紀元。

為了克服先進制程的物理限制，F(xiàn)eynman 將采用“超級電軌”（Super Power Rail， SPR）技術(shù)，將供電線路移至晶圓背面，使邏輯密度提升約10%、功耗降低約15%，同時解決了長期困擾半導體業(yè)已久的SRAM壓縮瓶頸。即透過新技術(shù)讓原本難以壓縮的內(nèi)存單元成功瘦身，釋放出更多芯片空間來堆疊算力。

此外，市場盛傳Feynman可能整合類LPU（語言處理單元）技術(shù)，強化對大型語言模型（LLM）與生成式AI推理任務的專項加速能力。Nvidia最近收購了Groq。這有望為大型語言模型工作負載帶來巨大的性能提升。不過，具體架構(gòu)與技術(shù)細節(jié)，仍待英偉達在2026年GTC大會上正式揭曉。

傳英偉達也接觸英特爾代工。

在芯片產(chǎn)能布局方面，臺積電正為16A制程積極擴充產(chǎn)能，而英偉達已取得A16的獨家量產(chǎn)權(quán)，據(jù)目前時間表，F(xiàn)eynman預計于2026年下半年投產(chǎn)、2028年啟動出貨，但由于先進制程高度復雜，客戶端的終端交付可能延后至2029至2030年。

值得注意的是，市場也傳出英偉達正考慮將部分Feynman GPU外包給英特爾（Intel）生產(chǎn)，雙方目前仍就封裝與制造合作細節(jié)進行磋商。

二、1.6納米制程的Feynman提前18個月投產(chǎn)，預示著芯片產(chǎn)業(yè)的時不我待。

2025年3月19日，科技新報曾經(jīng)報道稱，英偉達在 GTC 2025 公布的2026年與2027年數(shù)據(jù)中心路線圖更新，展示即將推出的以天文學家Vera Rubin命名的Rubin系列與Rubin Ultra。同時，在英偉達的藍圖中，也可看到Rubin系列的下個繼任者是Feynman，該命名取自理論物理學家Richard Feynman，當時計劃2028年投產(chǎn)。

在GTC 2025大會上，英偉達CEO黃仁勛透露，Blackwell B200 其實每顆GPU含兩個芯片（die），使NVLink拓撲結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。雖然 Blackwell B200 NVL72 是這個名稱，但稱為 NV144L 應該更合適，因此英偉達計劃Rubin產(chǎn)品線調(diào)整名字。

此外，Rubin產(chǎn)品線將從HBM3/HBM3e轉(zhuǎn)向HBM4，并在Rubin Ultra采用HBM4e，內(nèi)存容量維持288GB，與B300相同。帶寬則從8TB/s提升至13TB/s，NVLink速度將提升一倍。另一個重點是 Vera CPU，取代目前的 Grace CPU。

Vera 是相對小巧緊湊的CPU，配備88顆客制化ARM 核心和176個線程，并且內(nèi)建1.8TB/s的NVLink核心對核心連接埠，可與Rubin GPU直接連接，進一步提升運算效能與整合性。

Rubin Ultra GPU將采用四個 GPU 芯片（die）封裝在一個模塊內(nèi)，提高計算密度。

Rubin Ultra預期 2027 下半年推出，現(xiàn)在也提前一年至2026年。這預示著GPU 的性能將迎接大幅度升級，整個機架的設計將被全新架構(gòu) NVL576 取代。

三、英偉達1.6納米的Feynman芯片提前面世，對全球人工智能行業(yè)有何影響？

英偉達提前18個月啟動Feynman架構(gòu)量產(chǎn)（2026年下半年投產(chǎn)、2028年出貨），標志著AI算力進入“1.6納米時代”，將對全球人工智能行業(yè)產(chǎn)生革命性推動。

首先，性能與能效大幅躍升。

采用臺積電A16制程并引入超級電軌（SPR）背面供電技術(shù)，邏輯密度提升約10%、功耗降低約15%，同時突破SRAM縮放瓶頸。這意味著單芯片算力將遠超Blackwell和Rubin，訓練萬億參數(shù)大模型的時間可能縮短30%-50%，推理延遲大幅降低，單瓦性能比顯著提高。大型語言模型、Agentic AI、多模態(tài)生成等前沿應用將迎來爆發(fā)式發(fā)展，AI訓練成本有望下降20%以上，推動AI從“實驗室”走向大規(guī)模商業(yè)落地。

其次，將加速行業(yè)迭代節(jié)奏。

英偉達一年一迭代的路線圖（Blackwell→Rubin→Feynman）進一步固化其絕對領(lǐng)先地位，迫使AMD、Intel、Groq等競爭者加速追趕，全球AI供應鏈將圍繞HBM4/HBM5、先進封裝、硅光子等技術(shù)狂飆突進。數(shù)據(jù)中心電力效率提升，也將緩解AI耗電危機，為全球建設“吉瓦級”AI工廠提供硬件基礎(chǔ)。

第三，引發(fā)資本與應用雙重熱潮。

更多機構(gòu)將加大AI基礎(chǔ)設施投資，AI在醫(yī)療、科研、金融、自動駕駛等領(lǐng)域的滲透率將加速提升。但同時也加劇壟斷擔憂，可能引發(fā)更多反壟斷討論與開源替代浪潮。

第四，這一消息是對大陸芯片制造業(yè)和人工智能行業(yè)的又一次嚴峻考驗。

對大陸芯片制造業(yè)而言，1.6nm 的Feynman芯片提前18個月投產(chǎn)，是對現(xiàn)有技術(shù)封鎖的又一次嚴峻考驗。

中芯國際目前量產(chǎn)節(jié)點停留在7nm/5nm，距離1.6nm仍有巨大鴻溝，且受EUV光刻機禁運影響，短期內(nèi)難以跟進。這將進一步拉大中外先進制程差距，臺積電A16初期產(chǎn)能幾乎被英偉達獨占，中國廠商獲取最先進AI芯片的窗口期被大幅壓縮。

對人工智能行業(yè)而言，短期內(nèi)，盡管面臨出口管制，大陸AI企業(yè)仍將高度依賴英偉達GPU，但Feynman的能效優(yōu)勢會讓“買不到最強芯片”的痛點更加突出，訓練大模型的成本與速度劣勢可能進一步顯現(xiàn)。部分企業(yè)或被迫轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代方案（如華為昇騰、壁仞、寒武紀等），倒逼國內(nèi)AI芯片生態(tài)加速成熟。

長期看，這是一記“警鐘”。它將極大刺激國家與企業(yè)加大對國產(chǎn)先進制程、3D堆疊、存算一體、新型芯片的投入。預計“十四五”后半段及“十五五”期間，國家在芯片專項資金、人才引進、供應鏈本土化政策將進一步加碼。

總體而言，此次英偉達1.6nm 的Feynman芯片提前量產(chǎn)，將把全球AI發(fā)展推向一個新高度，讓“AI無處不在”從愿景變?yōu)楝F(xiàn)實。

短期將給大陸芯片和人工智能行業(yè)帶來壓力，長期將成為中國芯片與AI產(chǎn)業(yè)“自立自強”的強大外部動力。若政策執(zhí)行得力、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同到位，完全有可能在10年內(nèi)將差距縮小到可控范圍。

【徐三郎】