如果說(shuō)，黃金是傳統(tǒng)意義上的避險(xiǎn)資產(chǎn)。

那么，在2025年下半年到2026年初的全球市場(chǎng)上，大幅跑贏金價(jià)的，卻是一根根不起眼的內(nèi)存條！

1月6日晚間，話題“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”，登上熱搜。

行業(yè)人士吳深（化名）告訴記者，“內(nèi)存幾乎一天一個(gè)價(jià)”。以256G的DDR5服務(wù)器內(nèi)存為例，單條價(jià)格已超過(guò)4萬(wàn)元。“如果一次采購(gòu)100根一盒，就是400萬(wàn)元，價(jià)值已經(jīng)超過(guò)上海不少房產(chǎn)?！?/strong>

“史上最強(qiáng)”漲價(jià)周期

業(yè)內(nèi)人士：仍未觸頂

據(jù)悉，全球DRAM(內(nèi)存)市場(chǎng)正經(jīng)歷一輪“史上最強(qiáng)”的漲價(jià)周期。

自2025年7月以來(lái)，DRAM(內(nèi)存)價(jià)格持續(xù)快速上行，多數(shù)品類漲幅超過(guò)100%、

數(shù)據(jù)顯示，DDR4(內(nèi)存)與DDR5(內(nèi)存)年內(nèi)已漲價(jià)2-3倍。進(jìn)入2026年，這輪漲價(jià)不僅沒(méi)有松動(dòng)，價(jià)格變化的節(jié)奏反而在加快。

記者先后走訪上海百腦匯、昆山賽格電子市場(chǎng)，多位裝機(jī)商都表示，“漲得太快了”。昆山賽格電子市場(chǎng)一位從業(yè)20余年的裝機(jī)工作人員直言，過(guò)去內(nèi)存價(jià)格波動(dòng)并不劇烈，“但今年這一輪，漲得有點(diǎn)離譜”。

價(jià)格變化在終端感受尤為直接。上海百腦匯一位工作人員介紹，目前主流的雙通道2×16GB內(nèi)存，零售價(jià)已在1600元上下，而在25年618活動(dòng)期間，這一配置只維持在800元左右，“基本翻了一倍”。在他看來(lái)，若是裝機(jī)剛需用戶還能考慮，但對(duì)于非剛需用戶，“現(xiàn)在并不適合入手”。

面對(duì)如此短時(shí)間的巨大漲幅，不僅經(jīng)銷商直呼“沒(méi)見(jiàn)過(guò)”，多位從業(yè)多年的存儲(chǔ)器企業(yè)負(fù)責(zé)人和行業(yè)分析師也稱實(shí)屬首次。

價(jià)格走勢(shì)上，多位業(yè)內(nèi)人士判斷，本輪周期仍未觸頂。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向表示，2025年第四季度各類應(yīng)用的DRAM合約價(jià)普遍上漲40%以上，預(yù)計(jì)為本次上升周期中漲價(jià)幅度最大的季度?！?026年第一季度，合約價(jià)預(yù)計(jì)將再出現(xiàn)15%以上漲幅，2026年第二季度后漲幅逐漸收斂，漲勢(shì)或延續(xù)至2026年下半年?！?/p>

AI需求爆發(fā)疊加供給收縮

引發(fā)內(nèi)存漲價(jià)

這輪內(nèi)存漲價(jià)的核心驅(qū)動(dòng)力，或許是2025年AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng)，引發(fā)的結(jié)構(gòu)性供需失衡。

據(jù)行業(yè)調(diào)研顯示，AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求量是普通服務(wù)器的8-10倍，目前已消耗全球月產(chǎn)能的53%，海量高端存儲(chǔ)需求直接擠壓了消費(fèi)級(jí)內(nèi)存的產(chǎn)能分配。

供給端的戰(zhàn)略收縮則進(jìn)一步放大了缺口。

2025年，三星、SK海力士、美光三大國(guó)際存儲(chǔ)巨頭加速產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整，將資源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利產(chǎn)品。

• 美光在2025年9月暫停報(bào)價(jià)后，恢復(fù)報(bào)價(jià)的新價(jià)格普遍上漲約20%，并宣布將于2026年2月底停止銷售Crucial消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品；

• 三星上調(diào)LPDDR4X、LPDDR5/5X等移動(dòng)DRAM產(chǎn)品合約價(jià)15%～30%，同時(shí)將NANDFlash合約價(jià)上調(diào)5%～10%；

• SK海力士則在2025年第四季度將DRAM與NANDFlash合約價(jià)最高上調(diào)30%。

三大廠商已明確停止對(duì)DDR4的資本投入和技術(shù)迭代，計(jì)劃在2025-2026年間大幅縮減DDR4產(chǎn)能比重。

此外，HBM（高寬帶內(nèi)存）作為AI核心配套存儲(chǔ)，市場(chǎng)熱度持續(xù)攀升。2025年HBM市場(chǎng)規(guī)模實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格上漲超30%，三星、SK海力士等廠商的HBM產(chǎn)能已基本售罄，呈現(xiàn)“一芯難求”的局面。

（本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議。）

來(lái)源：時(shí)代周報(bào)、經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)、新黃河、新聞坊、錢江晚報(bào)此前報(bào)道等

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