高容量NOR Flash的庫(kù)存仍然相對(duì)緊張。

受益于人工智能服務(wù)器和交換機(jī)的規(guī)格升級(jí)，NOR Flash的單盒容量預(yù)計(jì)將成倍增長(zhǎng)，高容量規(guī)格的產(chǎn)品可能面臨嚴(yán)重的供應(yīng)短缺。預(yù)計(jì)2026年第二季度NOR Flash的價(jià)格將比第一季度環(huán)比上漲40%至50%，部分產(chǎn)品線甚至出現(xiàn)客戶愿意支付溢價(jià)以確保供應(yīng)的情況。

對(duì)于供應(yīng)緊張的傳統(tǒng)工藝產(chǎn)品，例如SLC NAND和MLC NAND，價(jià)格漲幅更為劇烈。據(jù)傳，第二季度合同價(jià)格的同比漲幅將高達(dá)400%至500%，這促使華邦電子加快了其SLC NAND產(chǎn)能的擴(kuò)張。

Nvidia 的 GB300 設(shè)計(jì)比 GB200 更為復(fù)雜，這不僅顯著增加了 NOR Flash 的總?cè)萘?，也明顯推動(dòng)了向更高容量規(guī)格的轉(zhuǎn)變。因此，市場(chǎng)對(duì) 512Mb 和 1Gb NOR Flash 的需求異常強(qiáng)勁。

由于支持隨機(jī)訪問(wèn)和高可靠性，NOR Flash 已成為 AI 服務(wù)器穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵組件，它能夠?qū)崿F(xiàn)快速可靠的啟動(dòng)，同時(shí)避免網(wǎng)絡(luò)安全漏洞。此外，為了滿足 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的嚴(yán)格要求，AI 服務(wù)器通常設(shè)計(jì)為訪問(wèn)兩份固件副本作為備份，以便在驗(yàn)證失敗時(shí)自動(dòng)恢復(fù)。

庫(kù)存緊張導(dǎo)致價(jià)格戰(zhàn)愈演愈烈

然而，高容量NOR Flash產(chǎn)品的庫(kù)存仍然相對(duì)緊張。市場(chǎng)消息稱(chēng)，2026年第一季度NOR Flash價(jià)格上漲了約30%，某些特殊規(guī)格的價(jià)格漲幅甚至高達(dá)50%左右。盡管漲幅幅度小于DDR4，但供應(yīng)依然短缺，預(yù)計(jì)第二季度合約價(jià)格還將上漲40%至50%，而特殊規(guī)格產(chǎn)品的交貨周期已延長(zhǎng)至12至14周。

華邦電子采用其58nm工藝為人工智能服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供高容量NOR Flash，而用于藍(lán)牙耳機(jī)等可穿戴設(shè)備以及1.8V和1.2V低電壓產(chǎn)品的產(chǎn)品則采用45nm工藝制造。宏碁也表示，人工智能服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）的持續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭正在造成NOR Flash市場(chǎng)結(jié)構(gòu)性緊張，短期內(nèi)難以緩解。NOR Flash在2025年第四季度保持了兩位數(shù)的增長(zhǎng)，在人工智能相關(guān)、高可靠性和工業(yè)控制應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)尤為強(qiáng)勁。

SLC、MLC NAND 搶購(gòu)狂潮

除了NOR Flash之外，主要國(guó)際NAND閃存制造商退出SLC NAND和MLC NAND市場(chǎng)的連鎖反應(yīng)，進(jìn)一步推動(dòng)了搶購(gòu)熱潮，使得華邦電子和旺宏電子有望成為主要供應(yīng)商。旺宏電子MLC eMMC的報(bào)價(jià)近期飆升至2025年12月水平的兩倍。盡管客戶年初已支付預(yù)付款，但仍無(wú)法在農(nóng)歷新年之前確保發(fā)貨，導(dǎo)致這些產(chǎn)品在小眾應(yīng)用市場(chǎng)中極度稀缺。與此同時(shí)，旺宏電子NAND（包括eMMC）的營(yíng)收貢獻(xiàn)近期已升至21%，同比增長(zhǎng)超過(guò)一倍。華邦電子2026年第二季度SLC NAND的合同價(jià)格預(yù)計(jì)將大幅上漲，較2025年同期增長(zhǎng)400%至500%。

盡管華邦電子提前幾個(gè)季度就預(yù)料到SLC NAND閃存可能出現(xiàn)供應(yīng)缺口，但目前庫(kù)存幾乎為零。華邦電子第一季度SLC NAND閃存的價(jià)格漲幅也超過(guò)了DDR4，使其成為公司產(chǎn)品組合中漲幅最大的產(chǎn)品線。公司正計(jì)劃對(duì)其閃存產(chǎn)能進(jìn)行大規(guī)模調(diào)整和擴(kuò)容；高雄工廠的DRAM生產(chǎn)線將全面復(fù)工，而臺(tái)中工廠的總產(chǎn)能上限約為每月5.8萬(wàn)片晶圓，其中包括約2.5萬(wàn)片NOR Flash晶圓、1.5萬(wàn)片NAND閃存晶圓和1萬(wàn)片傳統(tǒng)DRAM晶圓。

為了優(yōu)先發(fā)展利潤(rùn)率更高的閃存產(chǎn)品，NOR 和 SLC NAND 的總晶圓開(kāi)工量預(yù)計(jì)將大幅增長(zhǎng)至約 5 萬(wàn)片。根據(jù)華邦電子此前披露的數(shù)據(jù)，采用 46nm 和 32nm 工藝生產(chǎn)的 SLC NAND 約占其營(yíng)收的 15% 至 25%。然而，隨著 SLC NAND 價(jià)格的飆升勢(shì)頭逐漸穩(wěn)固，其營(yíng)收貢獻(xiàn)預(yù)計(jì)將顯著提升，從而擠壓并犧牲分配給傳統(tǒng)工藝 DRAM 的產(chǎn)能。傳統(tǒng)工藝閃存的價(jià)格正強(qiáng)勢(shì)反彈，成為新的利潤(rùn)驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高容量 NOR 閃存的需求正以數(shù)倍的速度增長(zhǎng)，推動(dòng) NOR 閃存的價(jià)格逐季攀升。

NOR Flash合約價(jià)格飆升

隨著DRAM和NAND閃存價(jià)格持續(xù)攀升，NOR Flash在2025年第四季度的價(jià)格漲幅相對(duì)溫和。然而，受終端應(yīng)用容量需求增加和供應(yīng)受限的推動(dòng)，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家預(yù)計(jì)NOR Flash合約價(jià)格將在2026年第一季度上漲超過(guò)30%，并在全年保持兩位數(shù)的季度增長(zhǎng)。

內(nèi)存需求驅(qū)動(dòng)恢復(fù)

受益于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，存儲(chǔ)巨頭宏碁（Macronix）公布2025年11月凈利潤(rùn)為新臺(tái)幣7100萬(wàn)元（約合220萬(wàn)美元），同比增長(zhǎng)117%，實(shí)現(xiàn)當(dāng)月盈利。12月?tīng)I(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣26.32億元，環(huán)比增長(zhǎng)約7.7%，同比增長(zhǎng)44.9%。全年合并營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣288.8億元，同比增長(zhǎng)11.6%，表明公司運(yùn)營(yíng)已逐步復(fù)蘇。

宏碁董事長(zhǎng)吳敏強(qiáng)調(diào)，人工智能的發(fā)展勢(shì)頭正在推動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)，NOR Flash在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心得到廣泛應(yīng)用。除了目前主流的512Mb產(chǎn)品外，市場(chǎng)對(duì)1-2Gb更大容量的需求也在不斷增長(zhǎng)。

AI服務(wù)器推動(dòng)容量擴(kuò)張

業(yè)內(nèi)人士指出，AI服務(wù)器架構(gòu)需要在GPU、交換機(jī)和NPU等所有組件上都使用NOR Flash，以確保系統(tǒng)在升級(jí)過(guò)程中具備回滾能力。這使得服務(wù)器容量需求從普通通用服務(wù)器的125-256MB提升至256-512MB。英偉達(dá)的B300規(guī)范甚至要求單芯片容量達(dá)到1Gb，這意味著服務(wù)器機(jī)架的使用量將比標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器成倍增長(zhǎng)。

在供應(yīng)方面，隨著成熟邏輯工藝價(jià)格從 2025 年下半年開(kāi)始上漲，上游產(chǎn)能趨緊。中國(guó)晶圓代工廠一直在調(diào)整產(chǎn)能分配優(yōu)先級(jí)。

由于微控制器 (MCU)、重定時(shí)器/重驅(qū)動(dòng)器和電源管理 IC (PMIC) 的盈利能力比 NOR 閃存更高，中國(guó)代工廠減少了 NOR 閃存的產(chǎn)能供應(yīng)，這使得像 Macronix 和 Winbond 這樣的中國(guó)臺(tái)灣 NOR 閃存制造商成為主要受益者。

MLC NAND 過(guò)渡創(chuàng)造了機(jī)遇

此外，三星電子在 2025 年宣布，傳統(tǒng)的 MLC NAND 產(chǎn)品將于 2026 年 6 月停產(chǎn)。宏碁此前曾表示，將把 MLC NAND 的研發(fā)重點(diǎn)放在 eMMC 模塊上，雖然目前 eMMC 模塊的市場(chǎng)份額較小，但自 2025 年下半年以來(lái)，該公司一直在持續(xù)投資該模塊，預(yù)計(jì) 2026 年其市場(chǎng)份額將有所增長(zhǎng)。

由于國(guó)際供應(yīng)商大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)量，eMMC模塊在工業(yè)控制、汽車(chē)和醫(yī)療領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。宏碁計(jì)劃將4000至5000片NOR Flash晶圓的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向MLC NAND閃存的生產(chǎn)，以擴(kuò)大eMMC模塊的制造規(guī)模，這將進(jìn)一步加劇NOR Flash的供應(yīng)缺口。

群聯(lián)電子業(yè)績(jī)創(chuàng)歷史新高

NAND閃存控制器制造商群聯(lián)電子（Phison）也公布了創(chuàng)紀(jì)錄的業(yè)績(jī)，2025年12月綜合營(yíng)收達(dá)87.12億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)24%，同比增長(zhǎng)93%，創(chuàng)下新的月度新高。2025年全年?duì)I收達(dá)到726.64億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23%，首次突破700億新臺(tái)幣大關(guān)。

群聯(lián)電子首席執(zhí)行官潘建生表示，12月份的業(yè)務(wù)持續(xù)復(fù)蘇，控制器芯片總出貨量同比增長(zhǎng)97%。PCIe SSD控制器出貨量同比增長(zhǎng)15%，反映出下一代高速存儲(chǔ)接口的廣泛應(yīng)用。

此外，NAND 位增長(zhǎng)同比增長(zhǎng) 16%，表明主要 CSP 制造商對(duì) NAND 的需求強(qiáng)勁，從而推高了價(jià)格并導(dǎo)致短缺。

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