一、核心預(yù)測(cè)結(jié)論 （一）2026 年 CAPEX 預(yù)測(cè)

整體資本開支（CAPEX）預(yù)計(jì)為410-420 億美元（low400 億美金區(qū)間），其中前端業(yè)務(wù)占比 75%，封裝、光罩、EDA 等后端及配套業(yè)務(wù)占比 25%，封裝業(yè)務(wù)投入較往年略有增加（約多 10-20 億美元）。CAPEX 構(gòu)成中，scanner（光刻設(shè)備）相關(guān)投入是核心，2nm 相關(guān) scanner 采購(gòu)金額約 80-90 億美元，2026 年訂單規(guī)模略低于 2025 年。

（二）2026 年?duì)I收預(yù)測(cè)

全年?duì)I收預(yù)計(jì)可達(dá)1300 億美元以上，同比增長(zhǎng)約 8%-10%（2025 年?duì)I收預(yù)計(jì) 1200 億美元）。其中 2nm（N2）制程貢獻(xiàn) 80-90 億美元營(yíng)收，占比約 7%，成為營(yíng)收增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力之一。

二、各制程技術(shù)進(jìn)展與產(chǎn)能規(guī)劃 （一）2nm（N2）制程

1. 產(chǎn)能節(jié)奏：2025 年底 scanner 產(chǎn)能達(dá) 5 萬片 / 月，2026 年底 scanner 產(chǎn)能提升至 10 萬片 / 月；但實(shí)際產(chǎn)能釋放存在滯后，2026 年 Q3 財(cái)報(bào)將體現(xiàn) 5 萬片 / 月貢獻(xiàn)，年底實(shí)際產(chǎn)能約 6 萬片 / 月（含部分 1.6nm 產(chǎn)能）。

2. CAPEX 與機(jī)臺(tái)：2026 年新增 5 萬片 / 月 scanner 產(chǎn)能，對(duì)應(yīng) scanner 采購(gòu)金額 80-90 億美元；因生產(chǎn)效率提升（首階段機(jī)臺(tái)效率低需多采購(gòu)，后續(xù)效率優(yōu)化可減少機(jī)臺(tái)需求），2026 年機(jī)臺(tái)采購(gòu)量較 2025 年減少約 1/9，無需按同等規(guī)模追加機(jī)臺(tái)。

3. 定價(jià)：?jiǎn)?wafer ASP 預(yù)計(jì)為 2.3-2.4 萬美元，此前市場(chǎng)傳言的 3 萬美元定價(jià)過高，與實(shí)際營(yíng)收模型不匹配。

1. 技術(shù)定位：屬于 2nm（N2）家族，與 N2 共用機(jī)臺(tái)和核心工藝，僅新增背面供電網(wǎng)絡(luò)功能，本質(zhì)是 N2 的衍生版本（原命名 A18，因規(guī)避 Intel 產(chǎn)品名稱改為 A16）。

2. 產(chǎn)能與進(jìn)度：2026 年 Q1 光罩廠啟動(dòng) A16 制程 wafer 試產(chǎn)，Q3 正式量產(chǎn)；EUV 層數(shù)較 2nm 多 1 道（從 21-22 道增至 22-23 道），對(duì)應(yīng) EUV 需求增加約 5%，但無需額外新增大量機(jī)臺(tái)（可復(fù)用 N2 現(xiàn)有設(shè)備冗余）。

3. 產(chǎn)能分配：與 N2 共享 5 萬片 / 月的 scanner 產(chǎn)能池，根據(jù)客戶訂單靈活分配產(chǎn)能比例。

1. 量產(chǎn)時(shí)間：2027 年正式量產(chǎn)，2027 年初啟動(dòng) CAPEX 投入（機(jī)臺(tái) move in），2026 年僅支付定金，不計(jì)入當(dāng)年 CAPEX。

2. 技術(shù)特點(diǎn)：與 2nm 制程差異較大，屬于新一代節(jié)點(diǎn)，但臺(tái)積電通過工藝優(yōu)化，未大幅增加 EUV 層數(shù)和機(jī)臺(tái)復(fù)雜度，僅需 1nm 縮微，可復(fù)用部分 N2 scanner 設(shè)備；計(jì)量（metrology）環(huán)節(jié)復(fù)雜度略高于 N2，但 EUV 需求無明顯上升。

3. 定價(jià)預(yù)測(cè)：?jiǎn)?wafer ASP 預(yù)計(jì)約 3 萬美元（僅為 2027 年后的初步猜測(cè)）。

1. 臺(tái)灣地區(qū)：現(xiàn)有產(chǎn)能穩(wěn)定在 13-15 萬片 / 月，2026 年無新增機(jī)臺(tái)計(jì)劃，僅維持現(xiàn)有產(chǎn)出規(guī)模；18B 廠已完成產(chǎn)能鋪設(shè)，無額外擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃。

2. Arizona 工廠：屬于 Phase2 項(xiàng)目，2027 年量產(chǎn)，2026 年僅啟動(dòng)小產(chǎn)能產(chǎn)品驗(yàn)證（非 2-3 萬片 / 月的激進(jìn)目標(biāo)）；機(jī)臺(tái)可與 4nm（N4）混用，但 3nm 產(chǎn)出需更多機(jī)臺(tái)才能達(dá)到同等產(chǎn)能。

3. 市場(chǎng)傳言澄清：2026 年無大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，Arizona 工廠 3nm 產(chǎn)能釋放需到 2027 年下半年，2026 年僅為驗(yàn)證階段。

1. 跨制程復(fù)用：3nm 與 4nm、2nm 與 1.6nm、1.4nm 與 2nm 的 scanner、DUV、EUV 設(shè)備均可部分混用，但產(chǎn)能效率有差異（如 4nm 機(jī)臺(tái)用于 3nm 生產(chǎn)時(shí)，產(chǎn)出會(huì)減少）。

2. 設(shè)備壽命與成本：當(dāng)前制程迭代趨于保守（“擠牙膏” 式升級(jí)），ASML 機(jī)臺(tái)按節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)型號(hào)設(shè)計(jì)，但臺(tái)積電通過工藝優(yōu)化延長(zhǎng)設(shè)備復(fù)用周期，DUV 復(fù)用率較高，EUV 僅需少量新增（因?qū)訑?shù)微調(diào)）。

1. 2 萬片 / 月新增產(chǎn)能測(cè)算：需 6 臺(tái) EUV（單臺(tái)月曝光量 7 萬片）、6 臺(tái)沉浸式 DUV（雙層數(shù)需求）、4 臺(tái) KLA 計(jì)量設(shè)備，核心設(shè)備（EUV+DUV）為 CAPEX 主要構(gòu)成。

2. 地區(qū)定價(jià)差異：機(jī)臺(tái)本體價(jià)格全球一致（如臺(tái)灣、美國(guó)、日本同型號(hào)設(shè)備價(jià)格無明顯差異），僅售后保修服務(wù)費(fèi)用存在地區(qū)差異。

3. 采購(gòu)趨勢(shì)：2026 年 ASML 對(duì)臺(tái)積電的 scanner 訂單較 2025 年平淡，主要因臺(tái)積電工藝效率提升，減少了機(jī)臺(tái)采購(gòu)需求。

按 2024 年公布的計(jì)劃按時(shí)推進(jìn)，但較原始規(guī)劃（2025-2026 年釋放 N2 產(chǎn)能）有所延遲，Phase2（3nm+2nm）產(chǎn)能需到 2027 年下半年才正式釋放。

（二）Phase 規(guī)劃

1. Phase1：以 4nm（N4）為主，已完成機(jī)臺(tái)鋪設(shè)，用于服務(wù)美國(guó)本土客戶。

2. Phase2A：聚焦 3nm 制程，2026 年啟動(dòng)客戶產(chǎn)品驗(yàn)證，2027 年量產(chǎn)。

3. Phase2B：聚焦 2nm（N2）制程，機(jī)臺(tái)可與 3nm 混用，產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)美國(guó)客戶訂單靈活調(diào)整（無固定 2.5 萬片 / 月滿產(chǎn)目標(biāo)）。

核心服務(wù)美國(guó)本土客戶，需通過客戶產(chǎn)品驗(yàn)證后才能釋放產(chǎn)能，2026 年重點(diǎn)是完成 3nm/2nm 制程的資格認(rèn)證，而非大規(guī)模量產(chǎn)。

五、CAPEX 與營(yíng)收增長(zhǎng)邏輯 （一）CAPEX 構(gòu)成變化

2026 年 CAPEX 中，前端制造（75%）占比下降，封裝、光罩等后端業(yè)務(wù)（25%）占比上升，但后端業(yè)務(wù)整體投入規(guī)模仍遠(yuǎn)低于前端（僅多 10-20 億美元）。

（二）營(yíng)收增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)

1. 核心驅(qū)動(dòng)：2nm（含 A16）產(chǎn)能釋放，貢獻(xiàn) 80-90 億美元新增營(yíng)收。

2. 其他因素：現(xiàn)有制程（3nm、4nm）定價(jià)穩(wěn)定，客戶訂單需求平穩(wěn)，無大幅降價(jià)或需求下滑風(fēng)險(xiǎn)。

2027 年 CAPEX 可能因 1.4nm 量產(chǎn)略有上升，但當(dāng)前訂單未確認(rèn)，暫無法給出具體數(shù)值；2026 年后 CAPEX 增長(zhǎng)率與 2023-2024 年持平，無大幅增長(zhǎng)動(dòng)力。

六、關(guān)鍵關(guān)注要點(diǎn)

1. 成本控制：臺(tái)積電通過工藝效率優(yōu)化（減少機(jī)臺(tái)采購(gòu)）、設(shè)備復(fù)用（跨制程共用）降低 CAPEX 壓力，2026 年無激進(jìn)投資計(jì)劃。

2. 進(jìn)度風(fēng)險(xiǎn)：Arizona 工廠產(chǎn)能釋放節(jié)奏、1.4nm 制程工藝驗(yàn)證進(jìn)度需持續(xù)跟蹤。

3. 市場(chǎng)變量：終端市場(chǎng)需求若超預(yù)期，臺(tái)積電可能在 2026 年中期調(diào)整機(jī)臺(tái)采購(gòu)計(jì)劃，但當(dāng)前無明確信號(hào)。

4. 設(shè)備廠商影響：ASML 2026 年對(duì)臺(tái)積電的訂單規(guī)模平淡，反映行業(yè)整體投資趨于保守。