春節(jié)前夕，黃仁勛如期開始他的一輪中國行。

從上海小籠包到北京云南菜再到深圳牛肉火鍋，老黃一邊與民同樂搞起美食之旅，一邊對員工們盛贊 DeepSeek 等中國開源大模型，最后成功喜提“首批40萬顆H200芯片進(jìn)口獲批”的頭條，開啟了自己的下一段行程。

要知道，此時(shí)此刻距離DeepSeek上一次震撼發(fā)布已經(jīng)過去了一年，而大模型的魔法，也在過去一年SOTA模型35天一換的迭代中，似乎失去了萬眾矚目的光環(huán)。

Scaling law 的魔法與 FOMO 情緒的催漲不會(huì)消失，只是從模型參數(shù)，轉(zhuǎn)移到了硬件與資本市場。

繼英偉達(dá)GPU與存儲(chǔ)的一路暴漲，2026年開年，反復(fù)在神狗二象性蹦極的國產(chǎn)半導(dǎo)體，也用一場史詩級上漲宣告了自己的回歸。

不僅臺(tái)積電、三星賺的盆滿缽滿，中芯國際、華虹一眾國產(chǎn)晶圓廠機(jī)臺(tái)稼動(dòng)率久違的重回100%，轉(zhuǎn)到冒煙，也賺到手軟。

資本開支隨之水漲船高，半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)自然率先吃到紅利。

高景氣度的地方，投資者都怕落人之后。截至1月26日，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)開年漲幅達(dá)23%，而跟蹤這個(gè)指數(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558)，則是在近一年的時(shí)間里錄得超過 80% 的漲幅。

狂歡之下，疑問隨之而來：這輪半導(dǎo)體大復(fù)蘇背后究竟是周期的輪回還是邏輯的重構(gòu)？半導(dǎo)體設(shè)備的黃金時(shí)代，真的來了嗎？我們又該如何理解它的上漲？

相擁景氣度

要讀懂這輪半導(dǎo)體設(shè)備的邏輯，我們需要先從2021年迄今的這一輪史無前例的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大周期說起。

2021年，由于疫情以及東南亞港口停擺（東南亞占據(jù)了全球半導(dǎo)體封測市場的27%），一場全球范圍內(nèi)讓所有人措手不及的大缺芯正式啟動(dòng)。

最先被影響的，是封測環(huán)節(jié)集中在東南亞的汽車功率芯片。

為保證正常生產(chǎn)，節(jié)奏被打亂的車廠開始搶消費(fèi)級MCU備貨。搶購潮向下傳導(dǎo)之后，占據(jù)了核心半導(dǎo)體消耗量的消費(fèi)電子還沒從MCU缺貨中回過神，采購已經(jīng)身體誠實(shí)地開始囤積CPU、被動(dòng)元器件。隨后，消費(fèi)電子的恐慌進(jìn)一步蔓延，家電、工業(yè)，乃至最上游的半導(dǎo)體設(shè)備制造，影響晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)建。

至此，越缺越搶、越搶越缺的高景氣閉環(huán)正式形成。最夸張時(shí)，一顆德州儀器的車規(guī)芯片被炒到百倍溢價(jià)，原本只是局部的產(chǎn)能瓶頸，最終演變成全品類、全行業(yè)的全球性危機(jī)。

層層疊加的恐慌催生了瘋狂的產(chǎn)能擴(kuò)張。

2022年前后，產(chǎn)能焦慮疊加地緣政治帶來的供應(yīng)鏈安全風(fēng)險(xiǎn)，從大陸到臺(tái)灣，從美國到韓國，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能建設(shè)進(jìn)入“大躍進(jìn)”階段。IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，2021年半導(dǎo)體資本支出暴漲35%后，2022年再增15%，臺(tái)積電、三星拋出百億美元級擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，大陸廠商也也同步加速追趕成熟制程產(chǎn)能。

圖源：IC Insights

供給端瘋狂擴(kuò)產(chǎn)時(shí)，需求端卻已然開啟了一場持續(xù)多年的消費(fèi)電子大衰退。

Gartner數(shù)據(jù)顯示，2023年全球半導(dǎo)體市場同比下降11%至5330億美元，內(nèi)存市場萎縮近40%，DRAM和NAND銷售額分別暴跌38.5%和37.5%。

產(chǎn)能過度建設(shè)的惡果也在這一年變得尤為明顯：2023年，全球二線代工廠產(chǎn)能利用率低至50%，甚至臺(tái)積電5/4nm先進(jìn)制程利用率也在同期降到了75%以下。

上一輪的強(qiáng)降雨要是泄不掉，就會(huì)釀成新一輪的洪水。存儲(chǔ)行業(yè)樂極生悲，必須吞下集中擴(kuò)產(chǎn)的惡果，一邊為產(chǎn)能過剩發(fā)愁，一邊斷崖式削減資本開支。2023年，全球半導(dǎo)體資本支出總額 1690 億美元，同比下滑 7%，降幅21%的存儲(chǔ)成為重災(zāi)區(qū)。

圖源：IC Insights

存儲(chǔ)芯片從晶圓廠規(guī)劃建設(shè)到真正量產(chǎn)，通常需要2-3年。2023年存儲(chǔ)行業(yè)開始削減資本支出的時(shí)候，AI 還是一個(gè)不太可靠的故事，誰知道，2024年末大模型革命就越演越真，新一輪缺芯也再次到來。

在把一盒內(nèi)存條炒到上海一套剛需房的價(jià)格之前，行業(yè)敘事在此期間，其實(shí)已經(jīng)完成了四波切換：

第一波訓(xùn)練側(cè)GPU爆發(fā)，英偉達(dá)賺得盆滿缽滿；第二波推理側(cè)ASIC芯片崛起，博通憑借定制化芯片受益顯著；第三波存儲(chǔ)芯片放量，美光、三星業(yè)績反彈；第四波CPU漲價(jià)，行業(yè)全面復(fù)蘇。

其中，AI對存儲(chǔ)的拉動(dòng)堪稱暴力。

美光數(shù)據(jù)顯示，AI服務(wù)器的DRAM容量是普通服務(wù)器的8倍，NAND容量是3倍，單臺(tái)AI服務(wù)器存儲(chǔ)需求高達(dá)2TB。CES2026上黃仁勛宣布的存儲(chǔ)池化技術(shù)更是火上澆油，每張GPU對應(yīng)16TB NAND容量，較以往翻了三四倍。

但連續(xù)兩年的產(chǎn)能建設(shè)衰退，供給已經(jīng)完全跟不上需求爆發(fā)。

于是，又一輪史詩級暴漲來臨，嗅覺敏銳的韓國人率先動(dòng)手。

1月25日，韓國《電子時(shí)報(bào)》爆料：三星電子計(jì)劃在2026年第一季度將NAND閃存價(jià)格上調(diào)超100%，直接翻倍的漲幅遠(yuǎn)超市場預(yù)期的30%-50%。很快，SK海力士、西部數(shù)據(jù)迅速跟進(jìn)，從DRAM到NAND，從原廠報(bào)價(jià)到終端分銷，存儲(chǔ)芯片買漲不買跌的超級周期又驟然加速。

如何應(yīng)對產(chǎn)能不足、需求暴增、產(chǎn)品規(guī)格層層擠壓？答案只有一個(gè)：再次擴(kuò)產(chǎn)。

而擴(kuò)產(chǎn)的根基，正是半導(dǎo)體設(shè)備與材料。

繞不開的賣鏟人

供需錯(cuò)配是半導(dǎo)體設(shè)備增長的核心，但絕非唯一邏輯。

在當(dāng)前市場中，無論是AI信徒、國產(chǎn)替代支持者，還是業(yè)績兌現(xiàn)派，都能在半導(dǎo)體設(shè)備賽道找到共鳴。

周期是第一層邏輯，所謂周期，就是終端10%的缺口，傳導(dǎo)至制造是20%的產(chǎn)能擴(kuò)大，再到設(shè)備是30%的出貨增加；當(dāng)缺口從產(chǎn)業(yè)鏈最后一環(huán)傳導(dǎo)至最開始的設(shè)備，設(shè)備又進(jìn)一步傳遞回產(chǎn)能，市場就完成了一次完整的缺貨漲價(jià)-產(chǎn)能過剩的完整周期。

這種放大效應(yīng)造就了設(shè)備行業(yè)的強(qiáng)周期屬性，也使其成為把握產(chǎn)業(yè)脈搏的最佳賽道。

數(shù)據(jù)已經(jīng)給出了證明，摩根士丹利1月20日研報(bào)大幅上調(diào)預(yù)期，將2026年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備（WFE）市場增速從11%上調(diào)至16%，規(guī)模達(dá)1360億美元；2027年增速從13%上調(diào)至19%，規(guī)模升至1610億美元。

拆解來看：普通晶圓代工廠方面，2026年先進(jìn)制程CapEx增長26%，3nm產(chǎn)能或現(xiàn)短缺，臺(tái)積電EUV設(shè)備訂單兩年內(nèi)同比增長40%-50%；存儲(chǔ)領(lǐng)域：僅僅高端DRAM，三星P4工廠、美光-力積電P5工廠加速釋放產(chǎn)能，2026-2027年行業(yè)比特增長率達(dá)25%。

而對國產(chǎn)設(shè)備來說，半導(dǎo)體設(shè)備的增長往往遵循典型的S型曲線：導(dǎo)入期（0-10%）漫長遲緩，需要嚴(yán)格的驗(yàn)證測試、加速期（10%-40%）在政策與性價(jià)比驅(qū)使下業(yè)績高爆發(fā)、成熟期（40%-80%）市場穩(wěn)定與海外巨頭博弈增長重新放緩。2025年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代率從2024年的25%升至35%，正處于加速期的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

更不用提政策紅利持續(xù)加碼。國家大基金二期規(guī)劃未來三年向設(shè)備環(huán)節(jié)投入800億元，相較一期大基金對設(shè)計(jì)與制造的偏重，二期更看重半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域的投資。高階曝光機(jī)、量測與檢測設(shè)備、先進(jìn)封裝設(shè)備等均是關(guān)注重點(diǎn)。

需求爆發(fā)疊加政策扶持，帶來的是業(yè)績層面的大爆發(fā)。

2025年以來，頭部設(shè)備企業(yè)訂單飽滿，業(yè)績集體飄紅，以半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558)的前三大重倉股來看，半導(dǎo)體設(shè)備的高景氣度也在財(cái)報(bào)里得以驗(yàn)證，以前三大重倉股為例，2025 年前三季度財(cái)報(bào)已經(jīng)表現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長。

2025年前三季度，北方華創(chuàng)營收273億元，電子工藝裝備訂單占比約為95%；刻蝕龍頭中微營收達(dá)80.63億元，刻蝕設(shè)備占營收比重約76%，歸母凈利潤12.11億元同比增長32.66%，訂單排期延伸至2026年三季度；PECVD/ALD設(shè)備國內(nèi)市占第一的拓荊科技營收42.2億元，歸母凈利潤5.57億元，營收同比增長85.27%、凈利潤同比激增105.14%。

尾聲

投資科技產(chǎn)業(yè)有100種姿勢，但100種姿勢都繞不開最上游的半導(dǎo)體設(shè)備與材料。

但問題是，半導(dǎo)體設(shè)備研究的不是光刻、刻蝕、薄膜沉積幾個(gè)大詞就能概括的領(lǐng)域。僅僅是所有人最熟悉的光刻機(jī)，除了有EUV和DUV的大分類，DUV還能拆出干法光刻和浸沒式光刻兩條術(shù)路線。更進(jìn)一步，干法與濕法對對應(yīng)不同的制程，不同制程會(huì)適配不同的芯片產(chǎn)品以及終端環(huán)節(jié)。

這種大類之下分小類，小類之下再分叉的樹狀結(jié)構(gòu)，決定了半導(dǎo)體設(shè)備研究高門檻且無限細(xì)分的特性，再疊加行業(yè)周期、政策影響，客戶關(guān)系綁定，怎么投半導(dǎo)體設(shè)備與材料個(gè)股，對普通人的難度不亞于徒手焊CPU。

也是因此，對普通人而言，與其糾結(jié)細(xì)分技術(shù)路線，不如擁抱大趨勢，選擇指數(shù)化投資，通過ETF覆蓋一攬子龍頭企業(yè)，精準(zhǔn)把握行業(yè)紅利。

開年以來，半導(dǎo)體設(shè)備類ETF回報(bào)均突破20%，但受跟蹤指數(shù)差異影響，產(chǎn)品表現(xiàn)各有分化。目前市場主要分為三派，由廣義到狹義分別為：全產(chǎn)業(yè)鏈派（設(shè)備+材料+設(shè)計(jì)+制造）、全市場設(shè)備材料派、科創(chuàng)板設(shè)備材料派。

指數(shù)層面，全市場的代表是中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)（931743.CSI），該指數(shù)前身為2012年發(fā)布的中證800半導(dǎo)體指數(shù)，2023年5月修訂更名后，其核心投資方向?yàn)榘雽?dǎo)體材料+設(shè)備兩大上游賽道 ，樣本空間囊括全A股。

通過遴選40只半導(dǎo)體設(shè)備與材料龍頭企業(yè)作為成分股，該指數(shù)的設(shè)備+材料行業(yè)權(quán)重高達(dá)86.5%行業(yè)聚焦度極高。

在跟蹤該指數(shù)的產(chǎn)品里，半導(dǎo)體設(shè)備 ETF 易方達(dá)（159558）規(guī)模適中，很好地解決了普通投資者想要跟上行業(yè)beta卻對個(gè)股alpha研究無處下手的實(shí)操痛點(diǎn)。此外，根據(jù)基金半年報(bào)披露的投資者機(jī)構(gòu)來看，機(jī)構(gòu)投資者占比超過 80%，其中光是內(nèi)部持有比例就接近 70%，在同類產(chǎn)品中保持領(lǐng)先。

科技投資的賽道上，產(chǎn)業(yè)之復(fù)雜、技術(shù)之艱深、變化之劇烈，即便對于最專業(yè)的投資機(jī)構(gòu)從業(yè)者來說，選對趨勢往往也都是更重要的事情。