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這有一份超低導(dǎo)阻高壓氮化鎵名錄請查收,業(yè)界知名廠商均在列

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前言

根據(jù)GaNFET.com的統(tǒng)計,當前市面上已有超過400款高壓氮化鎵功率器件,其中低于50mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵器件因優(yōu)異的性能引起廣泛關(guān)注。這些低導(dǎo)阻器件具備較低的導(dǎo)通損耗、更高的電流密度以及更小的封裝尺寸,適用于高頻、高效率的電源設(shè)計。

本文將分析目前各大廠商推出的低于50mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵器件,重點關(guān)注其規(guī)格參數(shù)、應(yīng)用場景以及優(yōu)勢,為相關(guān)設(shè)計提供參考。

低導(dǎo)阻氮化鎵



充電頭網(wǎng)將GaNFET.com低導(dǎo)阻氮化鎵統(tǒng)計數(shù)據(jù)匯總至上表,可見萬國、GGD、氮矽、鎵未來、英飛凌、英諾賽科、納微、安世、瑞薩、德州儀器這些廠商均榜上有名。

AOS萬國
萬國AOTL035V65GA1



萬國AOTL035V65GA1是一顆650V耐壓,35mΩ導(dǎo)阻的增強型高壓氮化鎵,采用TOLL封裝,適用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換、圖騰柱PFC、電池快充等各類需要高效電源轉(zhuǎn)換的場景應(yīng)用。

CGD
CGDCGD65C025SP2



CGDCGD65C025SP2是一顆650V耐壓,25mΩ導(dǎo)阻的增強型高壓氮化鎵,采用BHDFN10x10封裝,適合工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和通信電源以及工業(yè)電機驅(qū)動、光伏逆變、UPS、儲能等多場景應(yīng)用。

CGDCGD65D025SP2



CGDCGD65D025SP2是一顆650V耐壓,25mΩ導(dǎo)阻的增強型高壓氮化鎵,采用BHDFN10x10封裝。

DX氮矽
DX氮矽DX65TA030



氮矽DX65TA030是一顆700V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TOLL封裝,可應(yīng)用于快充電池充電器、LED照明驅(qū)動、電源功率因數(shù)校正、LLC諧振變換器、無線電能傳輸以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源等場景。

DX氮矽DX65TA030S



DX65TA030S是一顆700V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型GaN,采用TOLL封裝,可用于快充電池充電器、LED照明驅(qū)動、電源功率因數(shù)校正、LLC諧振變換器、無線電能傳輸以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源等應(yīng)用場景。

DX氮矽DX65TC030



DX65TA030S是一顆700V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型GaN,采用TOLL封裝。

GaNext鎵未來
GaNext鎵未來G1N65R035TB



G1N65R035TB是一顆650V耐壓、35mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TO-247封裝。器件具適用于高頻、高效率電源系統(tǒng)。典型應(yīng)用包括半橋Buck/Boost拓撲、圖騰柱PFC電路、逆變器、以及高效率LLC或移相軟開關(guān)電源等場景,可顯著提升功率密度與熱性能,降低系統(tǒng)損耗與尺寸。

GaNext鎵未來G1N65R035TD



G1N65R035TL-H是一顆650V耐壓、33mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用帶TOLL封裝,可用于數(shù)據(jù)中心與通信電源、光伏微型逆變器、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載OBC與DC-DC、電感式圖騰柱PFC以及高頻LLC等高功率密度、高效率電源應(yīng)用場景。

GaNext鎵未來G1N65R035TQ



鎵未來G1N65R035TQ是一顆650V耐壓、33mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TO247封裝。

GaNext鎵未來G2N65R015TB



G2N65R015TB是一顆650V耐壓、15mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TO-247封裝,適用于半橋Buck/Boost、圖騰柱PFC、逆變器以及高效率、高頻LLC和移相軟開關(guān)等電源應(yīng)用場景,可滿足高電流、高功率等級下對低導(dǎo)通損耗與高可靠性的需求。

GaNext鎵未來G2N65R035TB



鎵未來G2N65R035TB是一顆650V耐壓、35mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TO247封裝。

GaNext鎵未來G2N65R035TT



鎵未來G2N65R035TT是一顆650V耐壓、35mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TOLL封裝。

Infineon英飛凌
Infineon英飛凌IGLT65R025D2



IGLT65R025D2是一顆650V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵功率器件,采用TOLT封裝,可應(yīng)用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS、以及高功率密度工業(yè)級AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGLT65R035D2



IGLT65R035D2是一顆650V耐壓、42mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TOLT封裝,適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS、以及各類高功率密度工業(yè)級AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGLT65R045D2



IGLT65R045D2是一顆650V耐壓、54mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵功率器件,采用TOLT封裝,可應(yīng)用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS以及高功率密度工業(yè)級AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGOT65R025D2



IGOT65R025D2是一顆650V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵功率器件,采用PG-DSO-20封裝,適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGOT65R035D2



IGOT65R035D2是一顆650V耐壓、42mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用PG-DSO-20封裝,適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS以及高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGOT65R045D2



IGOT65R045D2是一顆650V耐壓、54mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵功率器件,采用PG-DSO-20封裝,可應(yīng)用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGT65R025D2



IGT65R025D2是一顆650V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TOLL封裝,可用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS,以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換場景。

Infineon英飛凌IGT65R035D2



IGT65R035D2是一顆650V耐壓、42mΩ導(dǎo)阻的增強型(E-mode)氮化鎵功率器件,采用TOLL封裝,適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS以及高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場景。

Infineon英飛凌IGT65R045D2



IGT65R045D2是一顆650V耐壓、54mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵功率器件,采用TOLL封裝,適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數(shù)據(jù)中心與通信SMPS以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源應(yīng)用場景。

Innoscience英諾賽科
Innoscience英諾賽科INN650TA030AH



INN650TA030AH是一顆650V耐壓、34mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TOLL封裝,具備適用于AC-DC電源、DC-DC變換器、圖騰柱PFC、快充電源以及高功率密度、高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等應(yīng)用場景。

Innoscience英諾賽科INN650TA030CS



INN650TA030CS是一顆650V耐壓、35mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵功率晶體管,采用TOLL封裝,適用于AC-DC與DC-DC電源、服務(wù)器/電源模塊、高功率密度DC-DC、圖騰柱PFC以及諧振與軟開關(guān)電源轉(zhuǎn)換場景。

Innoscience英諾賽科INN650TA050AH



INN650TA050AH是一顆650V耐壓、50mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TOLL封裝適用于AC-DC電源、DC-DC變換器、DC-AC逆變器以及各類高功率密度、高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用場景。

Innoscience英諾賽科INN650TA050C



INN650TA050C是一顆650V耐壓、50mΩ導(dǎo)阻的增強型,采用TOLL封裝,具備低柵電荷(Qg≈9.4nC@400V)、零反向恢復(fù)電荷、脈沖電流能力77A等特性,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、高功率密度DC-DC模塊、圖騰柱PFC以及諧振與軟開關(guān)電源轉(zhuǎn)換等場景。

Navitas納微
Navitas納微NV6169



NV6169是一顆650V耐壓、45mΩ導(dǎo)阻的增強型GaN功率器件,可應(yīng)用于AC-DC電源、PFC電路、LLC諧振電源、服務(wù)器與電信電源以及高功率密度快充適配器等場景。

Navitas納微NV6512C



NV6512C是一顆650V耐壓、55mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、CCM/CRM-PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6513



NV6513是一顆650V耐壓、45mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度應(yīng)用場景。

Navitas納微NV6514C



NV6514C是一顆650V耐壓、25mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6515



NV6515是一顆650V耐壓、35mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度應(yīng)用場景。

Navitas納微NV6522



NV6522是一顆650V耐壓、55mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6523



NV6523是一顆650V耐壓、45mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6524



NV6524是一顆650V耐壓、25mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,可應(yīng)用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6525



NV6525是一顆650V耐壓、35mΩ導(dǎo)阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC,適用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變與儲能(ESS)、車載OBC及電機驅(qū)動等高功率密度應(yīng)用場景。

Nexperia安世
Nexperia安世GAN039-650NBB



GAN039-650NBB是一顆650V耐壓、33mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用CCPAK1212封裝,可應(yīng)用于工業(yè)與數(shù)據(jù)中心電源的硬開關(guān)/軟開關(guān)變換器、無橋PFC、光伏與UPS逆變器以及伺服電機驅(qū)動等場景。

Nexperia安世GAN039-650NTB



GAN039-650NTB是一顆650V耐壓、33mΩ導(dǎo)阻的增強型(E-mode)氮化鎵FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,適用于工業(yè)與數(shù)據(jù)中心電源的硬開關(guān)/軟開關(guān)變換器、無橋圖騰柱PFC、光伏與UPS逆變器以及伺服電機驅(qū)動等應(yīng)用場景。

Nexperia安世GAN041-650WSB



GAN039-650NTB是一顆650V耐壓、33mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵FET,采用CCPAK1212i封裝,適用于工業(yè)與數(shù)據(jù)中心電源的硬開關(guān)/軟開關(guān)變換器、無橋圖騰柱PFC、光伏與UPS逆變器以及伺服電機驅(qū)動等應(yīng)用場景。

Renesas瑞薩
Renesas瑞薩TP65H015G5WS



TP65H015G5WS是一顆650V耐壓、18mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,采用TO-247封裝,可應(yīng)用于無橋圖騰柱PFC、數(shù)據(jù)中心電源、工業(yè)電源、光伏逆變器及伺服電機驅(qū)動等高功率密度電源場景。

Renesas瑞薩TP65H030G4PRS



TP65H030G4PRS是一顆650V耐壓、41mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵FET,可應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心與通信電源、UPS、電動出行充電、光伏逆變器以及儲能等高功率密度電源場景。

Renesas瑞薩TP65H030G4PWS



TP65H030G4PWS是一顆650V耐壓、41mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,可應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心與通信電源、電動出行充電、光伏逆變器、UPS以及儲能等高功率密度電源場景。

TI德州儀器
TI德州儀器LMG3422R030



LMG3422R030是一顆600V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,適用于數(shù)據(jù)中心電源、5G通信電源、服務(wù)器與通信PSU、高功率密度AC-DC/DC-DC變換器等應(yīng)用場景。

TI德州儀器LMG3425R030



LMG3425R030是一顆600V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,集成驅(qū)動、電流保護和溫度監(jiān)測功能,適用于高效開關(guān)電源、數(shù)據(jù)中心電源、電商網(wǎng)絡(luò)與服務(wù)器電源、光伏逆變器、UPS以及不間斷電源系統(tǒng)等場景。

TI德州儀器LMG3426R030



TI德州儀器LMG3522R030



LMG3522R030是一顆600V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的增強型氮化鎵,集成驅(qū)動、過流保護和溫度監(jiān)測,適用于高效開關(guān)電源、數(shù)據(jù)中心電源、電商網(wǎng)絡(luò)與服務(wù)器電源、光伏逆變器、UPS以及不間斷電源系統(tǒng)等應(yīng)用場景。

TI德州儀器LMG3522R030-Q1



LMG3522R030-Q1是一顆650V耐壓、30mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵,集成驅(qū)動和保護功能,適用于高效開關(guān)電源。其應(yīng)用場景包括電源系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源、服務(wù)器電源、UPS、光伏逆變器等。

TI德州儀器LMG3526R030



LMG3526R030是一款650V、30mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵,集成了驅(qū)動和保護功能,適用于高效開關(guān)電源。可在應(yīng)用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車OBC、UPS系統(tǒng)、光伏逆變器等領(lǐng)域,特別適合需要高頻和高效能的電力轉(zhuǎn)換場景應(yīng)用。

TI德州儀器LMG3527R030



LMG3522R030是一款650V、30mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵,集成了驅(qū)動和保護功能。它可以在應(yīng)用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車OBC、UPS系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。

TI德州儀器LMG3650R025



LMG3650R025是一款650V、25mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵,集成了驅(qū)動和保護功能。適合高效率、高功率密度的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器電源、PFC、光伏逆變器和不間斷電源系統(tǒng)等領(lǐng)域。

TI德州儀器LMG3650R035



LMG3650R035是一款650V、35mΩ導(dǎo)阻的GaN,集成了驅(qū)動和保護功能,適用于高效開關(guān)電源,非常適合用于PFC、太陽能逆變器、商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器電源等應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

通過對當前市場上低導(dǎo)阻高壓氮化鎵器件的分析,可以看出,眾多廠商紛紛推出了不同規(guī)格、封裝形式和應(yīng)用場景的氮化鎵器件。這些器件廣泛應(yīng)用于快充、數(shù)據(jù)中心電源、太陽能逆變、儲能等領(lǐng)域,可充分發(fā)揮低導(dǎo)阻氮化鎵在提升功率密度、以及系統(tǒng)效率方面的優(yōu)勢。

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古天樂被曝為拍電影《尋秦記》押上全部身家,曾陷財務(wù)危機,求助向華強,稱“再虧下去要睡天橋底了”

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封面新聞
2026-01-08 09:37:07
林建岳母親余寶珠101歲了,只認前兒媳謝玲玲,四代同堂為她慶生

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照見古今
2026-01-07 19:42:45
2026-01-08 22:48:49
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