預(yù)期存儲器產(chǎn)值增幅仍將優(yōu)于晶圓代工產(chǎn)值。

根據(jù)TrendForce最新數(shù)據(jù)顯示，受惠于AI浪潮的推升，存儲器與晶圓代工產(chǎn)值均將在2026年同步創(chuàng)下新高。存儲器產(chǎn)業(yè)受供給吃緊與價格飆升影響，產(chǎn)值規(guī)模大幅擴張至5,516億美元。盡管晶圓代工產(chǎn)值同步創(chuàng)下2,187億美元的新高紀(jì)錄，但存儲器產(chǎn)值規(guī)模已攀升至晶圓代工的2倍以上。

值得一提的是，上一次存儲器超級循環(huán)落在2017-2019年，主要由云端數(shù)據(jù)中心建置需求所驅(qū)動，存儲器產(chǎn)值當(dāng)時也與晶圓代工拉開了顯著差距。

然而與前一次相比，此次由AI需求驅(qū)動的缺貨狀況更為全面。AI產(chǎn)業(yè)重心由模型訓(xùn)練轉(zhuǎn)向大規(guī)模推理應(yīng)用，更強調(diào)實時響應(yīng)能力與數(shù)據(jù)存取效率，帶動服務(wù)器端對高容量、高帶寬DRAM的需求持續(xù)擴大，單機搭載容量亦同步提升。

根據(jù)Counterpoint最新數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度迄今，存儲器價格環(huán)比上漲 80%-90%，迎來史無前例、創(chuàng)紀(jì)錄的暴漲。本輪漲價的核心推手為通用型服務(wù)器 DRAM 價格的大幅攀升。此外，去年第四季度表現(xiàn)相對平穩(wěn)的 NAND 閃存，在一季度同樣同步大漲 80%-90%。疊加部分 HBM3e 產(chǎn)品價格走高，存儲器市場各細分品類均呈現(xiàn)全線飆漲態(tài)勢。

以服務(wù)器級存儲器為例，64GB RDIMM 的合約價已從第四季度的 450 美元固定價，飆升至一季度的 900 美元以上，且有望在第二季度突破 1000 美元關(guān)口。

分析師指出，“存儲器行業(yè)盈利水平有望創(chuàng)下歷史新高。2025年第四季度，DRAM 營業(yè)利潤率已達 60% 區(qū)間，通用型 DRAM 利潤率首次超越 HBM。2026 年第一季度，DRAM 利潤率將首度突破歷史峰值?！?/p>

另一方面，客戶的需求也已顯著改變，不同于過去以終端客戶為主，此次搶貨潮由CSP（云端服務(wù)供應(yīng)商）拉動，不僅采購量成指數(shù)級成長，對價格的敏感度相對低，使得價格漲幅同樣超越前一次超級循環(huán)，并創(chuàng)下新紀(jì)錄。

美國最大的四家科技公司，Alphabet、亞馬遜、Meta 和微軟預(yù)計2026年的資本支出總額將達到約6500億美元。這筆令人咋舌的巨資將被用于新建數(shù)據(jù)中心以及維持其運行所需的各種設(shè)備清單，包括人工智能芯片、網(wǎng)絡(luò)電纜和備用發(fā)電機。

據(jù)悉，這些公司今年的預(yù)估支出都將創(chuàng)下過去10年中任何一家單一公司資本支出的最高紀(jì)錄。這些不斷膨脹的數(shù)字，總額較一年前估計增長了60%，意味著全球范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)中心建設(shè)浪潮將再次加速。

而晶圓代工雖然也受惠于AI芯片的強勁訂單，但其產(chǎn)值成長幅度相較存儲器的成長軌道平緩，原因主要在于產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)與定價機制。

從晶圓代工產(chǎn)能結(jié)構(gòu)來看，盡管先進制程單價高昂，驅(qū)動整體產(chǎn)業(yè)近年持續(xù)成長，然而受限于極高的技術(shù)門檻與資本支出，供應(yīng)商呈現(xiàn)高度寡占，導(dǎo)致產(chǎn)能規(guī)模無法輕易擴張，在這一情況下，即便單價驚人，先進制程對整體產(chǎn)值貢獻的仍不及相對疲弱的成熟制程市場。成熟制程約占整體晶圓代工產(chǎn)能的70%~80%，而先進制程僅占約20%~30%。此外，晶圓代工產(chǎn)業(yè)的代工屬性與合約制度，也使其定價的波動性相對于存儲器產(chǎn)業(yè)低，無論是漲價或跌價皆較不易出現(xiàn)相當(dāng)劇烈的狀況。

在臺積電、三星兩大廠逐步減產(chǎn)的背景下，AI相關(guān)Power IC需求穩(wěn)健成長，加上消費產(chǎn)品擔(dān)憂下半年IC成本提高、產(chǎn)能遭排擠而提前備貨，除了中國大陸晶圓廠八英寸產(chǎn)能利用率自2025年已先回升至高水位，其他區(qū)域業(yè)者也已接獲客戶上修2026年訂單，產(chǎn)能利用率同樣上調(diào)，代工廠因此積極醞釀漲價。

2025年12月24日，中芯國際正式向下游客戶發(fā)布漲價通知，明確對8英寸BCD工藝代工提價約10%。隨后中國臺灣晶圓廠世界先進迅速跟進，同款工藝漲價幅度同樣達到10%，形成明確的行業(yè)聯(lián)動。

近日有報道稱，三星電子晶圓代工部門正推動部分制程的價格上調(diào)，調(diào)價對象為4納米與8納米制程，漲幅預(yù)計在10%左右。三星電子晶圓代工近期已向核心合作伙伴告知部分制程存在調(diào)價可能，正針對需求集中的制程研究漲價方案。某設(shè)計公司負責(zé)人表示：“近期有消息稱，三星晶圓代工部分制程產(chǎn)能已趨緊張，業(yè)務(wù)一線層面已在溝通漲價事宜?！?/p>

三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)正逐步進入產(chǎn)能利用率恢復(fù)階段。得益于尖端及主力工藝整體晶圓投入量的增加，預(yù)計虧損幅度將較去年有所收窄。預(yù)計今年上半年三星電子晶圓代工廠的平均產(chǎn)能利用率將達到 60% 左右。這一水平較去年下半年的50%左右，上升了約10個百分點。不過，業(yè)界分析認(rèn)為，三星電子代工事業(yè)部若想扭虧為盈，產(chǎn)能利用率需超過80%。

據(jù)悉，三星電子將晶圓代工業(yè)務(wù)部將盈利轉(zhuǎn)折點設(shè)定在2027年，熟悉該事項的高層人士透露：“三星不僅公布了2027年內(nèi)實現(xiàn)盈虧平衡的經(jīng)營目標(biāo)，還共享了未來主要材料及零部件的需求展望?！?另一位知情人士透露：“據(jù)悉三星還設(shè)定了2027年銷售額實現(xiàn)20%市場份額的目標(biāo)。”

若是從產(chǎn)能角度來看，晶圓代工與存儲器的產(chǎn)值差距也將持續(xù)加大。TrendForce指出，這也與其產(chǎn)能擴增的差異相關(guān)。其中產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度是關(guān)鍵原因之一，存儲器廠主要生產(chǎn)規(guī)格統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，產(chǎn)品組合相對單純；反觀晶圓代工廠，成熟制程的晶圓代工廠需處理從28nm到90nm等多樣化的產(chǎn)品組合。其次則是存儲器產(chǎn)品的光罩層數(shù)通常少于邏輯芯片。因此，存儲器產(chǎn)業(yè)在資本支出轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)出的效率上，顯著優(yōu)于純晶圓代工廠。

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