2026年2月，半導(dǎo)體圈子出了個(gè)大動(dòng)靜。臺(tái)積電的掌門(mén)人魏哲家，在日本東京搞了一場(chǎng)大戲，直接把“芯片漲價(jià)”這個(gè)原本藏著掖著的話題，給擺到了桌面上。

他的意思特別直白：想在美國(guó)與日本造芯片？行，但這價(jià)格得漲，漲個(gè)10-30%那是起步，屬于“常規(guī)操作”。

臺(tái)積電的漲價(jià)表態(tài)，并非隨意定價(jià)，而是基于海外工廠的實(shí)際運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀做出的說(shuō)明。不同于其本土成熟的產(chǎn)能布局，日本和美國(guó)工廠在建設(shè)、運(yùn)營(yíng)等多個(gè)環(huán)節(jié)，都面臨著更高的成本壓力。

此前，市場(chǎng)上已多次傳出臺(tái)積電海外工廠芯片漲價(jià)的傳聞，涉及2nm、3nm、4nm等多個(gè)先進(jìn)制程，漲幅區(qū)間與此次官方表態(tài)的10%-30%基本吻合，此次表態(tài)算是對(duì)市場(chǎng)傳聞的正式回應(yīng)。

截至目前，臺(tái)積電在日本和美國(guó)均有明確的產(chǎn)能布局，且部分工廠已進(jìn)入量產(chǎn)或建設(shè)關(guān)鍵階段，這些工廠的產(chǎn)能輸出，將直接對(duì)應(yīng)此次漲價(jià)的相關(guān)產(chǎn)品。

臺(tái)積電在美國(guó)的產(chǎn)能布局主要集中在亞利桑那州菲尼克斯，該工廠的投資規(guī)模不斷攀升，從最初的120億美元，逐步上調(diào)至600億美元，投入成本遠(yuǎn)超預(yù)期。

高投入背后，是多重成本的疊加。美國(guó)當(dāng)?shù)氐娜肆Τ杀撅@著高于行業(yè)平均水平，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)技術(shù)工人短缺，導(dǎo)致用工成本持續(xù)攀升，這成為工廠運(yùn)營(yíng)成本的重要組成部分。

此外，美國(guó)工廠的供應(yīng)鏈配套尚不完善，許多設(shè)備、原材料需要從海外進(jìn)口，物流成本和關(guān)稅成本進(jìn)一步增加了芯片生產(chǎn)的整體開(kāi)支。

同時(shí)，工廠建設(shè)過(guò)程中也面臨著工期延誤等問(wèn)題，間接推高了單位芯片的生產(chǎn)成本。

按照規(guī)劃，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那第一階段廠區(qū)將于2025年一季度末實(shí)現(xiàn)4納米制程量產(chǎn)，原定于2026年量產(chǎn)3納米的二廠，已推遲至2028年。

產(chǎn)能爬坡緩慢，也導(dǎo)致前期投入難以快速攤薄，進(jìn)而影響定價(jià)。

臺(tái)積電曾透露，美國(guó)工廠的芯片定價(jià)，必須覆蓋其高額的投資成本和運(yùn)營(yíng)成本，因此漲價(jià)是保障工廠可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的必要舉措，10%-30%的漲幅的合理區(qū)間內(nèi)。

相較于美國(guó)工廠的“高投入、慢落地”，臺(tái)積電在日本的產(chǎn)能布局推進(jìn)更為迅速，其在日本熊本縣設(shè)有兩座晶圓廠，且正在推進(jìn)工藝升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)張，這也帶來(lái)了顯著的成本增長(zhǎng)。

2024年底，臺(tái)積電日本熊本一廠已正式量產(chǎn)，主要生產(chǎn)12至28納米制程的邏輯半導(dǎo)體，應(yīng)用于圖像傳感器和汽車(chē)產(chǎn)業(yè)。

而原本規(guī)劃生產(chǎn)6納米制程的熊本二廠，已確定升級(jí)為3納米制程。

工藝升級(jí)直接帶動(dòng)了投資規(guī)模的大幅增加，熊本二廠的總投資從原定的122億美元，提升至170億美元，額外的投資成本需要通過(guò)產(chǎn)品定價(jià)來(lái)覆蓋。

與美國(guó)類(lèi)似，日本當(dāng)?shù)氐娜肆Τ杀竞屯恋爻杀疽蔡幱谳^高水平，同時(shí)，為了適配3納米先進(jìn)制程，工廠需要引入更先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，進(jìn)一步增加了前期投入。

值得注意的是，臺(tái)積電日本熊本一廠投產(chǎn)初期，產(chǎn)能利用率未達(dá)預(yù)期，出現(xiàn)持續(xù)虧損，這也使得臺(tái)積電需要通過(guò)調(diào)整定價(jià)，平衡整體運(yùn)營(yíng)成本，此次10%-30%的漲價(jià)，也包含了對(duì)前期虧損的彌補(bǔ)因素。

臺(tái)積電明確的10%-30%漲價(jià)區(qū)間，并非統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，而是根據(jù)制程工藝、產(chǎn)能規(guī)模和客戶需求存在差異化調(diào)整，核心邏輯是“成本越高，漲幅越高”。

其中，3納米、2納米等先進(jìn)制程的漲價(jià)幅度相對(duì)更高，接近30%。這類(lèi)制程的生產(chǎn)難度大、投入成本高，無(wú)論是美國(guó)還是日本工廠，都需要承擔(dān)高額的設(shè)備折舊和技術(shù)研發(fā)成本。

而12納米及以上的成熟制程，漲價(jià)幅度相對(duì)較低，基本維持在10%-15%左右。這類(lèi)制程的生產(chǎn)技術(shù)相對(duì)成熟，產(chǎn)能利用率逐步提升，單位成本相對(duì)可控，漲價(jià)主要是覆蓋基礎(chǔ)運(yùn)營(yíng)成本。

此外，客戶采購(gòu)規(guī)模也會(huì)影響漲價(jià)幅度。對(duì)于蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通等長(zhǎng)期大額采購(gòu)的核心客戶，臺(tái)積電會(huì)給予一定的議價(jià)空間，漲價(jià)幅度可能低于平均水平；而中小客戶的漲價(jià)幅度，基本會(huì)維持在公布的區(qū)間內(nèi)。

從市場(chǎng)反饋來(lái)看，臺(tái)積電的漲價(jià)計(jì)劃已逐步落地，部分核心客戶已收到漲價(jià)通知，且多數(shù)客戶表示能夠接受，這也得益于臺(tái)積電在全球晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

與日本、美國(guó)工廠的漲價(jià)形成對(duì)比的是，臺(tái)積電本土工廠的芯片定價(jià)相對(duì)穩(wěn)定，近期僅計(jì)劃對(duì)5納米以下先進(jìn)制程實(shí)施個(gè)位數(shù)百分比的漲幅，與海外10%-30%的漲幅形成明顯差異。

這種差異的核心原因，在于本土工廠的成本優(yōu)勢(shì)。臺(tái)積電本土產(chǎn)能布局成熟，供應(yīng)鏈配套完善，設(shè)備、原材料采購(gòu)成本更低，且人力成本相對(duì)可控，無(wú)需通過(guò)大幅漲價(jià)覆蓋成本。

目前，臺(tái)積電本土工廠仍承擔(dān)著全球90%以上的核心產(chǎn)能，尤其是3納米及以下先進(jìn)制程，主要產(chǎn)能仍集中在本土，這也是其能夠維持本土定價(jià)穩(wěn)定的重要基礎(chǔ)。

臺(tái)積電表示，本土與海外的定價(jià)差異，完全基于各工廠的實(shí)際運(yùn)營(yíng)成本，不存在差異化對(duì)待客戶的情況，無(wú)論是本土還是海外生產(chǎn)的芯片，都會(huì)保障產(chǎn)品質(zhì)量和交付效率。

作為全球晶圓代工行業(yè)的龍頭，臺(tái)積電海外工廠的芯片漲價(jià)，不可避免地會(huì)對(duì)全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生一定影響，但影響范圍和程度相對(duì)可控。

對(duì)于下游終端廠商而言，尤其是依賴臺(tái)積電海外工廠產(chǎn)能的企業(yè)，芯片采購(gòu)成本將有所上升，可能會(huì)間接傳導(dǎo)至終端產(chǎn)品定價(jià)，但多數(shù)廠商表示會(huì)通過(guò)優(yōu)化供應(yīng)鏈、提升產(chǎn)品附加值等方式，消化成本壓力。

從行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)來(lái)看，臺(tái)積電的漲價(jià)并未給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手帶來(lái)明顯的機(jī)會(huì)。

目前，全球能夠量產(chǎn)3納米及以上先進(jìn)制程的企業(yè)寥寥無(wú)幾，臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)依然明顯，下游客戶的替代空間有限。

此外，臺(tái)積電海外工廠的漲價(jià)，也將推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的重新調(diào)整，部分下游廠商可能會(huì)調(diào)整采購(gòu)布局，增加對(duì)成熟制程芯片的采購(gòu)，或?qū)で蠖嘣拇ず献髑馈?/strong>