2025 年第四季度，臺(tái)積電按計(jì)劃正式啟動(dòng) N2 2nm 工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，這一行業(yè)重要進(jìn)展雖未進(jìn)行官方宣傳，卻標(biāo)志著全球半導(dǎo)體技術(shù)邁入新的發(fā)展階段。作為臺(tái)積電首個(gè)采用 GAA（環(huán)繞柵極納米片晶體管）架構(gòu)的制程節(jié)點(diǎn)，N2 工藝通過(guò)柵極完全包裹水平堆疊納米片構(gòu)成的導(dǎo)電溝道，優(yōu)化了靜電控制效果并降低漏電率，在不影響性能與能效的前提下實(shí)現(xiàn)了晶體管密度的提升。同時(shí)，該工藝集成的超高性能金屬 - 絕緣體 - 金屬電容器（SHPMIM），電容密度較前代提升超 2 倍，且顯著降低了薄層電阻與通孔電阻，進(jìn)一步保障了供電穩(wěn)定性與芯片綜合表現(xiàn)。相較于 3nm 工藝（N3E），N2 工藝在同等功耗下性能提升 10%-15%，同等性能下功耗降低 20%-25%，晶體管密度也提高 15%。為持續(xù)推進(jìn)技術(shù)迭代，臺(tái)積電還規(guī)劃了后續(xù)升級(jí)路線，N2P 版本預(yù)計(jì) 2026 年下半年量產(chǎn)，性能與功耗將進(jìn)一步優(yōu)化，N2X 則將于 2027 年量產(chǎn)并繼續(xù)提升性能表現(xiàn)，此外臺(tái)積電還計(jì)劃新建三座工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

隨著臺(tái)積電 2nm 工藝量產(chǎn)落地，全球主流移動(dòng)芯片廠商也加快了新一代產(chǎn)品的布局，蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科均計(jì)劃于 2026 年 9 月推出 2nm 旗艦芯片。蘋(píng)果將推出 A20/A20 Pro 兩款芯片，均采用臺(tái)積電 N2 工藝，由 iPhone 18 系列首發(fā)搭載；高通為對(duì)標(biāo)蘋(píng)果產(chǎn)品，將推出兩款芯片組成驍龍 8 Elite Gen6 系列，該系列不僅首發(fā)更先進(jìn)的 N2P 工藝，還采用全新的 “2+3+3” 集群設(shè)計(jì)，小米 18 系列、一加 16、iQOO 16 等機(jī)型將成為首批搭載產(chǎn)品；聯(lián)發(fā)科則計(jì)劃推出天璣 9600 作為其首款 2nm 芯片，目前關(guān)于該芯片是否分版本的問(wèn)題仍在內(nèi)部討論中，按照行業(yè)慣例，vivo X500 系列和 OPPO Find X10 系列將首發(fā)搭載這款芯片。這些芯片廠商的布局，使得 2nm 技術(shù)將快速?gòu)墓に噷用媛涞氐较M(fèi)電子產(chǎn)品中。

2nm 芯片的落地雖帶來(lái)技術(shù)進(jìn)步，但也對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈成本和終端市場(chǎng)格局產(chǎn)生了顯著影響。市場(chǎng)消息顯示，臺(tái)積電 2nm 晶圓單價(jià)已超過(guò) 3 萬(wàn)美元，接近 4nm 晶圓價(jià)格的兩倍，直接推高了芯片生產(chǎn)成本。疊加 2025 年以來(lái) DRAM 與 NAND Flash 等存儲(chǔ)芯片的持續(xù)漲價(jià)，其中第四季度一般型 DRAM 價(jià)格上漲 18%-23%，2026 年旗艦手機(jī)的硬件成本壓力明顯增加。受此影響，安卓陣營(yíng)旗艦機(jī)的價(jià)格體系將發(fā)生變化，大內(nèi)存版本價(jià)格有望突破 5000 元，與蘋(píng)果產(chǎn)品的價(jià)格差距逐漸縮小，這也促使安卓廠商需要通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與功能優(yōu)化提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，部分廠商開(kāi)始調(diào)整產(chǎn)品策略，為平衡成本與定價(jià)，下一代旗艦機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)版將繼續(xù)沿用現(xiàn)有 3nm 芯片，僅 Pro 版和 Ultra 版導(dǎo)入 2nm 芯片，形成性能與價(jià)格的梯度區(qū)分。

成本上漲和產(chǎn)品策略調(diào)整也引發(fā)了行業(yè)對(duì)市場(chǎng)走勢(shì)的重新判斷，調(diào)研機(jī)構(gòu) TrendForce 已下修 2026 年全球智能手機(jī)和筆記本電腦出貨預(yù)測(cè)，從原本的微增調(diào)整為年減 2% 和 2.4%。分析師認(rèn)為，中端產(chǎn)品將受到成本上漲的最大沖擊，低端產(chǎn)品可能面臨 “多做多虧” 的局面，未來(lái)廠商將加速向高端化轉(zhuǎn)型。臺(tái)積電 2nm 工藝的量產(chǎn)不僅是半導(dǎo)體技術(shù)的一次重要迭代，更推動(dòng)了消費(fèi)電子行業(yè)從芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)到終端產(chǎn)品布局的全鏈條調(diào)整，在技術(shù)進(jìn)步與成本壓力的雙重作用下，2026 年行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)將更聚焦于高端市場(chǎng)與技術(shù)創(chuàng)新能力的比拼。